半导体系列报告（一）：GaN产业链简介：射频通信将大显身手功率器件或后来居上.pdf

GaN产业链简介 Brief introduction of GaN Industry 射频通信将大显身手，功率器件或后来居上 请务必阅读正文后免责条款 通信行业评级：中性（维持） 证券研究报告 证券分析师 朱 琨 投资咨询资格编号： S1060518010003 半导体系列报告（一） 报告摘要 2 1、 GaN或将领跑第三代半导体市场 ： 氮化镓（ GaN）可同时涵盖射频和功率领域，特别是在高功率和高频 率领域应用效果特别出色；可广泛应用 于通 信、计算机、消费电子、汽车电子、航空航天、国防军工等传 统产业领域；由于商业化进展快，将领跑第三代半导体市 场 。 2、 GaN将逐步替代 LDMOS： GaN弥补了 GaAs和 Si基 LDMOS两种老式技术之间的缺陷，在体现 GaAs 高频性能 的同时，结合了 Si基 LDMOS的功率处理能力；随着 GaN材料工艺的成熟和成本的下降，将逐步替代 LDMOS， 预计到 2025年在射频市场的渗透率将达到 50%左 右。 3、 GaN将在消费电子率先突破，中高压领域或后来居上 ：采用 GaN-on-Si的功率器件工作电压在 1000V以 下，成本在 1美金左右。因此， GaN功率器件在低压领域（ 0-900V）首先商用，替代传统的硅基功率器件； IMEC实验室在 4月 29日宣布了工作电压可达 1200V的硅基 GaN外延片；若是商业化顺利， 1000V以上中高压领 域，硅基 GaN也有可能获得一部分市场份 额。 目录 CO N T E NT S 射频通信 ： 5G通信驱动技术升级， GaN将逐步替代 LDMOS 或跃于渊： GaN将领跑第三代化合物半导体市场 功率器件 ：消费电子率先突破，中高压领域或后来居上 3 投资建议及风险提示 什么是第三代化合物半导体 数据来源：聚力成， GaNPower，平安证券研究所 4 第三代半导体是指化合物半导体 ， 包括 SiC(碳化 硅 )、 GaN（ 氮化镓 ） 、 ZnO（ 氧化锌 ） 、 GaO（ 氧 化镓 ） 、 AlN（ 氮化铝 ） ， 以及金刚石等宽禁带半 导体材料 （ 导带与禁带间能隙差 Eg2.3eV） 。 第三代半导体具有高击穿电场 、 高热导率 、 高电 子迁移率 、 高工作温度等优点 。 以 SiC和 GaN为代 表物质制作的器件具有更大的输出功率和更好的 频率特 性 。 第一代半 导体 第二代半 导体 第三代半 导体 主要材料：硅 、 锗 技术标志：大尺寸晶圆 、 小芯片制程 主要产品：大规模集成电路 主要材料：砷化镓 、 磷化铟 技术标志：提升通信速度和存储密度 主要产品：光通信 、 光显示和光存储 主要材料：氮化镓 、 碳化硅 技术标志：高击穿场强 、 高功率 、 高频等 主要产品：高频和高功率电子器件 硅 砷化镓 碳化硅 氮化镓 工作频率 小于3.5GHz 2-300GHz 大于3GHz 大于 3GHz 禁带宽度（ eV） 1.1 1.4 3.3 3.4 电子迁移率 （ cm2/Vs） 1350 8500 1000 2000 热导率（ W/cm.K) 1.49 0.45 4.9 2.1 击穿场强（ MV/cm） 0.3 0.4 2.8 3.3 工作温度（摄氏度） 175 350 600 800 氮化镓器件的优势 数据来源： GaNPower，平安证券研究所 5 材料性能 器件特性 系统特性物理特性 宽禁带 高临界电场 存在二维电子气 本征电子浓度低 高电子浓度，高迁移率 高耐热性 低门级电荷 高击穿电压 低导通损耗 高耐热性 高开关频率，低开关损耗 应用于需要耐受高压的场 合 提升系统效率 缩减散热系统 减小系统体积， 提高功率密度 氮化镓器件制作流程以及应用领域 数据来源：聚力成，苏州能讯，吴越半导体，平安证券研究所 6 衬底 外延片 器件 应用领域 硅 片 蓝 宝 石 氮 化 镓 GaN-on-Si ： 4-6 英 寸为主 ， 异质外延 GaN-on-Sapphire ： 成本低 ， 异质外延 GaN-on-GaN：性能好 ， 成本高 ， 同质外延 LED芯片 ， 白光 、 黄 光 、 Miniled LED芯片 ， 紫外及激 光器 功率型 HEMT器件 ， 650V-900V 碳 化 硅 GaN-on-SiC： 4英寸 已量产 ， 异质外延 射频型 GaN HEMT器件 ， GaN单片集成电路 电力电子领域 ：消费 电子快充产品 、 新能 源车电机驱动 、 电源 转换 射频领域 ： 5G基站功 放 PA、 军用雷达 光电领域 ：白光 LED、 紫外激光器及二极管 主要氮化镓器件的参数对比 数据来源： GaNPower，吴越半导体，平安证券研究所 7 GaN-on-Si GaN-on-SiC GaN-on-GaN 缺陷密度（缺陷个数 /cm2） 1E+9 5E+8 1E+3 to 1E+5 晶格失配（ %） 17 3.5 0 热膨胀系数（ %） 54 25 0 漏电流 大 大 小 集成可能性 高 中等 - 衬底价格（ 4寸，美元 /片） 45 600 4000 类别 优点 缺点 应用 常开型 结构工艺制程简单，成本低 负电压关断，无法用于电力电 子系统 射频通信，微波通信，单片集 成 常关型 正阈值电压 结构工艺制程复杂，成本高， 需要驱动 射频通信和功率电子器件 级联型 门级无需特别驱动，工艺制程 简单 通态电阻增大，成本较高 功率电子器件 各种类型 GaN器件性能对比 基于不同工艺类型 GaN器件性能对比 硅基和碳化硅基的器件将率 先商用 ：虽然基于 GaN衬底的 GaN器件 ， 在各个性能指标都 处于领先水平 ， 但是衬底价格 过高 。 所以硅基和碳化硅基的 GaN器件将会率先商 用 。 氮化镓材料性能优异，应用市场广泛 数据来源： Yole，聚力成，平安证券研究所 8 以氮化镓为材料的功率半导体器件可广泛应用 于工业 、 通信 、 计算机 、 消费电子 、 汽车电子 、 航空航天 、 国防军工等传统产业领 域 。 氮化镓 （ GaN） 可同时涵盖射频和功率领域 ， 特别 是在高功率和高频率领域应用效果特别出色 ， 与其 他化合物半导体材料相比 ， 具有较高投资价 值 。 主要半导体材料的功率范围和频率范围对比 SiC 最大功 率： W 0.1 1 10 100 1000 10000 101 100 200 频率： GHz GaAs Si GaN InP 氮化镓应用领域 消费电子 汽车电子 数据中心 5G基站 政策东风助力第三代半导体产业发展 数据来源：国务院，发改委，工信部，平安证券研究所 9 时间 发布部门 政策 要点 2021年 1月 发改委 产业结构调整指导目 录 支持产业：半导体、光电子器件、新型电子元器件（片式元器件、 电力电子器件、光电子器件、敏感元器件及传感器、新型机电元件、 高频微波印制电路板、高速通信电路板、柔性电路板、高性能覆铜 板等）等电子产品用材 2020年 11月 发改委，商 务部 鼓励外商投资产业目 录 支持引进：化合物半导体材料（砷化镓、磷化镓、磷化铟、氮化 镓），碳化硅（ SiC）超细粉体（纯度 99%，平均粒径 1m ）、 氮化硅（ Si3N4）超细粉体（纯度 99%，平均粒径 1m ） 2020年 7月 国务院 新时期促进集成电路 和软件产业高质量发展 的若干政策 国家鼓励的集成电路设计、装备、材料、封装、测试企业和软件企 业，自获利年度起，第一年至第二年免征企业所得税，第三年至第 五年按照 25%的法定税率减半征收企业所得税 2019年 12月 工信部 重点新材料首批次应用示范指导目录 推荐材料：氮化镓单晶衬底、功率器件用氮化镓外延片、碳化硅外 延片、碳化硅单晶衬底、碳化硅陶瓷膜过滤材料、立方碳化硅微粉、 氧化铝陶瓷粉体及基板 目录 CO N T E NT S 射频通信 ： 5G通信驱动技术升级， GaN将逐步替代 LDMOS 或跃于渊： GaN将领跑第三代化合物半导体市场 功率器件 ：消费电子率先突破，中高压领域或后来居上 10 投资建议及风险提示 5G移动通信概述 11 数据来源： Comba， CAICT，平安证券研究所 增强移动宽带 （ eMBB） 主要面向移动互联 网流量爆炸式增长 ， 为移动互联网用户提 供更加极致的应用体 验 。 超高可靠低时延通信 (uRLLC)主要面向工 业控制 、 远程医疗 、 自动驾驶等对时延和 可靠性具有极高要求的垂直行业应用需 求 。 海量机器类通信 （ mMTC） 主要面向智慧城 市 、 智能家居 、 环境监测等以传感和数据 采集为目标的应用需求 。 用户速率大幅提升： 5G用 户体验速率可达 100Mbps至 1Gbps， 是 4G的 10倍以 上 。 传输时延大幅减少： 空口 时延低至 1ms， 是 4G的 1/10 连接密度大幅增加： 连接 数密度可达到 100万连接 / 平方公里 ， 在同等频谱资 源条件下达到 4G的 50倍 。 5G移动通信三大应用场景 5G移动通信系统性能指标 5G移动通信频段分配情况 氮化镓将成为 5G射频器件的主要材料 数据来源： Yole，苏州能讯，平安证券研究所 12 5G主要技术对半导体材料的需求 正是由于 GaN优秀的材料特质 ， 毫米波 、 Massive- MIMO、 波束合成以及载波聚合等 5G移动通信中使用 到的核心基础技术最后都将使用 GaN材料制作功率放 大器产 品 。 根据业内公司发布的实验数据显示：使用 GaN制 作的功放产品的输出功率和效率都显著优于其他 材料 （ GaAs、 LDMOS） 制作的功放产品；频率响应 曲线的平坦持续范围最 宽 。 GaN与各类材料在输出功率和效率维度的对比 GaN材料在射频产品的渗透率将逐步提升 数据来源： Yole，平安证券研究所 13 射频器件材料主要有三种： GaAs ， 基于 Si 的 LDMOS以及 GaN 。 GaAs器件的缺点是器件功率较低 ， 低于 50W； LDMOS 器件的缺点是工作频率存在极限 ， 最高有效频率在 3GHz以下； GaN弥补了 GaAs和 Si基 LDMOS两种 老式技术之间的缺陷 ， 在体现 GaAs 高频性能的同时 ， 结合了 Si基 LDMOS的功率处理能 力 。 随着 GaN材料工艺的成熟和成本的下降 ， GaN在射频市场的渗透率将提升 ， 预计到 2025年将达到 50%左 右 。 主要射频材料的市场渗透率预测主要射频材料的功率性能对比 全球 GaN射频器件市场将保持 12%的增速，预计 2025年达 20亿美元 数据来源： Yole，平安证券研究所 14 全球 GaN射频器件市场规模 全球 GaN射频器件市场行业结构 根据法国 Yole公司发布的数据显 示 ， 2019年 -2025年 ， GaN射频器 件市场将保持 12%的增速增长 ， 预 计 2025年达 20亿美 元 。 通信和军工是推动 GaN射频器 件市场增长的主要驱动力 ， 2025年通信市场规模占比 36.6%,军工占比 55.5%。 2025年 ， 全球通信射频前端市 场规模将达 36亿美元 ， 其中功 放市场 15亿美元 ， GaN在功放市 场的渗透率将超过 50%。 GaN-on-SiC射频产业链 数据来源：苏州能讯，聚力成，吴越半导体，平安证券研究所 15 SiC衬底 Gan-on-SiC外延片 设计 国内厂商 ：三安光电 ， 山东天岳 ， 天科合达 ， 河北同光 ， 中科节能 国外厂商 ：科力 、 高 意 ， 罗姆 ， Dupont， SiCrystal 晶圆制造 国内厂商 ：苏州晶湛 ， 三安光电 ， 晶能光电 ， 聚力成 国外厂商 ： Nironex， EpiGaN， IQE， Allos， Episil（ 中资收购 ） 国内厂商 ：安谱隆 ， 锐迪科 、 海思半导体 国外厂商 ： EPC ， Dialog,Macom,RFHIC ,Gan Systems 国内厂商 ：三安集成 ， 海威华芯 国外厂商 ： Ascatron， X-Fab,世界先进 IDM国内厂商 ：中电科 13所 ， 士兰微 ， 能讯半导体 ， 英诺赛科 、 大连新冠 IDM国外厂商 ： Cree， 英飞凌 ， NXP， 住友电工 ， Qorvo， Onsemi GaN射频器件制造需要在效率、线性度和增益三者间取得平衡 数据来源：苏州能讯，平安证券研究所 16 线 性 度 增 益 效 率 高迁移率高均匀性外 延生长技术 高精度非线性模型 高精度瞬态热阻模型 基于量子阱结构调制 的非线性控制技术 基于深能级谱调制的 记忆效应控制技术 谐波控制技术 先进的钝化介质薄膜 生长技术 能带工程设计 低欧姆接触技术 低寄生电容场板结构 设计 宽带 Doherty技术 适用于 GaN的内匹配设计 多路源极通孔设计 高增益器件结构设计 氮化镓射频器件的主要功能是对小信号进行 放大 ， 主要指标有效率 、 线性度和增益三 个： 效率：越高越好 ， 转化成有用信号的能量比 率越高 ， 转化成热量的能量比率越低 ， 功率 放大器的性能就越 好 。 线性度：线性度越好 ， 信号失真可能性越 小 。 增益：功放输入输出功率的比值 ， 也就是放 大倍数增益越高 ， 信号放大能力就越 强 。 国产 5G射频 PA供应商在华为和中兴的市场占比有待提升 数据来源：苏州能讯，平安证券研究所 17 全球 5G射频 GaN PA供应商 华为 5G射频 GaN PA供应商 中兴 5G射频 GaN PA供应商 全球主要的 5G射频 GaN PA供应商主要有：恩智浦 、 住友电工 、 威 讯联合 、 狼速 ， 中电科 13所和苏州能讯 6家 。 华为公司主要采用住友电工 GaN-on-GaN的方案 ， 成本较高 ， 性能 较低一些；中兴公司主要采用 GaN-on-SiC的方 案 。 总体来看 ， 中电科 13所以及苏州能讯两家公司的份额占比较低 ， 未来有进一步提升的空 间 。 目录 CO N T E NT S 射频通信 ： 5G通信驱动技术升级， GaN将逐步替代 LDMOS 或跃于渊： GaN将领跑第三代化合物半导体市场 功率器件 ：消费电子率先突破，中高压领域或后来居上 18 投资建议及风险提示 提高效率并实现小型化是 GaN在功率器件领域的目标 数据来 源 ： WIND，平 安证券研究所 19 应用场景 效率改善情况 改善度（与硅基器件相比） 变压器（ DC-DC） 85%-95% 提升 10个百分点 整流器（ AC-DC） 85%-90% 提升 5个百分点 逆变器（ DC-AC） 96%-99% 提升 3个百分点 氮化镓功率器件的特性 氮化镓功率器件在部分场景的效率改善情况 GaN器件的转换效率高： 由于导通电阻小 ， 使用 GaN器件 制作的功率器件转换效率将显著提升 ， 显著降低电力损 耗情况 ， 达到节能的效 果 。 GaN器件的体积将显著降低： 由于导通电阻小 、 可在高 温环境下共奏以及效应速度快 ， 器件体积将显著降 低 。 GaN功率器件有望在低压领域代替硅基功率器件 数据来源：聚力成，平安证券研究所 20 全球 功率器件市场规模 全球 功率器件市场结构 GaN功率器件在中低压领域优势较为明显： 由于 SiC衬 底价格比较昂贵 ， 目前大多数 GaN功率器件均采用 Si衬 底；采用 GaN-on-Si的功率器件工作电压在 1000V以下 ， 成本在 1美金左右 。 因此 ， GaN功率器件在低压领域 （ 0-900V） 首先商用 ， 替代传统的硅基功率器 件 。 潜在市场规模约 300亿美元： 按照工作电压 来分类 ， 全球功率器件的 68%左右应用在 0- 900V的低压领域；以 2021年 442亿美元的功率 器件市场来看 ， GaN功率器件的潜在市场规模 约 300亿美 元 。 GaN功率器件将在快充和服务器领域率先使用 数据来源： Yole，聚力成，平安证券研究所 21 10W 100W 1KW 10KW 100KW 1MW 应 用 功 率 30V 100V 300V 600V 1200V 3300V 6500V 工作电压 无线充电 高级音响 手机电源 笔记本电源 电视电源 服务器电源 新能源车电源 太阳能逆变器 工业电源 驱动，逆 变器， UPS 风能电机 高铁 变配电 GaN器件目前 可进入的领域 SiC器件的 目标领域 GaN功率器件在充电器产品的潜在市场规模约 80亿美金 数据来源：聚力成，平安证券研究所 22 GaN器件制作的充电器体积小 、 重 量轻 ， 在发热量 、 转换效率上比硅 基器件制作的充电器有显著的优势 ， 大大改善了用户的使用体 验 。 2019年 1月 2019年 12月 2020年 1月 2020年 2月 2020年 3月 2020年 4月 2020年 5月 GaN功率器件的应用目标主 要为笔记本电脑 、 手机 、 平 板等电源；目前来看 ， 基于 GaN的充电器将成为首 选 。 国内氮化镓充电器商用进程 全球每年充电器销售量大约为 40 亿只 ， 按照每个充电器使用 2个芯 片 ， 每芯片 1美金估算 ， GaN在快 充市场潜在规模大约为 80亿美 金 。 GaN功率器件在数据中心行业具有可观的降本增效空间 数据来源： 聚力成， 平安证券研究所 23 氮化镓电源的应用将提升机柜内服务器使用空间服务器：氮化镓电源与 硅基电源 的功率密度对应 提升效率： GaN器件制作的服 务器电源 ， 相比于硅基产品 ， 功率密度可以提升 2.8倍 ， 转换 效率可以提升 7个百分 点 。 降低成本： 服务器用电是数据 中心最主要的成本 ， 占比约 50% 左右 ， 使用 GaN电源后 ， 单机柜 年度电费可降低 2400元 。 提高收入： 使用 GaN电源后 ， 单 机柜可装服务器数量由 30个提升 到 34个 ， 对于 IDC服务商来说 ， 单机柜租金增长空间约 13%。 GaN功率器件在新能源车领域的应用可能提前 数据来源： Yole， IMEC，平安证券研究所 24 由于硅基 GaN功率器件的工作电压较低 ， 而耐 高压的 SiC基 GaN功率器件又比较贵 ， 因此法国 Yole公司预估 ， GaN功率器件要到 2025年后 ， 才 有可能在电动车上部 署 。 Yole公司发布的 GaN功率器件应用路线图 IMEC发布的 硅基 GaN功率器件工作电压图 GaN功率器件在新能源车上的应用将提前 ： IMEC实验室在 4月 29日宣布了工作电压可达 1200V的硅基 GaN外延片；若是商业化顺利 ， 硅 基 GaN功率器件在新能源车上的应用将提 前 。 全球 GaN功率器件市场将保持 70%的增速，预计 2025年达 11亿美元 数据来源： Yole，平安证券研究所 25 根据法国 Yole公司发布的数据显 示 ， 2020年 -2026年 ， GaN功率器 件市场将保持 70%的增速增长 ， 预 计 2026年达 11亿美 元 。 通信和消费电子是推动 GaN功 率器件市场增长的主要驱动力 ， 2026年通信市场规模占比 20.3%,消费电子占比 61.1%。 传统车和新能源车会是 GaN功 率器件应用的一个全新场景 ， 2026年 ， 市场规模会从 2020年 的 30万美元增加到 1.6亿美 元 。 全球 GaN功率器件市场规模 全球 GaN功率器件市场行业结构 GaN-on-Si产业链 数据来源：苏州能讯，聚力成，吴越半导体，平安证券研究所 26 Si衬底 Gan-on-Si外延片 设计 中国厂 商 ：中环股份 ， 沪硅产业 ， 中辰矽晶 ， 国盛电子 国外厂商 ：住友电工 ， 信越化学 ， 三菱化学 ， 世创电子 晶圆制造 中国厂商 ：聚力成 ， 苏州晶湛 国外厂商 ： NTT住友电工 在全球 GaN 衬底的市场份额处于第一位 ， 其技术 在业内处于领先地 位 。 Navitas：全球快充市场领先的 GaN功率芯片供应商 数据来源： 公司官网 ，平安证券研究所 37 Navitas公司芯片性能 Navitas公司产品优势 Navitas是全球第一家氮化镓功率芯片公司 ， 成立 于 2014年 。 公司在材料 、 器件 、 IC设计 、 应用 、 系统和营销方面拥有领先的经验 ， 创始人拥有超过 300项专 利 。 截至 2021年 4月 1日 ， 公司 GaNFast氮化镓功率 芯片出货量超过 1800万片 ， 市场占有率达 60%； 2021年 5月 7日 ， 公司宣布将通过 SPAC方式 ， 以 10.4亿美元估值上市 Qorvo：全球重要的功率放大器供货商 数据来源： Wind，平安证券研究所 38 公司是全球重要的功频放大器供应商 ， 从移动 终端到通信基站 ， 均可以为客户所需射频产品提 供核心技术 ， 客户有华为 、 苹果 、 三星 、 联想 、 小米 、 OPPO、 Vivo、 高 通 。 Qorvo公司收入情况 公司是全球领先的 GaN RF供应商 ， 自 1999 年 起就一直在推动 GaN研究和创新；开发了适用于 5G通信的新型 GaN-on-SiC毫米波前端模块 ， 能 够提高整体功率输出 ， 实现更高效的散 热 。 Qorvo公司收入行业结构情况 注： Qorvo财年为上年 3月到当年 3月 三安光电：国内布局最完整的化合物半导体公司 数据来源： Wind，公司官网，平安证券研究所 39 三安光电收入情况 公司主要从事全色系超高亮度 LED外延片 、 芯片 、 - 族化合物半导体材料 、 微波通讯集成电路 与功率器件 、 光通讯元器件等的研发 、 生产与销 售； 2020年收入规模达 84.5亿 元 。 三安光电产业布局情况 2018年 ， 公司在福建泉州斥资 333亿元投资 - 族化合物半导体材料 、 LED外延 、 芯片 、 微波集成 电路 、 光通信 、 射频滤波器 、 电力电子 、 SIC材料 及器件 、 特种封装等产 业 。 风险提示 40 电子信息团队 行业 分析师 邮箱 资格类型 编号 通信 朱琨 投资咨询 S1060518010003 机械 吴文成 投资咨询 S1060519100002 电子 徐勇 投资咨询 S1060519090004 计算机 付强 投资咨询 S1060520070001闫磊 投资咨询 S1060517070006 1、 国内 运营商资 运营商 5G建 设 再放缓 的 风险 运营商 5G建设若 再放缓 ， 将使基站出货量不及预 期 ， 从而将使得 SiC基 GaN射频器件需求不及预 期 。 2、 中美贸易摩擦的风险 国内射频器件厂商的 SiC衬底主要来自美国公司 ， 若 是出现断供的情况 ， 将使得产品出货 量不及预期 。 3、 消费电子产品出货量不及预期的风险 Si基 GaN产品目前主要用于消费电子产品的充电器 ， 若是全球疫情再次出现反弹 ， 将使得消费电子产品出货量 再次下调 ， Si基 GaN产品需求将不及预 期 。 41 股票投资评级 : 强烈推荐 （ 预计 6个月内 ， 股价表现强于沪深 300指数 20%以上 ） 推 荐 （ 预计 6个月内 ， 股价表现强于沪深 300指数 10%至 20%之间 ） 中 性 （ 预计 6个月内 ， 股价表现相对沪深 300指数在 10%之间 ） 回 避 （ 预计 6个月内 ， 股价表现弱于沪深 300指数 10%以上 ） 行业投资评级 : 强于大市 （ 预计 6个月内 ， 行业指数表现强于沪深 300指数 5%以上 ） 中 性 （ 预计 6个月内 ， 行业指数表现相对沪深 300指数在 5%之间 ） 弱于大市 （ 预计 6个月内 ， 行业指数表现弱于沪深 300指数 5%以上 ） 公司声明及风险提示： 负责撰写此报告的分析师 （ 一人或多人 ） 就本研究报告确认：本人具有中国证券业协会授予的证券投资咨询执业资格 。 本公司研究报告是针对与公司签署服务协议的签约客户的专属研究产品 ， 为该类客户进行投资决策时提供辅助和参考 ， 双方对权利与义务均有严格约定 。 本公司研究报告仅提供给上述特定 客户 ， 并不面向公众发布 。 未经书面授权刊载或者转发的 ， 本公司将采取维权措施追究其侵权责任 。 证券市场是一个风险无时不在的市场 。 您在进行证券交易时存在赢利的可能 ， 也存在亏损的风险 。 请您务必对此有清醒的认识 ， 认真考虑是否进行证券交易 。 市场有风险 ， 投资需谨慎 。 免责条款： 此报告旨为发给平安证券股份有限公司 （ 以下简称 “ 平安证券 ” ） 的特定客户及其他专业人士 。 未经平安证券事先书面明文批准 ， 不得更改或以任何方式传送 、 复印或派发此报告的材料 、 内容及其复印本予任何其他人 。 此报告所载资料的来源及观点的出处皆被平安证券认为可靠 ， 但平安证券不能担保其准确性或完整性 ， 报告中的信息或所表达观点不构成所述证券买卖的出价或询价 ， 报告内容仅供参考 。 平安证券不对因使用此报告的材料而引致的损失而负上任何责任 ， 除非法律法规有明确规定 。 客户并不能仅依靠此报告而取代行使独立判断 。 平安证券可发出其它与本报告所载资料不一致及有不同结论的报告 。 本报告及该等报告反映编写分析员的不同设想 、 见解及分析方法 。 报告所载资料 、 意见及推测仅反映分析员于发出此报 告日期当日的判断 ， 可随时更改 。 此报告所指的证券价格 、 价值及收入可跌可升 。 为免生疑问 ， 此报告所载观点并不代表平安证券的立场 。 平安证券在法律许可的情况下可能参与此报告所提及的发行商的投资银行业务或投资其发行的证券 。 平安证券股份有限公 司 2021版 权所有 。 保留一切权利 。