光刻机半导体制造皇冠上的明珠.pdf

请仔细阅读本报告末页声明 证券研究报 告 | 行业深度 2021 年 07 月 19 日 电子 半导体设备系列： 光刻 机 ， 半导体 制造 皇冠上的明珠 光刻：将掩膜板上的图形曝光至预涂了光刻胶的晶圆表面上。 光刻胶（正胶） 受到照射的部分，将发生化学变化，从而易溶于显影液。光刻机是芯片制造 的支柱设备，一般分为准直透镜系统（ EUV 除外）、掩膜板对准系统、曝光 系统等。光刻机设备的核心零部件包括光源、镜头以及精密结构等。 光刻机演变史，目前以步进式为主， EUV 应用于先进制程。 光刻机在 1985 年之前，以 g 线（ 436nm）为主； 1985 年以后，出现少量 i 线（ 365nm） 光刻机； 1990 年开始出现 DUV 光刻机；踏入 21 世纪， 193nm 的深紫外线 开始使用。 13.5nm 的 EUV 在近十年兴起，应用于先进制程。 EUV 的高分辨 率大幅降 低重复曝光所需要的沉积、刻蚀等工艺步骤。 光刻机从分类方式的 演变，从接触式向接近式，最后演变成步进式为主。 2020 年，全球光刻机市场约 135 亿美元，占全球半导体制造设备市场 21%。 光刻机市场一直以来在全球设备市场中的比重都较高，具有较高技 术难度，并且单台设备价值量也较高，属于半导体制造设备的“皇冠”。 光刻机单机价值量高，每年出货数量约 300400 台，其中 EUV 的供应比 较有限。 根据 ASML、 Nikon、 Canon 三家光刻机财报数据统计，近两年全 球光刻机每年出货量大约在 300400 台之间，整体均价约 0.3 亿美元。其 中主要产品是 KrF 约 90100 台， ArFi 约 90100 台。近几年 EUV 出货量在 逐步增长，全球仅有 ASML 具备供应能力，每年出货 3050 台，均价超过 1 亿美元。 ASML 主导全球光刻机市场。 从光刻机格局来看， 2020 年 ASML 占据全球 光刻机市场 84%的市场空间， Nikon 约 7%， Canon 约 5%。 ASML 具有高 度的垄断地位，并且由于 EUV 跨越式的升级进步， ASML 在技术上的领先性 更加明显。 全球光刻机龙头 ASML，高研发、高利润率。 ASML 在 2020 年营业收入 140 亿美元，其中 75%的收入来自于 销售设备， 25%的收入来自于服务。公司 综合毛利率 52%，营业利润率 35%，净利率 32%。全年平均 ROE 约 27%。 公司研发投入 22 亿美元，占比约 16%。 ASML 保持高强度研发投入，并且 服务收入占比不断提高，巩固垄断地位。 上海微 90nm光刻机项目已经正式通过验收。 上海微在 2002年成立。 2006 年公司光刻机产品注册商标获得国家工商局批准。 2008 年十五光刻机重 大科技专项通过了国家科技部组织的验收。 2009 年交付首台先进封装光 刻机产品。 2013 年公司国产首台用于 2.5 代 AM-OLED TFT 电路制造的 光刻机成功交付用户。 2016 年，公司首台暨国内首台前道扫描光 刻机交 付用户。 2018 年，公司 90nm 光刻机项目通过正式验收。 风险提示 ： 国产替代进展不及预期、全球贸易纷争影响、下游需求不确定性。 增持 （ 维持 ） 行业 走势 作者 分析师 郑震湘 执业证书编号： S0680518120002 邮箱： 分析师 佘凌星 执业证书编号： S0680520010001 邮箱： 分析师 陈永亮 执业证书编号： S0680520080002 邮箱： 相关研究 1、电子：半导体景气度高涨，国产化黄金机遇 2021-07-18 2、电子：半导体设备系列：刻蚀主赛道，有望加速导 入国产设备 2021-07-06 3、电子：晶圆厂满载， Capex 上修，设备材料迎国产 化黄金机遇 2021-07-04 -16% 0% 16% 32% 2020-07 2020-11 2021-03 2021-07 电子 沪深 300 2021 年 07 月 19 日 P.2 请仔细阅读本报告末页声明 内容目录 一、光刻机：芯片制造的支柱设备 . 3 二、 “皇冠 ”设备，巨人主导 . 6 三、国内产线光刻机采购主要来自于 ASML . 10 四、全球龙头 ASML，具有极高护城河 . 11 五、国内上海微布局前道光刻机设备 . 14 六、风险提示 . 15 图表目录 图表 1： ASML 光刻机原理 . 3 图表 2： EUV 光刻机折射路线 . 3 图表 3：光刻机类别 . 4 图表 4：光刻机技术特点 . 4 图表 5：光刻机类别 . 5 图表 6：光刻机对应解析度需求 . 5 图表 7：光刻胶分类 . 6 图表 8：集成电路光刻和刻蚀工艺流程 . 6 图表 9：全球半导体设备季度销售额（亿美元） . 7 图表 10：全球半导体设备分地域季度销售额（亿美元） . 7 图表 11：半导体 设备市场增速周期性 . 8 图表 12：刻蚀在晶圆设备市场比重提升 . 8 图表 13：全球光刻机出货量（左；台）及均价（右；百万美元） . 9 图表 14：全球 EUV 光刻机出货量（台） . 9 图表 15：全球光刻机市场格局 （百万美元） . 10 图表 16：长江存储中标光刻机情况（以机台数量计算） . 10 图表 17：华虹无锡中标光刻机情况（以机台数量计算） . 11 图表 18：华力 Fab6 中标光刻机情况（以机台数量计算） . 11 图表 19： ASML 季度营收数据 . 12 图表 20： ASML 光刻机销售数量（台） . 12 图表 21： 2020 年 ASML 光刻机业务收入结构 . 13 图表 22： ASML 单季度 Book-to-Bill Ratio . 13 图表 23： ASML 发展历史中几个重要分水岭 . 14 图表 24：上海微电子 600 系列光刻机 . 15 图表 25：上海微电子 600 系列光刻机主要技术参数 . 15 2021 年 07 月 19 日 P.3 请仔细阅读本报告末页声明 一、 光刻 机 ：芯片制造的支柱设备 光刻定义：将掩膜板上的图形曝光至预涂了光刻胶的晶圆表面上。 光刻胶（正胶）受到 照射的部分，将发生化学变化，从而易溶于显影液。 光刻机是芯片制造的支柱设备 ，一 般分为准直透镜系统（ EUV 除外）、掩膜板对准系统、曝光系统等。光刻机 设备 的核心 零 部件 包括光源、镜头以及精密结构等。 ASML 典型的沉浸式步进扫描光刻机 工作原理： 首先是激光器发光，经过矫正、能量控 制器、光束成型装置等之后进入光掩膜台，上面放的就设计公司做好的光掩膜，之后经 过物镜投射到曝光台 。 图表 1： ASML 光刻机原理 资料来源： 电子发烧友 、 国盛证券研究所 图表 2： EUV 光刻机折射路线 资料来源： 电子发烧友 、 国盛证券研究所 2021 年 07 月 19 日 P.4 请仔细阅读本报告末页声明 光刻行业的关键定理 瑞利公式： CD=k1*( /NA)。 CD 为关键尺寸，为了降低 CD， 有三种方式：（ 1）降低波长；（ 2）提高镜头的数值孔径 NA；（ 3）降低综合因素 k1。 生产参数：（ 1）分辨率：可达的最小光刻图形尺寸；（ 2）套准精度：图形尺寸在亚微米 数量级上，套刻误差在特征尺寸 10%；（ 3）产率：对给定掩膜板，每小时能曝光的晶片 数量。 光刻机演变史，目前以步进式为主， EUV 应用于先进制程。 光刻机在 1985 年之前，以 g 线（ 436nm）为主； 1985 年以后，出现少量 i 线（ 365nm）光刻机； 1990 年开始出现 DUV 光刻机；踏入 21 世纪， 193nm 的深紫外线开始使用。 13.5nm 的 EUV 在近十年兴 起，应用于先进制程。 光刻机从分类方式的演变，从接触式向接近式，最后演变成步进 式为主。 EUV 的高分辨率大幅降低重复曝光所需要的沉积、刻蚀等工艺步骤。 利用 ArF 的 193nm 光源从 1990 年出现，然而在进一步推进更短波长的 157nm 受到技术阻碍，镜片和光刻 胶都需要重新研制，因此当时成本更低的浸入式 193nm 技术通过改良的方案成为了主流。 在水中 193nm 的光波长这射程 134nm，通过不断提升 NA 的方法，并重复曝光，一直 用到了 7m。直到 13.5nm 波长的 EUV 成功商用，大幅提升了光刻机分辨率。同样的 7nm 工艺，使用 EUV 技术后，晶体管密度和性能都更好。 TSMC 7nm EUV（ N7+）工艺比 7nm 工艺提升 20%的密度、 10%的性能或降低 15%的功耗。 图表 3： 光刻机类别 资料来源： 集成电路产业全书 、 国盛证券研究所 图表 4： 光刻机技术特点 资料来源： 半导体行业观察 、 国盛证券研究所 2021 年 07 月 19 日 P.5 请仔细阅读本报告末页声明 根据 ASML 的技术路径图， EUV 在逻辑领域的 7nm、 DRAM 领域的 1Z 开始使用。 图表 5： 光刻机类别 资料来源： ASML 公告 、 国盛证券研究所 图表 6： 光刻机对应解析度需求 资料来源： ASML 公告 、 国盛证券研究所 在光刻机曝光下，光刻胶（未）被曝光的部分将溶于显影液，从而实现将图形从掩膜板 转移至光刻胶，并在后续的刻蚀环节将图形进一步转移至薄膜。 根据反应机理和显影原 理，可以将光刻胶分为正性光刻胶和负性光刻胶。正性光刻胶形成的图形与掩膜版（光 罩）相同，负性光刻胶显影时形成的图形与掩膜版相反。根据感光树脂的化学结构，光 刻胶可分为光聚合型，光分解型和光交联型。 2021 年 07 月 19 日 P.6 请仔细阅读本报告末页声明 图表 7： 光刻胶分类 分类标准 具体类别 备注 应用领域 IC 光刻胶 g 线光刻胶、 i 线光刻胶、 KrF 光刻胶、 Arf 光刻胶、聚酰亚胺光刻胶、掩模版光刻胶等 PCB 光刻胶 干膜光刻胶、湿膜光刻胶、光成像阻焊油墨等 LCD 光刻胶 彩色光刻胶及黑色光刻胶、 LCD 衬垫料光刻胶、 TFT 配线用光刻胶等 按曝光波长 g 线 曝光波长： 436mm 对应集成电路尺寸： 0.5 m 以上适用芯片： 6 寸 i 线 曝光波长： 365nm 对应集成电路尺寸： 0.5-0.35 m 适用芯片： 6 寸 ， 8 寸， 12 寸 KrF 曝光波长： 248mm 对应集成电路尺寸： 0.25-0.15 m 适用芯片： 8 寸 ， 12 寸 Ar 曝光波长： 193nm 对应集成电路尺寸： 65-130nm 适用芯片： 12 寸 EUV 曝光波长： 134nm 对应集成电路尺寸： 32nm 以下适用芯片： 12 寸及以上 按相应紫外线的 特征 正性胶 未曝光的部分溶于显影液高分辨率，抗干法蚀刻性强，耐热性好，去胶方便，台阶覆盖度好，对比度好，随着 2-5 m 图形尺寸出现，正胶分辨率优势逐渐凸显 负 性胶 曝光的部分溶于显影液，抗酸抗碱，粘附性好，热稳定性好，感光速度快 资料来源：赛瑞研究，前瞻产业研究院整理，国盛证券研究所 图表 8：集成电路光刻和刻蚀工艺流程 资料来源： 晶瑞股份招股说明书， 国盛证券研究所 二、 “皇冠”设备，巨人主导 2020 年 全球半导体设备市场规模 创 700 亿美元新高 ，大陆 首次占比全球第一。 根据 SEMI， 2020 年半导体设备销售额 712 亿美元，同比增长 19%，全年销售额创历史新高。 大陆设备市场在 2013 年之前占全球比重为 10%以内， 20142017 年提升至 1020%， 2018 年之后保持在 20%以上，份额呈逐年上行趋势。 2020 年， 国内晶圆厂投建、半导 体行业加大投入， 大陆半导体设备市场规模首次在市场全球排首位，达到 181 亿美元， 同比增长 35.1%，占比 26.2%。 20212022 年，存储需求复苏，韩国 预计将 领跑全球， 2021 年 07 月 19 日 P.7 请仔细阅读本报告末页声明 但大陆设备市场规模 有望保持较高比重。 图表 9： 全球半导体设备 季度 销售额（亿美元） 资料来源： SEMI，国盛证券研究所 图表 10： 全球半导体设备 分地域季度 销售额（亿美元） 资料来源： SEMI，国盛证券研究所 半导体设备行业产值 具有高增长、高波动性。 半导体设备行业呈现明显的周期性，受下 游厂商资本开支节奏变化较为明显。 根据 SEMI 数据，从长周期而言 半导体行业复合增 速约 10%，半导体设备行业复合增速约 13%，半导体设备行业增长弹性高于半导体行 业。 -30% -20% -10% 0% 10% 20% 30% 40% 50% 60% 70% 0 50 100 150 200 250 2016-03 2016-09 2017-03 2017-09 2018-03 2018-09 2019-03 2019-09 2020-03 2020-09 全球半导体设备销售额 大陆占比 全球半导体设备季度销售额 yoy 0 50 100 150 200 250 2016-03 2016-09 2017-03 2017-09 2018-03 2018-09 2019-03 2019-09 2020-03 2020-09 其他地区 中国大陆 中国台湾 韩国 欧洲 北美 日本 2021 年 07 月 19 日 P.8 请仔细阅读本报告末页声明 图表 11： 半导体设备市场增速周期性 资料来源： SEMI，国盛证券研究所 2020 年，全球光刻机市场约 135 亿美元，占全球半导体制造设备市场 21%。 光刻机 市场一直以来在全球设备市场中的比重都较高，具有较高技术难度，并且单台设备价值 量也较高，属于半导体制造设备的“皇冠”。 图表 12：刻蚀在晶圆设备市场比重提升 资料来源： semi、 国盛证券研究所 光刻机单机价值量高，每年出货数量约 300400 台。 根据 ASML、 Nikon、 Canon 三家 光刻机财报数据统计，近两年全球光刻机每年出货量大约在 300400 台之间，整体均价 约 0.3 亿美元。其中主要产品是 KrF 约 90100 台， ArFi 约 90100 台。近几年 EUV 出 货量在逐步增长，全球仅有 ASML 具备供应能力，每年出货 3050 台，均价超过 1 亿美 元。 88% -18%-24% 23% 59% 23% 3%5% -10% 36% 45% 76% 8% -11% -25% 14% 85% -37% -29% 14% 52% 1% 19% 7% -30% -40% 25% -12%-6% 20% -1% 4% 41% 11% -2% 19% -60% -40% -20% 0% 20% 40% 60% 80% 100% 84858687888990919293949596979899 0 0102030405060708091011121314151617181920 2021 年 07 月 19 日 P.9 请仔细阅读本报告末页声明 图表 13： 全球光刻机出货量（左；台）及均价（右；百万美元） 资料来源： ASML、 Nikon、 Canon 财报统计数据 、 国盛证券研究所 光刻机的供给有限， 前三大 晶圆制造领先厂商占据大部分需求。 ASML 在 2020 年一共销 售 34 台 EUV 光刻机 ， 2021 年 EUV 光刻机的产能将增长到 4550 台。 从 历史 需求端来 看，全球 90%以上 的 EUV 光刻机由 TSMC、 Samsung、 Intel 三家 采购，其他诸如代工 厂 GobalFoundries、存储厂海力士、美光每年 最多采购 1 台光刻机。 图表 14： 全球 EUV 光刻机出货量（台） 资料来源： ASML、 TSMC、 Intel 公告数据统计 、 国盛证券研究所 ASML 主导全球光刻机市场。 从光刻机格局来看， 2020 年 ASML 占据全球光刻机市场 84%的市场空间， Nikon 约 7%， Canon 约 5%。 ASML 具有高度的垄断地位，并且由于 EUV 跨越式的升级进步， ASML 在技术上的领先性更加明显。 2021 年 07 月 19 日 P.10 请仔细阅读本报告末页声明 图表 15： 全球光刻机市场 格局 （百万美元） 资料来源： ASML、 Nikon、 Canon 财报统计数据 、 国盛证券研究所 三、 国内产线光刻机采购主要来自于 ASML 截止 2021-07，长江存储累计 公开 中标了 16 台光刻机，其中 ASML 供应 13 台，包括 3 台 浸没式光刻机、 1 台 ArF_Dry 光刻机、 8 台 248nm 的 KrF 光刻机以及 1 台 365nm 的 i 线光刻机； Canon 供应 3 台 i 线光刻机。 图表 16： 长江存储中标 光刻机情况 （以机台数量计算） 资料来源： 中国采招网 、 国盛证券研究所 截止 2021-07， 华虹无锡 累计 公开 中标了 16 台光刻机，其中 ASML 供应 15 台，包括 1 台浸没式光刻机、 1 台 ArF_Dry 光刻机、 8 台 248nm 的 KrF 光刻机以及 5 台 365nm 的 i 线光刻机； Canon 供应 1 台 ArF_Dry 光刻机。 2021 年 07 月 19 日 P.11 请仔细阅读本报告末页声明 图表 17： 华虹无锡中标光刻机情况 （以机台数量计算） 资料来源： 中国采招网 、 国盛证券研究所 截止 2021-07， 华力 Fab6 累计 公开 中标了 14 台光刻机， 全部由 ASML 供应 ，包括 5 台 浸没式光刻机、 7 台 248nm 的 KrF 光刻机以及 2 台 365nm 的 i 线光刻机。 图表 18： 华力 Fab6 中标光刻机情况（以机台数量计算） 资料来源： 中国采招网 、 国盛证券研究所 四、 全球龙头 ASML，具有极高护城河 全球光刻机龙头 ASML，高研发、高利润率。 ASML 在 2020 年营业收入 140 亿美元， 其中 75%的收入来自于 销售设备， 25%的收入来自于服务。公司综合毛利率 52%，营 业利润率 35%，净利率 32%。全年平均 ROE 约 27%。公司研发投入 22 亿美元，占比 约 16%。 ASML 保持 高强度研发投 入，并且服务收入占比不断提高，巩固垄断地位。 2021 年 07 月 19 日 P.12 请仔细阅读本报告末页声明 图表 19： ASML 季度营收数据 资料来源： 彭博 、 国盛证券研究所 图表 20： ASML 光刻机销售数量（台） 资料来源： 公司公告 、 国盛证券研究所 2021 年 07 月 19 日 P.13 请仔细阅读本报告末页声明 图表 21： 2020 年 ASML 光刻机业务收入结构 资料来源： 公司公告 、 国盛证券研究所 在手订单较高，光刻机供不应求。 从公司 BB 值角度， 2019 年至今新增订单需求合计约 278 亿欧元，已经销售金额合计约 224 亿欧元，相当于累计在手未销售订单超过 50 亿 欧元。 2020Q4 公司单季度 BB 值为 1.33， 2021Q1 公司单季度 BB 值为 1.51，季度之间 虽然存在波动，但可以判断目前公司光刻机供不应求，整体处于产能紧张、在手订单积 压的状况。 图表 22： ASML 单季度 Book-to-Bill Ratio 资料来源： 公司公告 、 国盛证券研究所 关键重大技术方向的正确选择，并且实现 技术突破：（ 1） 选择 浸润式技术超越 Nikon： Nikon、 Canon、 IBM 选择干刻路径。林本坚离职 IBM 加盟 TSMC， 2002 年研制出浸润 式技术， 2004年 ASML 与 TSMC 共同开发第一台浸润式设备， 5 年内获得 90%市场。 （ 2） 2021 年 07 月 19 日 P.14 请仔细阅读本报告末页声明 选择 EUV 技术垄断市场： Intel 联合美国顶级机构成立 EUV LLC，日本 Nikon 被排斥在 外， EUV 技术为 ASML 后续垄断市场埋下种子。 图表 23： ASML 发展历史中几个重要分水岭 资料来源： 中国采招网 、 国盛证券研究所 向上游，供应链整合 ，锁定核心零部件 ： EUV 核心技术集中在三大领域，顶级的光源（激 光系统）、高精度的镜头（物镜系统）、精密仪器制造技术（工作台）。 镜头： 绑定德国蔡 司。卡尔蔡司于 1846 年成立于德国，专注于高端光学镜头。 2016 年， ASML 以 10 亿 欧元收购蔡司子公司卡尔蔡司 SMT 24.9%股权，该协议主要目标是开发 EUV光刻系统。 光源： 2012 年收购美国 Cymer。 向下游，客户绑定 ，与全球顶尖制造厂合作 ： 2012 年 7 月， Intel 入股 ASML 15%股权， 并出资 10 亿美元支持研发。 2012 年 8 月， TSMC 入股 5%股权，承诺 5 年投入 2.76 亿 欧元 支持研发。 2012 年 8 月，三星入股 3%股权，并额外投入 2.75 亿欧元支持研发。 五、 国内 上海微布局前道光刻机设备 上海微电子装备 (集团 )股份有限公司主要致力于半导体装备、泛半导体装备、高端智能 装备的开发、设计、制造、销售及技术服务。 公司在 2002 年成立。 2006 年公司 光刻机 产品注册商标获得国家工商局批准。 2008 年十五光刻机 重大科技专项通过了国家科技部 组织的验收。 2009 年交付首台 先进封装光刻机产品 。 2013 年公司 国产首台用于 2.5 代 AM-OLED TFT 电路制造的 光刻机 成功交付用户。 2016 年， 公司首台暨国内首台前道扫 描光刻机交付用户。 2018 年，公司 90nm 光刻机项目通过正式验收。 公司 建立了产品开发过程的技术创新以及知识产权保护的制度程序与管理组织体系，并 于 2015 年通过 GB/T29490-2013 国家知识产权管理体系审核认证，体系涵盖了产品的 预研、设计、制造以及市场投放等全过程。 SSX600 系列步进扫描投影光刻机采用四倍缩小倍率的投影物镜、工艺自适应调焦调平 技术，以及高速高精的自减振六自由度工件台掩模台技术，可满足 IC 前道制造 90nm、 110nm、 280nm 关键层和非关键层的光刻工艺需 求。该设备可用于 8 寸线或 12 寸线的 大规模工业生产。 2021 年 07 月 19 日 P.15 请仔细阅读本报告末页声明 图表 24： 上海微电子 600 系列光刻机 资料来源： 公司官网 、 国盛证券研究所 图表 25： 上海微电子 600 系列光刻机 主要技术参数 资料来源： 公司官网 、 国盛证券研究所 六、 风险提示 国产替代进展不及预期： 半导体设备及材料新技术难度较高，验证周期较长，具有一定 的不确定性 全球贸易纷争影响： 全球贸易纷争存在不确定性，尤其是科技领域竞争激烈，导致科技 产业链具有不稳定性 下游需求不确定性： 全球经济受疫情影响，下游需求存在不确定性 2021 年 07 月 19 日 P.16 请仔细阅读本报告末页声明 免责声明 国盛证券有限责任公司（以下简称 “本公司 ”）具有中国证监会许可的证券投资咨询业务资格。本报告仅供本公司的 客户使 用。本公司不会因接收人收到本报告而视其为客户。在任何情况下，本公司不对任何人因使用本报告中的任何内容所引致 的任何损失负任何责任。 本报告的信息均来源于本公司认为可信的公开资料，但本公司及其研究人员对该等信息的准确性及完整性不作任何保证。 本报告中的资料、意见及预测仅反映本公司于发布本报告当日的判断，可能会随时调整。在不同时期，本公司可发出与本 报告所载资料、意见及推测不一致的报告。本公司不保证本报告所含信息及资料保持在最新状态，对本报告所含信息可在 不发出通知的情形下做出修改，投资者应当自行关注相应的更新或 修改。 本公司力求报告内容客观、公正，但本报告所载的资料、工具、意见、信息及推测只提供给客户作参考之用，不构成任何 投资、法律、会计或税务的最终操作建议 ,本公司不就报告中的内容对最终操作建议做出任何担保。本报告中所指的投资 及服务可能不适合个别客户，不构成客户私人咨询建议。投资者应当充分考虑自身特定状况，并完整理解和使用本报告内 容，不应视本报告为做出投资决策的唯一因素。 投资者应注意，在法律许可的情况下，本公司及其本公司的关联机构可能会持有本报告中涉及的公司所发行的证券并进行 交易，也可能为这些公司正在提供或争取 提供投资银行、财务顾问和金融产品等各种金融服务。 本报告版权归 “国盛证券有限责任公司 ”所有。未经事先本公司书面授权，任何机构或个人不得对本报告进行任何形式的发 布、复制。任何机构或个人如引用、刊发本报告，需注明出处为 “国盛证券研究所 ”，且不得对本报告进行有悖原意的删节 或修改。 分析师声明 本报告署名分析师在此声明：我们具有中国证券业协会授予的证券投资咨询执业资格或相当的专业胜任能力，本报告所表 述的任何观点均精准地反映了我们对标的证券和发行人的个人看法，结论不受任何第三方的授意或影响。我们所得报酬的 任何部分无论 是在过去、现在及将来均不会与本报告中的具体投资建议或观点有直接或间接联系。 投资评级说明 投资建议的评级标准 评级 说明 评级标准为报告发布日后的 6 个月内公司股价（或行业 指数）相对同期基准指数的相对市场表现。其中 A 股市 场以沪深 300 指数为基准；新三板市场以三板成指（针 对协议转让标的）或三板做市指数（针对做市转让标的） 为基准；香港市场以摩根士丹利中国指数为基准，美股 市场以标普 500 指数或纳斯达克综合指数为基准。 股票评级 买入 相对同期基准指数涨幅在 15%以上 增持 相对同期基准指数涨幅在 5%15%之间 持有 相对同期基准指数涨幅在 -5%+5%之间 减持 相对同期基准指数跌幅在 5%以上 行业评级 增持 相对同期基准指数涨幅在 10%以上 中性 相对同期基准指数涨幅在 -10%+10%之 间 减持 相对同期基准指数跌幅在 10%以上 国盛证券研究所 北京 上海 地址：北京市西城区平安里西大街 26 号楼 3 层 邮编： 100032 传真： 010-57671718 邮箱： 地址：上海市浦明路 868 号保利 One56 1 号楼 10 层 邮编： 200120 电话： 021-38124100 邮箱： 南昌 深圳 地址：南昌市红谷滩新区凤凰中大道 1115 号北京银行大厦 邮编： 330038 传真： 0791-86281485 邮箱： 地址：深圳市福田区福华三路 100 号鼎和大厦 24 楼 邮编： 518033 邮箱：