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ICS 27.160 F 12 DB13 河北省地方标准 DB 13/T 50922019 太阳能级 类单晶硅 锭用方籽 晶通用 技术要求 2019-11-28 发布 2019-12-28 实施 河 北 省 市 场 监 督 管 理 局 发布 DB13/T 5092 2019 I 前 言 本标准 按照GB/T 1.1-2009 给出的 规则 起草。请注意 本文 件的 某些 内容 可能涉 及专 利。本文 件的 发布机 构不 承担 识别 这些 专利的 责任。本标准 由河 北省 太阳 能光 伏标准 化技 术委 员会（HeB/TC 14）归 口。本标准 起草 单位：英 利能 源（中 国）有限 公司、保 定天威 英利 新能 源有 限公 司。本标准 主要 起草 人：张莉 沫、孟 庆超、夏 新中、刘 磊、李 英叶、张 丽娜、史 金超、陈志 军。DB13/T 5092 2019 1 太 阳能级 类单晶硅 锭用方 籽晶通用 技术要 求 1 范围 本标准 规定 了太 阳能 级类 单晶硅 锭用 方籽 晶的 技术 要求和 试验 方法。本标准 适用 于将 晶向 为 的单 晶硅 棒开 方后 按一 定厚度 切割 得到 的类 单晶 硅锭用 方籽 晶。2 规范性 引用 文件 下列文 件对 于本 文件 的应 用是必 不可 少的。凡 是注 日期的 引用 文件，仅 注日 期的版 本适 用于 本 文件。凡 是不 注日 期的 引用 文件，其最 新版 本（包括 所有的 修改 单）适用 于本 文件。GB/T 1550 非 本征 半导 体 材料导 电类 型测 试方 法 GB/T 1554 硅 晶体 完整 性 化学择 优腐 蚀检 验方 法 GB/T 1555 半 导体 单晶 晶 向测定 方法 GB/T 1557 硅 晶体 中间 隙 氧含量 的红 外吸 收测 量方 法 GB/T 1558 硅 中代 位碳 原 子含量 红外 吸收 测量 方法 GB/T 4058 硅 抛光 片氧 化 诱生缺 陷的 检验 方法 GB/T 14264 半 导体 材料 术语 GB/T 29054 太 阳能 级铸 造多晶 硅块 GB/T 30453 硅 材料 原生 缺陷图 谱 3 术语和 定义 GB/T 14264、GB/T 30453 和GB/T 29054界定 的 及下 列术语 和定 义适 用于 本文 件。3.1 方籽晶 square seed 在类单 晶硅 锭铸 造过 程中 起到诱 导形 核作 用的 晶硅 薄块。3.2 晶面旋 转角 rotation angle of the crystal face 单晶硅 棒在 开方 前相 对于 单晶硅 棱线 位置 旋转 的角 度(见图1中)。DB13/T 5092 2019 2 图1 晶 面旋 转角 示意 图 3.3 圆角弦 长 rounded corner chord length 开 方 时因 切 割位 置出 现偏差 导 致方 籽 晶角 部出 现圆角,圆 角弦 长为 开方 切 割线与 晶 棒的 交点 的 直线距离（见 图2 中c）。图 2 圆 角弦 长示 意图 4 要求 4.1 外观 4.1.1 崩边和 缺口 数量 总数 1，缺口宽 度a 2 mm，缺口 延 伸度h 2 mm，见图3。DB13/T 5092 2019 3 说明：a 正投影方向上的宽度(缺 口连线长度)；h 正投影方向上的延伸度(垂直于缺口连线，与缺口内部边缘相交所能获得的最大直线距离)。图3 方籽 晶崩 边示 意图 4.1.2 圆角数 量1，圆角 弦长c 5 mm。4.1.3 表面质 量要 求表 面洁 净、需抛光（化 学）、无 沾污、无手 印。4.2 规格尺 寸 规格尺 寸要 求见 表1。表 1 规格 尺寸 要求 项目 要求 边长/mm 158 158，156.75 156.75，或由供需双方商定 同批次边长偏差/mm 0.25 厚度/mm 1035 单块厚度变化量 5%同批次厚度偏差 5%相邻两边垂直度/90 0.3，或由供需双方商定 4.3 性能 4.3.1 导电类 型为 电中 性（不掺 杂）或 由供 需双 方商 定。4.3.2 晶面旋 转 角 的范 围为 1 0 4 5，允 许的 偏差 为 0.5 或 由供 需双 方商定。4.3.3 晶向偏 离度 为 2。4.3.4 间隙氧 含量 1.0 1018atoms/cm3。4.3.5 代位碳 含量 5 1016atoms/cm3。DB13/T 5092 2019 4 4.3.6 晶体完 整性 要求 无星 形结 构、无 六角 网络、无 旋涡、无孔 洞和 杂质、无 杂质 条纹。4.3.7 位错密 度3000 个/cm2，且无滑 移位 错。5 试验方 法 5.1 外观 5.1.1 崩边、缺口、圆 角弦 长采 用钢直 尺或 相应 精度 的仪 器进行。5.1.2 表面质 量采 用目 视法 进行。5.2 规格尺 寸 5.2.1 边长、厚度 检验 采用 游标 卡尺或 相应 精度 的仪 器进 行。5.2.2 相邻两 边垂 直度 检验 采用 万能角 度尺 或相 应精 度的 量具进 行。5.3 性能 5.3.1 导电类 型的 检验 按 GB/T 1550 的 规定 进行。5.3.2 晶面旋 转角 采用 万能 角度 尺进行。如 有需 求可 以对 方籽晶 侧面 的晶 向进 行检 测，通 过计 算得 出晶面旋 转角 的数 值。5.3.3 晶向及 晶向 偏离 度检 验 按GB/T 1555 进行 或由 供需 双方协 商确 定。5.3.4 间隙氧 含量 的检 验 按 GB/T 1557 的规 定进 行。5.3.5 代位碳 含量 的检 验 按 GB/T 1558 的规 定进 行。5.3.6 晶体完 整性 的检 验 按 GB/T 1554 的规 定进 行。5.3.7 位错密 度的 检验 按 GB/T 4058 的 规定 进行 或由 供需 双方协 商确 定。_
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