资源描述
|2024 04 01 TMT/BIS 2022 10 BIS 2023 10 17 11 17 2024 3 29 BIS 4 4 BIS 4 4 1 2023 10 2023 10 17 BIS 2022 10 11 17 AI 13 2 2024 3 29 BIS D:5 4 4 BIS 2023 10 BIS AI TPP PD 3A090 GB200/H100/H800/A100/A800 L40s 10 17 3A090.a 3A090.b 1 193nm 193nm 45nm DCO 2.4nm 45nm 2 PECVD ALD 3 100:1 4 5 EUV%492 9.7 6862.4 9.0 5560.8 8.2%1m 6m 12m 8.5-9.0-19.0 7.9-4.9-7.3 1 2023/04/06 2 2023/05/25 3 2023/07/03 4 AI HBM 2023/11/22 S1090511060002 S1090521060001-50-40-30-20-10010Apr/23 Jul/23 Nov/23 Mar/24(%)电子 沪深300 2 AI 1 GPU/CPU 昇 2 3 HBM 4 1 分类 国 内公 司 HBM HBM Optima XVCXwPrMsRmNrPoNmRoRrQaQaO8OpNoOtRqMjMmMsOeRpPwP7NmMzQNZnOwOvPnMtN 3 BIS 2023 10 17 2022 10 11 17 AI 13 1 BIS 2023 10 17 BIS 2 BIS 2023 10 17 2022 10 BIS 4 2024 3 29 BIS D:5 4 4 3 BIS 2024 3 29 Federal Register 1 3A090.a 2 3A090.b D:5 D:5 D5 A:5 A:6 D:5 in-country transfer 3A090.a ECCN Export Control Classification Number 3A090 alxB11jfAQDPDFElsqme6MiCYydMK33bsDsO0TSEcfZCtKvOw701wFP+7gQyCQQn 5 4A090 3A001.z 4A003.z 4A004.z 4A005.z 5A002.z 5A004.z 5A992.z 5A002 5D002.z 5D992.z 5D002 1 2023 10 BIS AI TPP PD 10 BIS AI 3A090 TPP PD 1 TPP Total Processing Performance TPP=2*MacTOPS*MacTOPS Tera 2*MacTOPS TOPS FLOPS 2 PD Performance Density PD=TPP/die size 3A090 3A090.a 3A090.b 3A090.a 1 TPP 4800 2 TPP 1600 PD 5.92 3A090.b 1 TPP 2400 4800 PD 1.6 5.92 2 TPP 1600 PD 3.2 5.92 3A090 2023 H100 A100 H800 A800 L40s GTC 2024 6 Blackwell RTX4090 H20 L20 RTX4090 RTX4090 D 2023 10 17 BIS 13 4 2023 10 17 BIS BIS 5 2023 10 17 BIS 7 2024 BIS 1 3A090.a 2 3A090.b 2 45nm 1 X 1 193nm 2 193nm MRF 45 DCO 2.40nm 2 45nm S-FIL 3 1 2 FWHM 65nm 17nm+3 23+3 4 1 2 15nm 27nm+3 8 3 PECVD ALD 1 Co 2 Co CVD W CVD 3 1 100 C 500 C 2 H2 H2+N2 NH3 4 0.01Pa 1 H2 100 C 500 C H2+N2 NH3 2 O2 O3 40 C 500 C 3 100 C 500 C 4 5 Co Cu 6 20 C 500 C TiN WC 7 500 C 133.3 mPa 13.33 Pa Co 8 20 C 500 C 133.3 Pa 13.33KPa Co 9 20 C 500 C 133.3 Pa 13.33Kpa Co Ru 10 500 C 133.3 mPa 13.33 Pa PVD 5 100nm 450MPa CVD 9 6 ALD 7 500 C ALD W 40nm 8 ALD 1 Al 2 30 C 3 4 TiAlC 5 4.0 work function metal 9 ALD 1 ALD 2 3 10 ALD CVD FW F 1019/cm 3 11 0.01 1 20 C 500 C CVD WN 2 20 C 500 C 133.3 Pa 53.33 Kpa CVD W 12 0.01 1 W 2 Mo 13 20 C 500 C Ru 10 14 Si C 1 k 5.3 2 5:1 70nm 3 100 nm 15 25 k 1:1 3.3 16 k 5.3 70nm 5 1 100nm 400 C 650 C 1 2 3 4 1 2 SiGe:Si 30%Si 0.70 Ge0.30 100:1 3 30:1 100 300 4 300 5 SiGe:Si 100:1 5 1 ALE 75 2.5%11 2 MOCVD 3 4 Si SiGe SiGe 0.01 Pa 0.01 Pa 685 C 6 1 20 keV 10 mA 2 3 65 keV 45 mA 7 PVD 1 EUV 2 EUV EUV 3 EUV 4 0.01 Pa Cu Co W 5 CuO 0.01 Pa Cu 8 1 3B001.a.1 3B001.a.2 3B001.a.3 3B001.b 2 3B001.e 1.12 2.1 3A001 2 7 245 3 3A001 4 1 EUV 2 SEMI 13 1 AI GPU/CPU 昇 2 HBM 3 2 分类 国 内公 司 HBM HBM Optima 14 1 Fab 2 3 4 1 2023/04/06 2 2023/05/25 3 2023/07/03 4 AI HBM 2023/11/22 15 6-12 A 300 500 20%5-20%5%5%
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