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碳化 硅：搭乘新 能源发 展东风王 哲昊 Luke Wang，CFAEquity R安 信国际 研究 部 Jan 2023请 参阅本 报告尾 部免责 声明-安信国际 TMT 硬 件 行 业深 度 核心 观点1 SiC 是突 破性第 三代半 导体材 料：与前两代半导 体材料 相比，以 SiC 制成 的器 件拥有良 好的耐 热性、耐压 性和 极 低的 导 通能 量 损耗，是 制造 高压 功率 器 件与 高 功率 射 频器 件 的 理想 材料。SiC 下游应用包 括新能 源、光 伏、储 能、通 信 等领域。据 Yole 预计，全球 SiC 功率 半导体市 场规模 将从2021年的11 亿 美元增 长至2027 年的63 亿美元，CAGR 超过34%。下 游需 求 旺盛，产品 渗 透率 稳 步提 升：新能 源汽 车是 SiC 器 件最 大 的下 游 应用 市场。SiC 器件 能在缩减体 积的情 况下提 高能量 密度和 工 作稳定性，并支 持高平 台电压，有助 于 解决新能 源车“里程焦虑”问题。据 Yole 预计，SiC 新 能源领域 应用市 场将以40%的 CAGR 从2021 年的6.9 亿美 元增长至2027 年的50亿美 元。SiC 功率 器 件的市场 渗透率 将有望 在2024 年突破10%,行业前 景广阔 且确定性强。寡 头垄断 市场，产品供 不应求：SiC 产业链可分 为上游 衬底材 料、中 游外延 生 长、器件 制造以 及下游应用 市场。虽然我 国为全 球最大 的 新能源汽 车市场，但 SiC 器 件生产 制造 能力距国 际领先 水平仍 有较 大差 距。SiC 上中 游 产业 链 多 被美、日、欧 等 国企 业 垄断，外加 近 年 来各 国政 府提 高 对新一代芯 片研发 制造的 政策支 持，使 海 外头部公 司迅速 扩张产 能，快 速占领 市 场。尽管 近年来 我国 SiC 企业发 展迅速，但在 关键技 术节 点上还有 待突破，产品 良率与 性能均 弱 于海外竞 品，短 期内国 产替 代难 度 大。公 司推荐：Wolfspeed（WOLF.US）、On Semi（ON.US）、ST Micro（STM.US）、Infineon（IFNNY.US）、三 安光电（600703.SH）、天 岳先进（688234.SH）、斯 达半导（603290.SH）风 险提示：新能 源车销 量与 SiC 渗 透率不 及预期；行业 竞争加 剧；SiC 国产 替代 进度不 及预期；国 际政策 变化风 险 目录第 三 代半 导体 介绍01下 游 市场 规模02行 业 竞争 格局03公 司 推荐04 什么 是碳化 硅2 碳化硅（Silicone Carbide,SiC）是 第 三 代 半 导体材 料。与前两代半导体材料相比，SiC 有着良好的 耐热 性、导 热性 和 耐高 压 性。由 SiC 制成的 器件，具有高 效率、开关速 度 快等性能 优势，能大幅降低 产品能 耗、提 升能量 转换效 率 并缩小产 品体积，是制 造高压 功率器 件 的理想材 料。目前 SiC 器件 被广泛 运用于 新能源 汽车、充电桩、智能 电网、光伏逆 变器和 风 力发电等 领域。半 导体材 料 第 一代 第 二代 第 三代代 表材 料硅（Si）锗（Ge）砷化镓（GaAs）磷化铟（InP）碳化硅（SiC）氮化镓（GaN）主 要应 用低压、低频、低功率的集成电路晶体管中工作频率更高、耐高温、抗辐射；主要用于通讯领域的发光电子器件制造难度较大，技术壁垒高，价格昂贵；主要用于新能源车、光伏发电、消费电子等领域主 要特 点产业链成熟，技术完善，成本较低GaAs、InP 资源稀缺，价格昂贵，且具有毒性，对环境损害较大禁带宽度更大，能够承受更高的电压、更高的工作频率、更高的工作温度禁带宽度（eV）1.1 1.4 3.2 3.4热导率(Wcm-1K-1)1.5 0.5 4.0 1.3饱 和电 子 漂移 速 率（107cm/s）1.0 1.0 2.0 2.5击 穿电场 强度（MV/cm）0.3 0.4 3.5 3.3 发 展历程 20世纪50 年代 20 世纪90 年代 21 世纪初资料来 源：天岳 先进 招股 书、互联 网公 开资 料，安信 国际 整理 技术 特性与应 用 领域3 由于 SiC 的击 穿电场 强度是 第一代 硅片的10+倍，因此，使用 SiC 器 件可 以 显著 地提 高 产品 最 大工 作压 强、工 作 频率 和 电流 密 度，同 时大 大减 少 导通 能 量损 耗。SiC 的禁 带宽度 是硅片 的3+倍，保证 了 SiC 器件 在高温 条件下 的工作 稳定性，减少因高 温造成 的器件故障现象。理论上一般硅片的极 限工作 温度为300C，而 SiC 器件的极限工作温度可达600C以上。同 时，由 于 SiC 的热 导率比 硅更 高，在相 同的输 出功率 下 SiC 能保 持更 低的器件 温度，因此对散 热设计 要求更 低，有 助于实 现 设备的小 型化。SiC 的饱 和电子 漂移速 率是硅 片的2+倍，因此 SiC 器 件能实 现更高 的工作 频率 和功率密 度。资料来源：英飞凌 Infineon，Yole Development、天科合达 招股 书，安信 国际 整理第一代硅料 vs 第三代半导体材料对比 SiC 功率器件主要应用领域 技术 特性与应 用 领域（续）4 开关/恢 复损 耗 低：由于 SiC 的宽 带 隙 特性，使 得 SiC 器件 的导通 电阻约 为硅 件的1/200，导 通损耗 更低。在 Si FRDs 和 Si MOSFETs 中，当 从正 向偏置切换 到反 向偏置 时，会 产生大 量 的瞬态电 流，造 成大量的能 量损耗（switching loss）。而 SiC SBDs 和 SiC MOSFETs 是多 子载 流器件，切换反 向偏置 时只 会流 过 少量 电 流，且 不受 温 度 和正 向电 流 大小 的影响，在任 何 工作 环 境都 可实 现快 速 稳定的反向 恢复，大大减 少能量 损耗。SiC SBD vs Si FRD 温度依存性对比资料来源：ROHM SiC Application Notes、互联网公开资料，安 信国 际整 理SiC SBD vs Si FRD 反向恢复损耗对比 技术 特性与应 用 领域（续）5 高 压稳定 性&热稳定 性：一般来说 Si MOSFETs 的正常 工作电 压可以 达到 900v。而由 SiC 制成的器 件，最大 工 作电 压 能轻 松 超过1700v，且 能保 持极 低 的漂 移 层电 阻，减 少 能 量损 耗。同时，SiMOSFETs 在温度升高至150 C 时，漂移层电阻将会提高1倍，而 SiC MOSFETs 在同等条件下漂移层电阻仍能 保持较 好的稳 定性，电阻提 升 幅度远小 于 Si MOSFETs。Si MOSFET vs SiC MOSFET 标准化 导通电阻对比 Si MOSFET vs SiC MOSFET 标准化导通电阻温度特性资料来源：ROHM SiC Application Notes，安信国际整理 技术 特性与应 用 领域（续）6 高 能量密 度&设备小 型化能 力：SiC 器件的设备 小型化 能力主 要体现 在几个 方 面：1）SiC 高禁 带 宽度 决 定了 它 能承 受 更高 的杂 质浓 度并 降 低漂 移 层膜 厚，缩 小 芯 片体 积；2）SiC 优良的 散热性 与热稳 定性对 芯片 散热系统 的要求 更低。SiC 的饱 和电子 漂移速 率更大，在实 现 高工作频 率的同 时提高 了功率 密度，减 少了变压 器、电 感器等 外围 组件 的 体积，降低 整 体器 件 成 本并 缩减 了器 件 大小。SiC 器件能量密度更高、能量损耗更小 Si vs SiC 器件大小对比资料来源：ROHM SiC Application Notes、天科合达招 股书，安 信国 际整 理 技术 特性与应 用 领域（续）7 SiC vs Si 器件 综合能 力比较：与传统硅片器件 相比，SiC 系 统可以 有效减 少 约50%的 电导通 损耗，如 运用 在新 能 源车 中，能 提 升约4%的 车辆 续航 能力，且降 低 约20%的电能 转换 系统成本。同时，SiC 器件 散热能 力强、封装尺 寸小，能 更好助力 于器械 小型化。未来随着 技术与 产量的 提升，SiC 器 件 价格有望 持续下 降，从 而扩大 下游市 场 应用规模，提高 产品渗 透率。SiC 器件能量密度更高、能量损耗小、封装尺寸小资料来源：CASA、Power Electronics，安信国际整理1200v SiC SBD&Si FRD 平均价格走势（￥/A）6.67.54.23.85.22.01.30.9 0.91.44.66.23.32.93.80123456782017 2018 2019 2020 2021SiC SBD Si FRD 报价差 政策 助力行业 发 展8发展计划（海外）发布机构 主要内容SPEED 计划 欧盟委员会围绕材料、外延、器件、应用等 SiC 全产业链，突破 SiC 器件技术，发展下一代SiC 基电力电子器件，用于风力发电和新一代固态变压器，器件耐压目标 1.7kv 和10kv 以上SWITCHES 计划 美国能源部研制新型宽禁带半导体材料、器件结构以及制造工艺，提高能量密度，加快开关频率，增强温度控制，使电力电子技术成本更低，效率更高，降低电机驱动和电网电能转换等应用的能量损耗，使得控制和转换电能的方式发生重大变革NEXT 计划美国国防部先进研究项目局研发能够同时实现极高速度和电压的 GaN 器件制造工艺，满足大规模集成要求MANGA 计划 欧洲防务局联合德国、法国、意大利、瑞典和英国，强化欧洲 SiC 衬底和 GaN 外延片区域内供应能力，降低对欧洲以外国家的依赖性，形成服务于国防工业的 GaN 电子器件产业链日期（国内）发布机构 主要内容2021年8 月 工信部8 月14日，工信部宣布将 SiC 复合材料、Si 基复合材料等纳入“十四五”产业科技创新相关发展规划2021年3 月 新华网刊登了 中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要，其中“集成电路”领域，特别提出 SiC、GaN 等宽禁带半导体即第三代半导体要取得发展2020年7 月 国务院新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策 中指出，国家鼓励集成电路企业，自获利年度起，第一年至第二年免征企业所得税，第三年至第五年按照25%的法定税率或减半征收企业所得税2019 年11 月 工信部 重点新材料首批次应用示范指导目录，其中 GaN 单晶衬底、功率器件用GaN 外延片、SiC 外延片，SiC 单晶衬底等第三代半导体产品进入目录资料来 源：天科 合达 招股 书、工信 部、国务 院、新华 网、公开 资料，安信 国际 整理 目录第 三 代半 导体 介绍01下 游 市场 规模02行 业 竞争 格局03公 司 推荐04$126M;12%$154M;14%$685M;64%Telecom&Infrastructure Consumer IndustrialTransportation Energy Automotive2027$6.3bn$550M;9%$458M;7%$4,986M;79%2021$1.1bn第三 代半导体 市 场规模9 全球 SiC 功率 半导体 市场规 模有望 于2027 年突破60亿美 元：据 Yole 预测，全 球 SiC 功率半 导体市 场将 从2021 年的11 亿美 元 增长 至2027年的63 亿美 元，CAGR 将超过34%。从 应 用领 域看，未 来 新能源汽车 领域的 应用将 会主导 SiC 市场。至2027 年，SiC 新能 源车应 用市场 份 额将占全 球 SiC市场的79%。虽然 Si 仍是 主 流半 导 体材 料，但 第 三代 半导 体 渗透 率 仍将 逐 年攀 升：据 Yole 预测，Si 材料 器件未来仍 将占据 半导体 市场的 主导地 位，预计未 来市场 渗透率 仍超过80%。第三 代半导体 材料渗 透率将会逐 年攀升，整体 渗透率 预计于2024 年超过10%，其 中 SiC 的市 场渗透 率有 望接近10%，而GaN 渗透 率将达 到3%。2021-2027 SiC 功率半导体市场规模预测CAGR+34%SiC vs GaN vs Si 市场渗透率预测资料来源：Yole Development，安 信国 际整 理0%20%40%60%80%100%2020 2021E 2022E 2023E 2024E 2025ESiC GaN Si 新能 源车将成 为 SiC 最大市场10 SiC 功率 器件降 低新能 源车电 力损耗：SiC 在新 能源 车 中主 要 应用 在 牵引 逆 变器、电 源转 换系 统（DC/DC 转换 器）、电 源驱 动 系统、车载 充电 系统 和非 车 载充 电 桩中。据统 计，B 级以 上新 能源 车SiC 器件 需求量 约为66-150 颗 之间（Tesla Model S 仅 SiC SBD 使用 量已超 过60 颗），而直流 充电桩大概 需要150 多颗 SiC 器 件。SiC 渗透 率提 升 四大 驱 动力：1）各国“碳达峰、碳中和”目标；2）新能源 车 里程与功 率的提 升；3）车 载电池 的小型 化；4）SiC 器 件 价格持续 下降 搭载 SiC 器件 能使新 能源车 辆损耗 将降 低50%以 上、充 电速度 可提升2 倍、功 率 密度提升50%以上，同时器 件体积 能减小50%。第三代半导体在新能源车中的应用资料来源：Keysight Automotive Power Electronics Test、Wikipedia，安 信 国际 整理主要国家宣布的碳中和 时间表国家 目 标年 份中国 2060 前美国 2050欧盟 2050英国 2050德国 2045法国 2050 新能 源车将成 为 SiC 最大市场（续）11全球新能源车销售统计（百万辆）资料来源：Bloomberg、IEA、懂车 帝、维科 网、公司 官网，安 信国 际整 理800v 充电平台时间统计 新能源车搭载第三代芯片 时间 统计品牌 时间 形式保时捷 2018 车型、充电桩起亚、特斯拉 2020 充电桩奥迪、现代 2020 平台比亚迪 2021 平台吉利 2021 平台长城 2021 车型蔚小理等 2021 车型、平台、充电桩品牌 时间 逆 变器技 术特斯拉 2018 SiC MOSFET保时捷 2019 SiC MOSFET丰田 2020 SiC MOSFET比亚迪 2020 SiC MOSFET奥迪 2021 SiC MOSFET现代 2021 SiC MOSFET蔚小理等 2022 SiC MOSFET0.006 0.014 0.059 0.222 0.418 0.7970.8620.9652.5423.20525.8M57%61%82%61%90%20%35%111%13%0M5M10M15M20M25M30M2013 2014 2015 2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022 2030AMER x USA APAC x China EMEA China USA Rest of the World Total YoY Total Growth 光伏 发电驱动 SiC 器件 需求提升12 传统 Si 器件是 光伏系 统能量 损耗主 要来 源之一：在光伏发电中，传 统 Si 逆 变器成本 约占10%，但却 是系 统能 量 损耗 的 主要 来 源之 一。使用 SiC 器件 的光 伏 逆变 器 可以 将 能量 损耗 降低50%以上，将能量 转换效 率从96%提升 至99%，且 能提高设 备循环 寿命50 倍并缩 小设备 体 积。预计 未来第 三代半导体 将在光 伏发电 领域逐 步替代 传 统硅基器 件。据 SolarPower Europe 数据，在 中 性预 期下，全 球光 伏 新增 装 机量 将 以 15.6%CAGR 从2021年的168GW 增 长至2026 年的346GW，而光伏 逆 变器中 SiC 器 件的市 场渗透 率将在 同年 提升至50%左右。第三代芯 片的市 场占有 率将随 着装机 量 与渗透率 的提升 而持续 扩大。168270.8458.8181.4243.536%12%11%11%10%0GW100GW200GW300GW400GW500GW2017 2018 2019 2020 2021 2022 2023 2024 2025 2026历史 数 据 乐观 预 期 悲观 预 期 中性预 期全球光伏新增装机量预测 光伏逆变器中 SiC 器件占比预测10%50%70%75%80%85%0%20%40%60%80%100%2020 2025 2030 2035 2040 2048资料来源：CASA、SolarPower Europe、天科合 达招 股书，安 信国 际整 理 目录第 三 代半 导体 介绍01下 游 市场 规模02行 业 竞争 格局03公 司 推荐04 产业 链梳理13SiC 晶片导电型半绝缘型SiC 外延GaN 外延功率器件微波射频器件新能源车电力系统5G 通讯半导体器械设备 晶片衬底 外延 设计 制造 封测 应用三 安光电、时代电气晶盛电机芯源微北方华创天 岳先进天 岳先 进天科合达华微电子露笑科技斯 达半 导AMATLRCXWOLF、ON、ROHM、GEInfineon、MCHP、NXPISTM、POWI资料来 源：公开 资料，安 信国 际整 理 海外公 司 国内公 司II-VI 产业 链价值对 比14SiC MOSFETs 成本占比资料来源：System Plus、JENRS,安 信国 际整 理 SiC 产业 链中，衬底的 价值占 比最高：SiC 衬底 材料 是 碳化 硅 芯片 的 核心，在一 个典 型的 SiC MOSFET 中，衬 底的 制 造成 本 能占 到 器件 总成 本的35%以 上。而 在6英寸 SiC 衬底 制造 过程 中，包含良率损 失的衬 底成本 占到总 成本的70%以上。SiC 单晶 生长缓 慢、衬 底制造 困难、良品 率低等 因素是 SiC 器件价 格高企 的主要 原因。SiC 6 英寸衬底成本拆分44%7%17%32%衬底 制 造 外延 正反面 处理 良率损 失23%8%4%13%17%35%芯片良 率成 本 外延良 率成 本 测试成 本 制造成 本 外延成 本 衬底成 本 SiC 衬底生产 流 程介绍15资料 来 源：天岳 先进 招股 书、公开 资料，安 信国 际整 理产品半 绝缘 型 导 电型图例制作工艺以 SiC 晶片为衬底，在晶 片上 生长 氮 化镓（GaN）外延片以 SiC 晶片为衬底，在晶 片上 生长 碳 化硅（SiC）外延片主要器件HEMT 等微波视频器件SDB、MOSFET、IGBT 等功率器件应用领域信息通讯、无线 电探测等新能源汽 车、轨 道交通、大功 率变电 器、储能等碳化硅衬底分为半绝缘型和导电型 碳化硅衬底生产流程1.粉料合成4.衬底切割5.研磨抛光6.清洗检测3.晶体生长2.籽晶稳定技 术难点 全球 市场竞争 格 局16 美、日、欧厂商 占领全 球 SiC 衬底 市场 的 主导 地 位：得益 于先 发优 势，全 球 SiC 衬底市 场被美、日、欧 等企 业 所主 导，其 中 技术 领 先、市 场占 有率 高 的有 Wolfspeed（原 CREE）、II-VI（貳陆）、SiCrystal（ROHM）等。上述 三家 公司全球 市场占 有率总 和超过90%，其中 Wolfspeed 一家独大，衬 底占市 率超过60%。SiC 功率 器件 市 场由 美 欧两 国 主导:从 SiC 器件 市场 上 看，STM(意 法半导 体）与 Infineon（英凌飞）占据超 过50%的全球 SiC 功 率 器件市场 份额。美企 Wolfspeed 从 衬底 技术出发，向下 游功率器件 市场拓 展，2021 年 SiC 功 率器 件市场份 额占比 达14%。62%14%13%5%4%2%Wolfspeed（美）II-VI（美）SiCrystal（日）SK Siltron(韩)天科合 达 Others2020 SiC 导电型衬底市场竞争格局 2021 SiC 功率器件市场竞争格局资料来源：Yole Development、The Information Network，安信国际 整理21%7%38%14%9%11%Infineon(德)On Semi(美)STMicro(瑞)Wolfspeed(美)ROHM(日)Others 17未来 技术发展 方 向 SiC 衬底 围绕提 高晶片 尺寸、提升良 品率、提升 衬底附 加价值 发展：目前全球 市场 SiC 衬底 以4-6 英寸 为 主，提 升晶 片 尺寸 大 小能 有 效提 高产 品良 率与 生 产效 率。目 前 各大 衬 底 制造 商已 陆续 开 始8 英寸衬 底的研 发与量 产，未 来8 英寸 衬 底将成为 市场主 流。SiC 器件 则围绕 降低生 产成本，提升 生产 效率发 展：据 CASA 数据，2021年 1200v SiC SBD 的均价为 Si 器件的3.7 倍，而2020 年差 额约 为4.2 倍，同 比 下降12%。根 据 调查，SiC 器件 实 际成 交 价低于公开 报价。未来，除了各 器件厂 向 上游衬底 技术延 伸，努 力成为 全流程 服 务商外，降低 SiC 器件的 ASP，提高产 品渗透 率，也 将成 为行业主 旋律。各企业8英寸晶片研发历史 晶片尺寸增长提升产品良率3.85.20.91.402462020 2021SiC SBDSi FRD4.2x 3.7x1200v SiC SBD vs Si FDR 价差（￥）资料来源：Yole Development、Wolfspeed、CASA，安信 国际 整理 目录第 三 代半 导体 介绍01下 游 市场 规模02行 业 竞争 格局03公 司 推荐04 海外 公司推荐 Wolfspeed（WOLF.US）18 Wolfspeed 为全 球 SiC 产业 龙头公 司之 一，提供 从衬底 制造到 器件生 产与代 工 的全流程 服务。公司前身为 CREE.Inc，原是 集 LED、芯 片、封装、化 合 物半 导 体材 料 等业 务 为 一身 的著 名制 造 商。公司现 任 CEO-Gregg Lowe 自2017 年上任以 来，着 手启动 以第三 代芯片 业 务为中心 的战略 转型，成效 显著。自2018 年 始，公 司先后 出售其 原有 LED 与照 明业 务，以 支持 在 SiC 方面 的 生产 研发 投入，总 出售收入预 计超过6亿美 元。公 司于2021 年10月正 式 更名 为 Wolfspeed，专注 于 第 三代 半导 体领 域 的技术创新 与产品 开发。公司于2019 年宣 布投 资10亿美 元，于 纽 约州 打造 全球 最 大的 自 动化 SiC 器 件生 产基 地。2022年，公司宣布 将在北 卡州投 入数十 亿美元，建设 SiC 材料 生产基 地,主要 为纽约 州 基地提供8 英寸 SiC 衬底。预 计北卡 州基地 建成后 可将公 司 现有产能 提高10 倍，基 地第 一 期将 于2024 年底完 工并投 入使用。公司 为全 球首 家 研发 并 量产8 英寸 SiC 衬底 的企 业，技 术远 领 先于 竞 争对 手。公司 下游 主要 客 户包括 STM（意法 半导体）、Infineon（英凌飞）、On Semi（安森美）等行 业龙 头公司。资料来源：Wolfspeed，安信国际 整理公司衬底研发轨迹 海外 公司推荐 On Semi（ON.US）19 On Semi（安森 美）前 身为摩 托罗拉 标准 化半导体 业务线，于1999 年从 母公司 拆 分后成立。2000 年公司 上市 后，陆 续收 购 了多 家 半导 体 制 造企 业，并在 全 球建 立 了超 过40家半 导 体基 地和 设计 工 厂。公司于2004 年 开始研 制 SiC 功率 器件，并2011 年发布 了第一 代 SiC SBD。目 前公司 SiC 系列产品已研 发更新 到第四 代。2021 年，公司 完 成了 对 SiC 晶圆 供 应商 GT Advanced Technologies（GTAT）的收 购，进一 步 提高了公司 在6-8 英寸 SiC 晶体 生长领 域 的技术水 平。2022 年，公司于 New Hampshire 建 立了 新一代 SiC 器 件工厂，同时 宣布与 其各 大客户签 立了高达40 亿美 元的 长 期 SiC 器件 供应 合 同。预计2023 年公司 SiC 业务 收 入将 超 过10 亿美 元，是2022年的3倍。公司可以 提供从 衬底、外延、到晶圆 设 计与器件 制造的 SiC 业务全 流程服 务。ON 提供 SiC 板块全流程服务 公司各代 SiC MOSFET 器件组合资料来源：安森美 On Semi、公司官 网，安信 国际 整理 海外 公司推荐 ST Micro（STM.US）20 ST Micro(意法 半导体）为2021 年全 球 SiC 功率 器件占 市率最 高的公 司，市 场 份额占比 约为38%。2018 年，Tesla 率先在 Model 3 逆 变器 上采用了 STM 供应的 650v SiC MOSFET，此举成 为 SiC 领域里程 碑性事 件之一，也标 志着 SiC 功率器件 正式打 开了新 能源车 市场的 大 门。公司于2022 年12 月宣 布 加深 与 法国 SiC 晶片 行业 领导 者 Soitec 的合 作，在 未 来18个月 内 STM 将引进 Soitec 8 英寸 SiC 晶 片制造 技 术。这次 深度合 作将扩 展 STM 在 SiC 衬底 制造 领域 的 足迹并加强 公司产 业链纵 向服务 能力，提 高生产效 率和提 升产品 良率。公司足迹 STM 1200v SiC MOSFET 器件资料来源：意法半 导体 ST Micro，安 信国 际整 理 海外 公司推荐 Infineon（IFNNY.US）21 Infineon（英 凌飞）是欧 洲 半导 体 龙头 企业。公 司自1992 年开 始研 发 SiC 功率 器件，不 断提 升其产品的 技术优 势，2021 年，英凌飞 以21%的市 场 占有 率 位列 全 球第 三。公司于2018 年收 购了以 芯片冷 切割工 艺 闻名的公 司 Siltectra，逐步 加大对 SiC 功率器 件的研 发投入，凭 借其 产 品更 高 的功 率 密度 与 更 小巧 的设 计快 速 占领 市 场份 额。公 司 在 已有 的1200v 产 品线基础之上，于今 年推出 了2000v 冷切 SiC 模组，进一步 完善了 公司的 SiC 功 率 器件组合。公司提供 除 SiC 衬底 制造外 的全流 程器 件生产服 务资料来源：英飞凌 Infineon，安信国际 整理公司 SiC MOSFET 产品组合 公司各代 SiC 功效价格对比 美股 推荐公司 对 比22资料来源：Bloomberg（数据 时间12/29/22），安信 国际 整理WOLF、ON、IFNNY、STM vs 费城半导体指数 YTD 总回报率营收 利润 P/S P/E公司第三代半导体业务%市值 LTM FY23E FY24E LTM FY23E FY24E Curr.FY23E FY24E 5Y Avg.Curr.FY23E FY24E 5Y Avg.WOLF 100.0%$8.37B$.83B$1.01B$1.49B-$.13B-$.03B$.12B 9.9x 8.3x 5.6x 17.2x-63.1x-ON 12.5%$26.07B$8.07B$8.31B$8.03B$2.16B$2.33B$2.01B 3.2x 3.2x 3.1x 3.4x 12.5x 11.4x 13.3x 17.7xIFNNY 5.0%$39.19B 15.41B 15.35B 16.44B 2.37B 2.67B 2.91B 2.6x 2.4x 2.2x 3.3x 16.8x 13.4x 12.5x 26.7xSTM 6.5%$32.04B$15.26B$16.10B$16.21B$3.47B$3.70B$3.33B 2.2x 2.0 x 1.9x 2.7x 9.5x 8.9x 9.5x 15.7x 国内 公司推荐 三安光 电（600703.SH）23 三安光电 是国内 SiC 行业头 部公司 之一。三安凭 借其在 LED 行业的 技术积 累与 优势，全 面布局化合 物半 导体 赛 道。公 司 SiC 系列 产品 已经取得 多点突 破，在 功率器 件与射 频 器件等下 游市场 实现稳定出 货。公司于2022 年9 月在新 能源汽 车驱动 技术 创新峰会 上发布 SiC MOS 1200v 系 列新 品。其全 资子公司于11月 与需求 方签署 总金额 达38 亿 元 人民 币的3年期 战略 采购 意 向协 议，进一 步表 明公 司 在国产 SiC 芯片 领域的 领先地 位。公司下游 主要客 户包括 比亚迪、阳光 电 源、固德 威、长 城、格 力、上 能等。资料来 源：三安 光电 招股 书、公司 官网，安 信国 际整 理三安光电业务范围 公司 SiC 器件产品组合 国内 公司推荐 斯达半 导（603290.SH）24 公司为 SiC IGBT 器件 国产 化 领军 企 业，目 前其 Si IGBT 模 块已经 覆盖 600-3300v 电 压等级，并被 广泛 用于 光 伏、储 能、汽 车、变 频 白色 家电 等领 域。据 Omdia 数据，2020 年公司 IGBT 全球占市率为2.5%，位列第6，是 全国唯 一一 家进入前 十的供 应商。公司在2021 年公 开募资35亿元，主要 投 产特色高 压工艺 SiC 芯片研 发产业 化项 目。此次 项目建 设周期为3 年，达 产后 能 为公 司 提供 年 产36 万片 SiC 功率 半导 体 芯片 的 生产 能 力。公司与 Wolfspeed 合 作开发 的1200v SiC 功率 模 块已 被 宇通 客 车应 用 于其 新 能 源车 电控 系统 中。资料来 源：斯达 半导 官网、公 司公 告，安信 国际 整理斯达半导21 年定增资金使用规划 公司现有产品组合 国内 公司推荐 天岳先 进（688234.SH）25 公司成立 于2010 年，专 注于第 三代半 导 体 SiC 衬底的 研发与 制造，其主要 产品 包括半绝 缘型和 导电型 衬底。凭 借 其多 年 的研 发 积累，公 司已 经成 为全 球 为数 不 多掌 握 导电 型 与 半绝 缘型 SiC 衬底，且产品 尺寸齐 全的供 应商。根据 Yole 统计，2020 年公司 在全球 半 绝缘型 SiC 衬 底领域 市场占 比达30%，位列第三。2020 年，公司 通 过 IPO 募资20 亿元。资 金主要投 入于导 电型 SiC 衬 底项目 建设 和启动8 英寸 导 电型 SiC 衬底研 发，并 于2022 年9 月宣 布8 英寸导电 型衬底 研发成 功，目 前正在 产 业化方面 持续突 破。公司主 要提供4-6英寸 SiC 产品。资料来源：天岳先 进招 股书、Yole Development，安信国际 整理天岳先进 SiC 衬底研发历史35%33%30%3%II-VI Wolfspeed 天岳先 进 其他2020 年公司 SiC 半绝缘型衬底市场占比 A 股推荐 公司对比营收 利润 P/S P/E公司 市值 LTM FY23E FY24E LTM FY23E FY24E Curr.FY23E FY24E 5Y Avg.Curr.FY23E FY24E 5Y Avg.三安光电 85.26B 13.05B 14.96B 19.83B 1.01B 1.75B 2.68B 5.9x 4.3x 3.5x 9.5x 74.1x 43.7x 28.7x 95.8x斯达半导 55.86B 2.38B 2.78B 4.12B.70B.81B 1.10B 23.2x 13.6x 9.8x 33.1x 76.5x 69.2x 50.9x 136.0 x天岳先进 34.18B.49B.53B 1.06B.09B-.07B.06B 62.3x 32.5x 21.3x-345.9x-560.2x-iFinD 可比公司均值 9.0 x 82.9x资料来源：Bloomberg、iFinD（数据 时间12/29/22），安信 国际 整理26 风险 提示27 新 能源车 销量与 SiC 渗透率 不及预 期 行 业竞 争 加剧 SiC 国产 替代进 度不及 预期 国 际政策 变化风 险 感谢观看！安信国际研究部 34免 责声明此报告只提供给阁下作 参考用途，并非 作为或被视为出 售或购 买或认购证券的邀请或 向任何特定人士 作出邀请。此报 告内所 提到的证券可能在某些 地区不能 出售。此报告所载的资料由 安信国际证券(香港)有限公司（安信国际）编写。此报告所载资料的来源皆被安信国际认 为可靠。此报告所载的见解，分析，预测，推断和期望 都是以 这些可靠 数据为 基础，只是代表 观点的 表达。安信国 际，其母 公司和/或附 属公司 或任何 个人不 能担保 其 准确性或 完整性。此报 告 所载 的 资料、意见及推测反映安信国 际于最初发此报 告日期当日的判 断，可 随时更改而毋须另行通 知。安信国际，其母公司或任何 其附属 公司不会对因使用此报 告内之材 料而引 致 任何 人士 的直 接或 间接 或相 关之 损失 负上 任何 责任。此报告内所提到的任何 投资都可能涉及 相当大的风险，若干投 资可能不易变卖，而且 也可能不适合所 有的投资者。此 报告中 所提到的投资价值或从 中获得的 收入可能会受汇率影响而 波动。过去的表 现不能代表未来 的业绩。此报告没有把任何投 资者的投资目标，财务 状况 或特 殊需 求 考虑 进去。投资者不应 仅依靠此 报告，而 应按 照自 己的 判断 作出 投资 决定。投 资者 依据 此报 告的 建议而 作出 任何 投资 行动 前，应咨 询专 业意 见。安信国际及其高级职员、董事、员工，可能不时地，在 相关的 法律、规则或规定的许可下(1)持有 或买卖此报告中所 提到的 公司的证券，(2)进行 与此 报告 内 容相异 的仓 盘买 卖，(3)与 此报 告所 提 到的 任何 公 司存 在顾 问，投资 银 行，或 其他 金融 服 务业 务关 系，(4)又 或可 能 已经 向此 报告 所 提到 的 公司 提供 了 大量 的建 议 或投资服 务。投 资银 行或 资产管 理可 能作出 与此 报告 相反投 资决 定或持 有与此 报告 不同 或相反 意见。此 报告 的意见 亦可 能与 销售人 员、交易员 或其 他集 团成 员专业人员的意见不 同或相反。安信国际，其母公司 和/或附属 公 司的一位或多 位董事，高级职员和/或员工 可能是此 报告提到 的证券发行人 的董事或 高级人员。（5）可能涉 及此 报告 所提 到的 公司 的证 券进 行自 营或 庄家 活动。此报告对于收件人来说 是完全机密的文 件。此报 告的 全 部或 任 何部 分均 严禁 以任 何方 式再 分发 予任 何 人士，尤其（但 不限 于）此报告及其任何副本 均不可被 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