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AI 系列深度报告（二）HBM：高带宽特性 释放AI 硬件 性能，AI高景气持续 驱动需 求高增证券研究报告2024 年7 月12 日请 务 必阅 读 正文 后 免责 条 款电 子行业 强于 大市（维持）半导体 行业 强于大 市（维持）计算机 行业 强于大 市（维持）电子信 息团队 高带 宽特 性释 放AI 硬件性能，HBM 成为AI 时代首选 内存技术。当前诸如GPT-3 等AI 大模型所要求的算力 日益提升，伴随着的是参数数量 呈现指数级 增长，传统的内存带宽 及传输速 率 限制了AI硬件 以及系统的最大性能，相较于 传统DDR 内存，HBM 具有 高带 宽、低功耗、低延 时 等优 势，已成 为当 前高 性能 计算、人工智能 等领 域 的首 选 内存 技术。当前HBM 产品 已 经发 展 至第 五代HBM3e，内存 带 宽相 较上 一代 提 升47%至1.2TB/s，堆叠 层数 最 高可 达12层，对应 最高 容量 达36GB，当前三大原厂均已入局并在24H1 陆续出货，考虑到HBM 需求的火爆程度，SK 海力士还计划提前一年在2025年发布HBM4。三大 原厂 持续 扩 充HBM 产能，SK 海力 士位 居全 球市 场 份额 首位。当前AI 高景气不断 驱动HBM 需求高增，持续推动HBM 位元 出货 量和 产值 同 步增 长，根据Yole预测数据，预计2025 年全球HBM 位元出货量和行业产值将分别达到17 亿GB 和199 亿美元。竞争格局方面，根据TrendForce 数据，以位元出货量作为 统计口径，2023 年 全球HBM 市场 中，SK 海力士和三星 的市场份额各占47.5%左右，而美光份额约 为5%。随着HBM3e 的率 先推 出及 放量，预计2024 年SK 海力士 的市场份额将增加至52.5%，而三 星的 市 场份 额将 下降 至42.4%。为了 满足 持续 增 长的HBM 需求，三 大原厂纷纷加大资本开支 扩建HBM 产能，其中，三星和SK 海力士的产能扩充最为积极，预计到2024 年底，三星HBM 总产能将达约13 万片/月，SK海力士约12 万片/月，而美光仅为2 万片/月。TSV 为HBM 核 心 制 备工 艺，混合 键合 将成 未来 主流 堆 叠技 术。HBM 主要采用TSV 技术将多个DRAM 芯片进行 垂直 堆叠，并与GPU 一同进行封装，形 成大容量、高位宽的DDR 组合阵列，从而克服单一封装内的带宽限制。在加工制造过程中，TSV 是HBM 实现芯片垂直堆叠的核心制备工艺，占封装成本达30%。而 从当前原厂采用的封装技术来看，三星 主 要 采 用TC-NCF 技术，而SK 海力士则通过Advanced MR-MUF 技术并结合改良EMC 材料来进行HBM 的封装生产，在 改善 散热 方面具有明显优势。考虑到未来因带宽、容量增长所带来的堆叠层数及密度提升，SK 海力 士将利 用混 合键 合技 术来 加工 生产HBM4。混 合键合 摒弃 了无凸 块设计并采用 直接铜对铜 的 连接方式，相较微凸块技术，能够在进一步 提升互联密度的同时 实现 功耗降低，有望成为未来HBM 主流堆叠技术。投资 建议：当前AI 算力持续高景气背 景下，HBM 作为AI硬件、系统提 升算力性能 的重要内存技 术，市场需 求呈现强劲 增长态势。另外，根据美 光 数据，同一节点/容量条件下，HBM3e 的 产能消耗是DDR5 三倍，同时 考虑到TSV、MR-MUF 等先 进封 装技 术对 半导 体设 备、材料、封测环节 的高标准要求，以 及当 前原 厂积极扩产计划，相关产业链有 望持续受益。半导 体 材料 方面，建议 关注 雅克 科技、联瑞新材、华海诚科；半导体 设备方面，建议关注精 智达、赛 腾股份、长川科技；封测端则建议关注通富微电、深科技；同时建议关注SK 海力士重要经销商香农芯创。风险提示：国产化替代不及预期风险；国内厂商对先进技术的研发进程不及预期风险；供应链风险上升。1ZFUuNqNsRrQrPsRmRsNnM9PdN8OsQqQnPqMiNnNrOfQnMuNbRqQuMxNtOsRMYqQuN3目录C O N T E NT STSV 为HBM核心 工艺，混合键 合将成未来主 流高 带 宽 存 储需求激增，HBM 为AI 时 代首选内存技 术投资建 议和风险提示SK 海 力士全球领先，三星、美光 奋起直追1.1 AI 资 料来源：SK 海 力士 官 网，三 星官 网，平安 证券研 究所训练Transformer 模型 的计 算要 求 内 存带 宽发 展历 程 当前诸如GPT-3 等AI 大模型所要求的算力 日益提升，伴随着的是参数数量 呈现指数级增长，为 了计算及处理如此庞 大 规模的数据量，数据中心和边缘设备需要配套持续提升计算 性能和降低功耗，随着对GPU/CPU 高负载 工作频率需求不断增长，传统 的内存带宽限制了 硬件以及 系统的最大性能，为了 释 放AI 加速器 最佳的 硬件性 能，市 场急迫 需要 更 高带宽 的内存 解决 方案。从DRAM 主流细分产品的带宽发展来看，HBM（High Bandwidth Memory，高宽带内存）自身的内存带宽以及带宽提升速度均大幅领先于其他DRAM 产品，有望成为AI 时代中最重要的内存技术之一。LV13eSulWvzEpzchzyJFqEnPyPSCGvG90wyKf2tEx5serWo/VGCc6ITbASONUbjN 1.2 HBM AI 资 料来源：SK 海 力士 官 网，英 伟达 官 网，平 安证 券 研究 所 AI 时 代下 高带 宽存 储需 求激 增，HBM 技 术正 步入 快速 发展 阶段。HBM（High Bandwidth Memory，高宽 带内 存）采用硅通孔（TSV）技 术将 多个DRAM 芯 片 进 行 堆叠，并与GPU 一 同 进行 封装，形 成大 容量、高 位宽 的DDR 组 合 阵列，从而 克服 单一 封装 内的 带宽 限制。相较 于传 统DDR 内存，HBM 具 有 高带 宽、低功 耗、低延时 等优 势，已成 为当 前高 性 能计 算、人 工 智 能 等 领 域 的 首 选 内 存 技 术。以 英 伟 达H100 SXM5为例，其 集 成 了6 颗HBM3，总 容 量 达 到80GB，内 存 带 宽 超3TB/s，是A100内存带宽的2 倍。常规HBM 产品 内部 结构 英 伟达H100 配 置了6 颗HBMHBM内存HBM内存GPU 核心1.3 HBM HBM3e资 料来源：Yole，平安 证券研 究所 当前HBM 产品已经发展至第五代，HBM4 最早有望于2025 年提前发布。第一代HBM 产品由SK 海力士于2014 年发布，此后 每一 代HBM 的升级更迭，在内存带宽、I/O 速率等方面都迎来明显提升，当前HBM 已发展至第五代（HBM3e），容量最高可达36GB，内存带宽已提升至1.2TB/s，I/O 速率 最 高可 达9.2Gbps。另外，考虑 到 当前HBM 需求 的火 爆程 度，SK 海力 士计 划 提前 一 年在2025 年发布HBM4。根据TrendForce 数据，2022-2023 年全球HBM 市场主要以HBM2e 为主，随着HBM3 的发布以及持续放 量，预计2024 年市 场需 求 将向HBM3转移，HBM3 将替代HBM2e 成为 市场 主 流HBM 产品，市 占率 有 望由2023 年的39%提升至60%。HBM 产品 发展 历程HBM HBM2 HBM2E HBM3 HBM3E HBM4核心供应商 SK 海力士 SK 海力士、三星SK 海力士、三星、美光SK 海力士、三星SK 海力士、三星、美光SK 海力士、三星、美光首款产品发布年份 2014 年 2018 年 2020 年 2022-2023 年 2024 年 2025-2026 年芯片密度 2Gb 8-16Gb 16Gb 16Gb 24Gb 24-32Gb工艺制程 2x 2y/2z 1y/1z 1z 1 a/1 b/1 1 b/1/1 c/1 内存带宽 128GB/s 307GB/s 460GB/s 819GB/s 1.2TB/s 2 T B/s堆叠高度 4 层 4-8 层 4-8 层 8-12 层 8-12层 12-16 层主要封装技术 TSV&Microbumps TSV&Microbumps TSV&Microbumps TSV&Microbumps TSV&MicrobumpsCu-Cu Hybrid Bonding for 16HiI/O 速率 1Gbps 2-2.4Gbps 3.2-3.6Gbps 5.6-6.4Gbps 8.0-9.2Gbps 9 G b p s容量 1GB 4-8GB 8-16GB 16-24GB 24-36GB 36-64GB1.4 AMD GPU HBM3e资 料来源：TrendForce，平安 证券研 究所 展望未来，从 英伟达和AMD 主力GPU 产品 的迭代进 程以及搭载HBM 规 格规划来看，一方面，预计24H2 出 货的 英伟 达H200 将取代H100 成为 主 流，包括后续推出的GB200 及B100，均将采用HBM3e，将推动市场 逐步由HBM3 向HBM3e 升级。另一 方 面，为了提升AI服务器整体运算效能及系统 频宽，HBM 产 品 的 堆 叠 层 数 及 容 量 将 随 着 产 品 更 迭 而 持 续 提 升，以英伟达B200 及AMDMI375 为例，预计两款GPU 新品将搭载12hi288GB 规格的HBM3e。NVIDIA 及AMD AI 芯片 发展 进程 及HBM 规格 比较1.5 2025 HBM 199 资 料来源：Yole，平安 证券研 究所 生成式AI 的 快 速 发展，不 断加 速提 升数 据 中心 对HBM 技术的需求。当前AI 高工 作负 载不 断 驱动 对 更高 带宽 内存 的需 求，以 提升 硬件 设备 和处 理 单元 之间 的数 据 传输 速率，HBM 作 为当 前AI 领域 首选 的高带 宽内 存技 术，近 几年 的市 场 需求 呈现 快 速 增 长 态势。根据Yole预测数据，2023 年 全球HBM位元出货量达4.78 亿GB，预计2025年将增加至17 亿GB，2023-2025 年CAGR 达88.36%。产 值 方 面，2023 年 全 球HBM 行 业 产 值 达55 亿美元，预计2025 年 将 增 长 至199 亿 美 元，2023-2025 年CAGR 达90.22%。2023-2025 年HBM 位元 出货 量情 况0%40%80%120%160%060012001800位元出货量（百万GB）同比（%，右轴）0%60%120%180%0510152025产值（十亿美元）同比（%，右轴）2023-2025 年HBM 产值 情况1.6 HBM SK 资 料来源：TrendForce，平安 证券研 究所 三 大 原 厂不 断扩 充HBM 产能，三星 和SK 海 力 士最 为 积极。HBM 产 能 方面，根据TrendForce数据，三星和SK 海力 士的 产能 扩充 最为 积极，预 计到2024 年底，三星HBM 总 产 能 将达 约13 万片/月，SK 海 力士 约12 万片/月，而 美光 仅为2 万片/月。三大HBM 供 应 商 中，SK 海力士位居全球份额首位。根据TrendForce数据，以位元出货量作为统计口径，2023年全球HBM市场中，SK 海力 士和 三星 的市 场份 额各 占47.5%左右，而 美光 份额 约为5%。随着HBM3e 的 率 先 推出 及放 量，预计2024 年SK 海 力 士 的市 场 份额 将 增加 至52.5%，而三 星的 市 场份 额 将下 降 至42.4%。各 供应 商HBM TSV 产 能预 测（单位：千 片/月）HBM 市场 份额 情况（按 位元 出货 量）0%20%40%60%80%100%SK 海力士 三星 美光0204060801001201402023 年底 2024 年底10目录C O N T E NT STSV 为HBM核心 工艺，混合键 合将成未来主 流高 带 宽 存 储需求激增，HBM 为AI 时 代首选内存技 术投资建 议和风险提示SK 海 力士全球领先，三星、美光 奋起直追2.1 TSV HBM HBM 加 工 制 造 流 程 主 要 包 括 前 端 晶 圆 制 造 加 工，以 及 后 端Bumping、Stacking 和KGSD 测 试 环 节。其中，相 较 于 平 面DRAM的制造流程，TSV（硅通孔）技术 是HBM 实 现 芯片 垂直 堆 叠的 核 心工 艺。HBM 产品 加工 制造 流程资 料来源：SK 海 力士 官 网，平 安证 券 研究 所2.2 HBM 资 料来源：SK 海 力士 官 网，平 安证 券 研究 所 混合键合（Hybrid Bonding）有望成为未来HBM 主流堆叠技术。当 前 市 场 主 流 的HBM 堆 叠 技 术 主 要 以TCB（Thermo-Compression Bonding，热压键合）和MR-MUF（Mass Reflow Molded Underfill，批量回流焊）工艺技术为主，其中，SK 海力士从HBM2e 起便 开 始采 用MR-MUF 堆 叠技术 来缓解 芯片垂 直堆叠 带来的 散热问 题，考 虑到HBM 对于 堆叠 高 度以 及 散热 的要 求，SK 海力士预计将采用混合键合技术生产HBM4。HBM 堆叠 技术 发展 趋势2.3 TSV 资 料来源：Hanol Publishing，平安 证券研 究所 TSV 技术 是一种通过在硅芯片内部钻孔形成垂直贯通的电极并将多个芯片垂直3D 堆叠的封装 方法。传统的 引线 键 合技 术 随 着堆叠层 数和连 接引 脚的增 加会 使得布 线变得 愈发 复杂，而TSV 结合 微 凸点 的封装 技 术可 以 在有 限垂 直 空间 内实 现 更 大的 芯片堆叠密度，促使信号传输路径明显缩短，因此 可以同时达到提 高带宽和降低功耗 的作用。TSV 环节在HBM 封装 工 艺中 价值 量占 比最 高。根据3DinCites 数据，在99.5%键合良率的HBM（4 层DRAM+1 层逻辑）的BOM 成本中，TSV 创建 和TSV 暴 露合计价 值占比 达30%，为HBM 封 装工 艺中 价值 量 占比 最 大的 环节，其次 是前端制 程和后 端制 程，价值量占比分别达20%、20%。应用TSV 技术 的芯 片剖 面图 SoC 与采 用TSV 堆叠 的SiP 信号 传输 路径 长度 比较2.4 MR-MUF 资 料来源：SK 海 力士 官 网，Semianalysis，平安证 券研究 所 MR-MUF 技 术 主要通过 回流焊将多个芯片 粘合在一起，并在芯片之间 使用液态EMC 材料 进 行 间隙 填充。与传统TC-NCF 工 艺相 比，MR-MUF 具有更高的导热 效率，有助 于改 善HBM 因为堆叠层数 增加而 导致的散 热问题，以8Hi HBM 为例，在2Gbps 引脚 速率 的 相同 工作 条件下，使用MR-MUF 工艺 的HBM 产品相较TC-NCF 工艺在 最大结 温方面 降低了14。凭借率先 推出的Advanced MR-MUF 技术，SK 海力 士成 功发 布12 层HBM3 以及HBM3e，持续夯 实 市场 领先优 势。相 对于原有MR-MUF 技术，该先 进封 装 技术 在采 用了 改进 的EMC 后，很好 的改 善了 由于 芯 片减 薄导 致的 翘曲 问题，同 时还 实 现生 产效 率提 高了3 倍，散热 性能 提高了2.5 倍。MR-MUF 堆 叠技 术剖 面示 意图 MR-MUF 与TC-NCF 工艺 结温 对比2.5 EMC MR-MUF 资 料来源：SK 海 力士 官 网，华 海诚科 招股书，平安 证券研 究所 EMC（Epoxy Molding Compound，环 氧 树脂 模塑 料）为MR-MUF 主 要 间 隙填 充材 料。EMC 是用 于半 导 体封 装的 一种 热固 性化 学材 料，由环 氧树脂 作为 基体，并 加入 各种添 加剂 和填 充剂 混合 而成，主要 应用 于半 导体 封 装工 艺中 的 塑封 环节，属 于技 术含 量高、工艺 难度 大、知识 密集 型的 产 业环 节。在塑 封过 程中，封装 厂商 主要 采用 传 递成 型法 将 环氧 塑封 料挤 压入 模腔 并将 其中 的半 导 体芯 片包 埋，在模 腔内 交 联固 化成 型后 成为 具有 一定 结 构外 型的 半导 体器 件。当前SK海力士使用MR-MUF 技 术 时 主要 采 用EMC 进 行 芯片间 隙填充。EMC 为MR-MUF 主 要间 隙填 充材 料 EMC 模塑 成型 的简 要工 艺流 程图2.6 采 用微 凸块 和混 合键 合方 法的 垂直 分层 示意 图 焊料 热 压键 合 和 混合 键合Pitch 比较资 料来源：SK 海 力士官 网，Intel 官网，平安 证 券研 究 所 考 虑 到 高 带宽 存 储需 求 持续 增 长 对芯 片 堆叠 层 数 及密 度 的提 升，未 来 混 合键 合 有望 成 为HBM 主 流 堆 叠 技术。当前3D 内存堆 栈 和异 构集 成技 术 被视 为突 破摩 尔 定律 物理 极限 的关 键 技术，两 者对 互联 密 度均 提出 了极 高的 标 准，而混合 键 合技 术作为 电 子器 件突 破互 联 密度 限制 以及 实 现高 效集 成的 重要 技 术恰 好能 够满 足该 需 求。混合 键合 技术 的 显著 优势在 于 无凸 块设计，其摒 弃了 传统 的 焊料 凸块 转而 采 用更 先进 的直 接铜 对 铜的 连接 方式。与 微 凸块 技术 相比，混 合 键合 技术能 够 显著 减少电 极的 尺寸，这不 仅提 高了 单位面 积内 的I/O数量，也 有助 于降 低整 体的 功 耗，并能 够改 善 芯片 的散 热性 能。此外，混合键合 技 术 通 过 缩小芯 片间的 间隙，由此实 现大容 量封装，能够 进一 步 提高HBM 产 品 的带 宽和容 量。17目录C O N T E NT STSV 为HBM核心 工艺，混合键 合将成未来主 流高 带 宽 存 储需求激增，HBM 为AI 时 代首选内存技 术投资建 议和风险提示SK 海 力士全球领先，三星、美光 奋起直追3.1 SK 资 料来源：TrendForce，平安 证券研 究所 韩 系厂 商为 当前HBM 市 场 绝对 主力 供 应。SK 海力 士作为AI 存储 领域 先 行者，产品 覆 盖HBM 全世代产 品，得 益于 先 行优 势，SK 海力士 市占率全球 领先 并 成为 英 伟达 核 心HBM 供应商，三星则凭 借 其在 存储 领域 长期 积累 的 技术 实力 以及 和AMD 保持的长期战略伙伴关系，相关产 品持 续 通过 验证 并放 量，市场份 额紧随SK 海力士，而 美光不 论是供 应产能 还是市 场份额 方面均有所 落后，选择 跳过HBM3 直接进入HBM3e。从HBM3e 供应进展来看，根据TrendForce，24Q1 SK 海力士率先 通过验 证，美 光紧 跟 其后，并 计划于24Q1 量产HBM3e 产品，三星 由 于递 交 样品 时 点相 对 略晚，预计其HBM3e 将于24Q2 才 开始 正式 出 货。HBM3 及HBM3e 供 应商 进展3.2 SK AI 资 料来源：SK 海 力士 官 网，平 安证 券 研究 所 SK 海力 士作 为 全球 领 先的AI 存储 厂商，自2014 年发布第一 代HBM 后便 持续 加 大HBM 产品 的研 发投 入，凭借Advanced MR-MUF、HKMG 等基本技术，公司HBM 产品综合性能优势突出，及时满 足了AI 对高带宽存储的增长需求，市场份额全球领先。公司于24Q1 实现HBM3e 出货，当前 良 率接 近80%，公司正 与台积 电合作 开发HBM4，考 虑到 当 前HBM 强劲需求，SK 海力 士 计划 提 前一 年 在2025 年发 布HBM4。为了保持 在HBM 领域的持续领 先地位，6 月30 日SK 海力 士宣 布计 划在2028 年前投资 约82万亿韩元用于HBM。此前，公司 表示计 划投资20万亿韩元建设M15X 晶圆厂，该生产 基地主要以制造DRAM 为主，预计于2025 年底开始运营，该工 厂将 进一 步 优化 公司HBM 的生产效率。另外，SK 海力士还计 划投资38.7 亿美 元建 设位 于 印第 安 纳州 西拉 斐特 的 先进 封 装工 厂，用于 生产HBM 等AI 存储产品，预计于2028 年投产。SK 海 力士HBM 产 品发 展历 程及 规划 SK 海 力士 营收 情况（按 产品 划分）3.3 HBM 资 料来源：三星 官网，平安证 券研究 所 三星作为全球存储芯片龙 头之一，不论是 研发技术还是市场 影响力均是行业 领先水平，由于 技 术路 径差 异和 市 场战 略定 位等 原因，三星HBM 市占率略低于SK 海力 士位 居全 球 第二。24 年2 月三星发布首款12 层HBM3e，相较8 层HBM3，在带宽和容量 上大幅提 升 超过50%，垂直密度提高20%。与SK 海力士用MR-MUF 生产HBM3e 不同，三星主要采用先进TC-NCF 技术，使得12 层和8 层堆叠产品的高度 保持一致。此外，三星 还计 划 在2026 年推 出16 层HBM4 产品。为了提高市场份额并缩短 与SK 海力士的差距，一方 面，三星通过改 组及新设持续优化HBM 研发团队，另一方面，公司 积极 扩 建HBM 产能，以2023 年HBM 产量为 基准，预计2024 年产 量将 提升2.9 倍，2026/2028 年将 分别 提 升13.8 倍/23.1 倍。三星HBM 产品 技术 路演 图三星HBM-PIM 产 品结 构示 意图3.4 HBM3e 24/25 HBM 资 料来源：美光 官网，平安证 券研究 所 由于美光在HBM 领域 的进 展相 对落 后于SK 海力士和三星，公司 选 择直 接跳 过HBM3 进行HBM3e 研发，其功 耗相 对同 业竞 品 低30%，公司HBM3e 在FY24Q2 便实现出 货并将 用于英 伟达H200 Tensor Core GPU 系统。得 益于AI 需求 增长，FY24Q3 公司HBM3e 单季 度收 入 达1 亿美元，预计HBM 产品将在FY24 创造数亿美元的收入，在FY25 将贡献超十亿美元的收入。当前公司 已完成12 层HBM3e 送样，预计将于FY25 实现规 模 出货，HBM4 则有望在2026-2027 年期 间推 出。资本支出方面，FY24 公司资本支出将接近80 亿美元，同时公司预计FY25 资本支出将占总收入30%，主要用于支持HBM 封测设备、晶圆厂 和 后端 的 基础 设 施建 设。此外，公司2024/2025 年的HBM 产能 已基 本售 罄。美光AI 存 储发 展规 划图22目录C O N T E NT STSV 为HBM核心 工艺，混合键 合将成未来主 流高 带 宽 存 储需求激增，HBM 为AI 时 代首选内存技 术投资建 议和风险提示SK 海 力士全球领先，三星、美光 奋起直追4.1 资 料来源：Wind，平安 证券 研 究所（联瑞 新 材为 平 安证 券 有色 与 新材 料 团队 覆 盖标 的，其 余 未覆 盖 标的 盈 利预 测 为Wind 一致 预 期）当前AI 算力持续高景气背景 下，HBM 作为AI 硬件/系统 提升 算 力性 能的 重要 内存 技术，市 场需求呈现强 劲增长态势。另外，根据美光数据，同一 节 点/容量 条 件下，HBM3e 的产 能消 耗是DDR5 三倍，同时 考 虑到TSV、MR-MUF 等 先进 封装 技术 对 半导 体设备、材料、封测 环节的高标 准要求，以及 当前原厂积 极扩产计划，相关 产业 链 有望 持续 受 益。半导体 材料方面，建 议关注雅克科技、联瑞新 材、华海诚 科；半导体设 备方面，建 议关 注精 智 达、赛腾股份、长川 科技；封 测端 则 建议 关注 通富 微电、深科技；同时建议关注SK 海力士重要经销商香农芯创。股票简称 股票代码2024/7/12 EPS（元）PE(倍)评级收盘价(元)2023A 2024E 2025E 2026E 2023A 2024E 2025E 2026E华海诚科 688535 69.20 0.39 0.62 0.82 1.09 177.4 111.6 84.4 63.5推荐通富微电 002156 23.40 0.11 0.75 1.49 1.94 212.7 31.2 15.7 12.1推荐联瑞新材 688300 51.37 0.94 1.26 1.63 2.16 54.6 40.8 31.5 23.8推荐雅克科技 002409 69.22 1.22 2.10 2.85 3.71 56.7 33.0 24.3 18.7未评级精智达 688627 42.43 1.23 1.66 2.24 2.68 34.5 25.6 18.9 15.8未评级赛腾股份 603283 72.40 3.43 4.09 4.85 5.83 21.1 17.7 14.9 12.4未评级长川科技 300604 32.15 0.07 0.76 1.21 1.53 459.3 42.3 26.6 21.0未评级深科技 000021 15.11 0.41 0.60 0.79 0.97 36.9 25.2 19.1 15.6未评级香农芯创 300475 31.50 0.83 1.01 1.28 1.68 38.0 31.2 24.6 18.8未评级重 点公 司预 测与 评级4.2 资 料来源：Wind，平安 证券研 究所 雅克 科技 主 营业 务 涉及 电 子材 料、LNG 保温 绝热 板材 和 阻燃 剂 三大 业务。其中，公司 前驱体产 品国际 范围内 技术领 先，产品应用于半导体集 成电路存储、逻辑芯片 的制造环节，主要销售给 三星电子、英特尔、台 积电、SK 海力士、中芯国际、长江存储与合肥长鑫等国内外半导体芯片头部生产商。当前公司前驱体产 品基本实现12 寸大 客户群体的全 面覆盖，多 款新产品目前 送样测试进 程顺利。另外，子公司江苏 先科宜兴生产 基地 建 设顺 利，硅类 前驱 体产 品已 经 稳定 出 货，产能 持续 爬 坡中，High-K 前驱 体 和金 属前 驱体 产 品样 品 出货 正 常，已经逐步具备业务连续性优势。0%20%40%60%80%01020304050营业收入（亿元）同比增长（%，右轴）-40%0%40%80%120%160%02468归母净利润（亿元）同比增长（%，右轴）雅 克科 技营 收情 况 雅 克科 技归 母净 利润 情况4.3 0%20%40%60%0200400600800营业收入（百万元）同比增长（%，右轴）-20%0%20%40%60%80%04080120160200归母净利润（百万元）同比增长（%，右轴）公 司 为 国 内 领 先 的 无 机 填 料 和 颗 粒 载 体 供 应 商。公 司 持 续 聚 焦 高 端 芯 片（AI、5G、HPC 等）封装、异 构 集 成 先 进 封 装（Chiplet、HBM 等）、新一 代高 频高 速 覆铜 板（M7、M8）等下游应用 领域的先进技术，持续 推出 多 种规 格低CUT 点Low 微米/亚微米球形硅微粉、球形氧化铝粉、高频高速覆铜板用低损耗/超低损耗球形硅微粉等。当前公司研发创新项目 顺利推进，UF 用亚微米球形 氧化铝开发、晶 圆级芯片封装用 球形二氧化硅开 发项目已进入工 程化阶段；超低 损耗 高速 基 板用 球形 二 氧化 硅开 发项 目等 进入 产 业化 阶段；环氧 塑封 料用 球形 硅微 粉 流动 性提 升 项目、先进毫 米波雷达用球形硅微粉开发等项目已经实现产业化并结题。联 瑞新 材营 收情 况 联 瑞新 材归 母净 利润 情况资 料来源：Wind，平安 证券研 究所4.4-20%0%20%40%60%0100200300400营业收入（百万元）同比增长（%，右轴）华 海诚 科 致力 于半 导 体封 装 材料 环氧 塑 封料 和 组装 材料 电 子胶 黏 剂的 研发、生产和 销售，是国 内少数 芯片 级固 体和液体 封装 材 料研 发量 产 的专 业 工厂。在先进 封装 领域，公司颗 粒状环 氧塑封 料（GMC）可以 用于HBM封装，该产 品已 成功 通过 多 个客 户 考核 通过，自主 研 发的GMC 制 造专 用设 备已经 具备量 产能力 并持 续优化；公司 已经完 成验 证的 芯片级底 填正 在 处于 前期 量 产准 备 阶段，和最 终客户 协同 开发的 适用于“芯粒”封 装的 特 殊性 能底 部 填充 胶 正在 认证 考核，公 司 新购 置一 套LMC 专 用压 缩模 塑 设备，进 一步 加快 了LMC 产 品 的研 发进 度。针对 部分 客户 的特 殊 要求，公司 还 开发了 非流 动 型底 部 填充 材 料。华 海诚 科营 收情 况 华 海诚 科归 母净 利润 情况-200%0%200%400%600%01020304050归母净利润（百万元）同比增长（%，右轴）资 料来源：Wind，平安 证券研 究所4.5 HBM0%20%40%60%80%100%0150300450600750营业收入（百万元）同比增长（%，右轴）精智 达是 国内 领 先的 检测 设 备与 系统 解决 方案 提供 商，主营业务 涉及新型显示 器件检测设 备业务和半 导体存储器测 试设备业务。在半 导体 存储 器 测试 设 备方 面，公 司主要 聚焦于 半导 体存储 器、影 像传感 器和 显示驱 动器SoC 的后道 测试，是 目前国内少数的半导体存储器测试设备业务全覆盖的厂商之一。当前 公司 探针 卡 产品、老化 修复设备 等均已通过 国内主要存 储器件厂商 验证并取得 批量销售业 绩；晶圆 测试机与FT 测试机研发持续推进，其中晶圆测试机样机验证工作接近完成，应 用于FT 测试机的9Gbps 高速接口ASIC 芯片已经实现工程流片，同时公司正配合相关客户开发针对如HBM 测试需求的测试技术和设备。精 智达 营收 情况 精 智达 归母 净利 润情 况-50%0%50%100%150%200%0306090120150归母净利润（百万元）同比增长（%，右轴）资 料来源：Wind，平安 证券研 究所4.6 3C+HBM 赛腾 股份 是一 家 专业 提供 智 能制 造解 决方 案的 高新 技 术企 业，主 要从 事智 能制 造装 备的 研 发设 计、生 产销售及技术 服务，公司在深耕消费电子的同时积极拓展半导体等行业市场，通 过收购全球领先的晶圆检测设备供应 商日本OPTIMA 进入晶 圆检测及量测 设备 领 域，并 成为Sumco、三星、协鑫、奕斯 伟、中环 半导体 等境内外 知名晶 圆厂商晶 圆检测量 测设备 供应商。收购以来，公司 高效 完成 技术 整合，持续 拓宽 在高 端半 导体 领域 的设 备产 品 线和 在HBM 等新兴 领域的应用，并着 力提 升单 台设 备价值量，通过“全球技术+中国市场”战略，公司晶圆检测及量测设备正在快速打开国内市场空间，将经过业内头部客户验证的先进技术加速导入国内半导体厂商，助力国产晶圆检测设备占有率不断提升。赛 腾股 份营 收情 况 赛 腾股 份归 母净 利润 情况0%20%40%60%80%010002000300040005000营业收入（百万元）同比增长（%，右轴）0%40%80%120%160%0200400600800归母净利润（亿元）同比增长（%，右轴）资 料来源：Wind，平安 证券研 究所4.7 长川科技自成立以来始终专注于集成电路测试设备领域，产品覆盖测试机、分选机、探针台、AOI设备和自动化设备等多个领域，并获 得长 电 科技、华天 科技、通富 微 电、士兰微、华润微电 子、日月 光等 多个 一流 集 成电 路企 业 的使 用和 认可，以自主研发 的 产品 实现 了 测试 机、分选机 的部 分进 口替 代。为 持续 完善 产业 链 布局，一 方面，2019 年公 司完 成对STI 的收 购，STI 的2D/3D 高精度光学检测技术（AOI）居行业前列，并 与德州仪器、三星、日月光、美光等多家国际IDM 和封测厂商建立了长期稳定的合作关系。此外，公司在2023 年收购了EXIS，EXIS 在转塔式分选机细分领域积累了丰富的经验，帮助 上市 公司 实现 重力式分选机、平移式分选机、转塔式分选机的产品全覆盖。长 川科 技营 收情 况 长 川科 技归 母净 利润 情况-40%0%40%80%120%0100020003000营业收入（百万元）同比增长（%，右轴）-200%0%200%400%600%800%0100200300400500归母净利润（百万元）同比增长（%，右轴）资 料来源：Wind，平安 证券研 究所4.8 通富微电是国内半 导体集成电 路封装与测 试龙头，根据 公司23 年 年报，公司 连续多年跻身 全球半导体 封测企业前十。当前公司主要提供集成电 路封装测试 一站式服务，包含 集成 电 路的 设计 与 特性 仿真、晶圆 中道 封装 及测 试、系 统级 封装 及 测试 服务。产品主要应用于智能移动终端、汽车电子、数据中心、人工智能等领域，产品基本实现从传统封装到中高端封装的全覆盖。通富微电与世界领先芯片设计公司 AMD 形成了“合资+合作”的强强联合模式。基于通富微电与AMD 公司深度绑定，在人工智能时代，其领先的VISionS 平台和2.5D/3D 先进 封装 技术 优势 明 显，不断突破高 端封装领域。当 前公司超大尺寸2D+封装技术、3 维堆叠封装技术、大尺寸多芯片chiplast 封装技术已验证通过。通 富微 电营 收情 况 通 富微 电营 收情 况0%10%20%30%40%50%050100150200250营业收入（亿元）同比增长（%，右轴）024681012归母净利润（亿元）资 料来源：Wind，平安 证券研 究所4.9 公司 为全 球领 先 的专 业电 子 制造 企业，构 建了 以存 储 半导 体、高 端制 造、计量 智能 终端 为 三大 主营 业 务的 发展 战略。在半导体封测业务领域，公司 主要从事高端存 储芯片的封装与测 试，产品包括DRAM、NAND FLASH 以 及嵌 入式 存储 芯片，作为国内领先 的独 立DRAM 内 存芯片 封装测 试企业，公司 研发 工 程团 队 行业 经 验丰 富，具备 多层 堆 叠封 装 工艺 能 力和 测 试软 硬件 开发能力。当前 公司 在先 进封 测 领域 积极 布局，不仅成立 了先进封装 研发中心，还 与高 校和 业 内知名企业 保持深度合作，共同 开展 先 进封 装工 艺技 术的 联合 研发。2023 年，公 司完 成16 层堆 叠技 术研 发并 具备 量产 能力，超薄POPt 封装 技术（Package onPackage，叠层封装技术）实现量产。深 科技 营收 情况 深 科技 归母 净利 润情 况-20%-10%0%10%20%04080120160200营业收入（亿元）同比增长（%，右轴）-80%-40%0%40%80%120%160%0246810归母净利润（亿元）同比增长（%，右轴）资 料来源：Wind，平安 证券研 究所4.10:SK 香农芯创主要从事电子元器件产品分销业务，公司当 前已取得SK 海力士、MTK 的代理权。凭借原厂线 代理权优势，公司已具备数据存储器、主控芯片、模组等电子元器件产品提供能力，产品广泛应用于云计算存储、手机、
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