半导体设备行业系列研究十：存储器扩产浪潮已至，国产设备千帆竞发.pdf

识别风险 ， 发现价值 请务必阅读末页的免责声明 1 / 27 Table_Page 行业专题研究 |机械设备 2020 年 2 月 18 日 证券研究报告 Table_C ontacter 本报告联系人： Table_Title 半导体设备行业系列研究十 存储器 扩产 浪潮 已至 ，国产设备 千帆竞发 Table_Author 分析师： 周静 分析师： 罗立波 分析师： 许兴军 SAC 执证号： S0260519090001 SAC 执证号： S0260513050002 SAC 执证号： S0260514050002 021-60750636 021-60750636 021-60750532 zhoujinggf luolibogf xuxingjungf 分析师： 代川 SAC 执证号： S0260517080007 SFC CE.no: BOS186 021-60750615 daichuangf 请注意，周静 ,罗立波 ,许兴军并非香港证券及期货事务监察委员会的注册持牌人，不可在香港从事受监管活动。 Table_Summary 核心观点 ： 国内存储器投资： 2020 年有增速向上拐点 , 中长期具备巨大潜力。 当前中国存储器产业面临历史性机遇，促使国内存储器厂商积极进行工艺研发与产能建设，长期性与规模性的 下游 投资将对国产装备创造极佳的成长环境。其中长江存储与合肥长鑫都将在 2020 年进入积极的产能爬坡期，预期将促使设备需求大幅增长。根据集邦咨询数据， 19 年 Q4 长江存储产能 2 万片 /月（ 12 英寸）， 2020 年底有望扩产至 7 万片 /月；合肥长鑫目前产能已达到 2 万片 /月，预计 2020 年第一季度末达到 4 万片 /月。我们测算 2020-2022 年 本土 存储器厂 设备 投资分别为 291.9 亿元 /519.7 亿元 /860.4 亿元，分别同比 增长 231%/78%/66%。 本土存储器厂国产化逻辑清晰，助力国产装备加速发展 。 由于对成本更加敏感，以及采用 IDM 模式、设备自主权更高，预期本土存储器厂更加积极的引入国产装备。根据中国招标网，截止 2020 年 2 月长江存储主要设备国产化率总体为 7.1%，其中 2020 年前两个月国产装备中标比例达到 14.3%，提升显著。后续随着后期国产装备逐步验证通过，以及晶圆厂工艺顺利进展、逐步提升产能，国产化率有较大提升空间。根据测算，如果 2021年国产化率达到 15%20%，本土存储器厂的国产装备市场将达到 78.0 亿元 103.9 亿元，有望突破百亿空间。 关注存储器发展对半导体设备需求趋势影响 。 （ 1）刻蚀设备 。趋势一，先进制程与存储技术推动刻蚀设备投资占比提升；趋势二， 3D NAND 要求刻蚀技术实现更高的深宽比；趋势三，刻蚀精度要求提升，推动 ICP 刻蚀设备占比提升。（ 2）测试设备。国内存储器厂 建设，将直接推动存储器测试设备快速增长。根据爱德万公司预测，预计 2020 年全球存储器测试设备市场空间 8 亿美元，同比增长 23.1%。（ 3）过程工艺控制。高深宽比存储结构带来的良率控制难题。根据 Gartner， 2018 年全球半导体过程工艺控制设备市场空间 58 亿美元，其中缺陷检测、测量设备市场分别为 34 亿美元、 22 亿美元。 （ 4）清洗设备。清洗步骤不断增加，清洗更具挑战性与关键性。在 20nm 及以上领域，清洗步骤数量占到所有工艺步骤数量的 30%，最多可重复 200 次。 投资建议： 国内存储器厂的积极投资，将助力国产装备加 速发展。建议关注国内从事半导体设备优质厂商： 北方华创（电子小组覆盖）、中微公司 *、精测电子 *、至纯科技、芯源微 *、盛美半导体（ ACMR.O）、长川科技 *、华兴源创 *、晶盛机电 *。（标 *表示与广发电子、电新等小组联合覆盖） 风险提示 ： 行业投资波动带来的收入不确定性；行业竞争加剧导致毛利率下滑；技术研发及国产化趋势推进不及预期；国家产业扶持政策变化或扶持力度不及预期。 识别风险 ， 发现价值 请务必阅读末页的免责声明 2 / 27 Table_PageText 行业专题研究 |机械设备 重点公司估值和财务分析表 股票简称 股票代码 货币 最新 最近 评级 合理价值 EPS(元 ) PE(x) EV/EBITDA(x) ROE(%) 收盘价 报告日期 （元 /股） 2019E 2020E 2019E 2020E 2019E 2020E 2019E 2020E 中微公司 688012 CNY 205.48 2019/11/26 买入 74.70 0.37 0.51 555.7 403.1 191.57 100.40 5.1 6.7 精测电子 300567 CNY 68.05 2020/2/5 买入 70.22 1.11 1.76 58.6 37.0 40.19 27.75 19.1 23.2 华兴源创 688001 CNY 55.33 2019/6/21 - - 0.75 1.00 73.4 55.0 - - 13.5 15.4 北方华创 002371 CNY 146.4 2020/2/4 买入 136.2 0.68 1.26 215.3 116.2 94.91 64.66 5.5 9.5 芯源微 688037 CNY 144.7 2019/12/6 - - 0.33 0.50 438.5 289.4 - - 3.7 5.3 晶盛机电 300316 CNY 22.01 2020/2/12 买入 24.52 0.53 0.82 41.8 27.0 32.40 21.39 14.4 18.6 数据来源： Wind、广发证券发展研究中心 备注 ：表中估值指标按照最新收盘价计算。 识别风险 ， 发现价值 请务必阅读末页的免责声明 3 / 27 Table_PageText 行业专题研究 |机械设备 目录索引 一、国内 存储器投资空前 ，装备国产化发展空间广阔 . 5 （一）国内存储器投资：具备长期性与规模性， 2020 年迎增速向上拐点 . 5 （二）本土存储器厂国产化逻辑清晰，助力国产装备加速发展 . 8 二、存储器发展对半导体设备需求趋势影响 . 11 （一）刻蚀设备：投资占比提升，高深宽比刻蚀及 ICP 刻蚀需求增加 . 11 （二）测试设备：将直接推动存储器测试设备快速增长 . 15 （三）过程工艺控制：高深宽比存储结构带来的良率控制难题 . 18 （四）清洗设备：清洗步骤不断增加，清洗更具挑战性与关键性 . 22 三、投资建议与风险提示 . 25 识别风险 ， 发现价值 请务必阅读末页的免责声明 4 / 27 Table_PageText 行业专题研究 |机械设备 图表索引 图 1：几家国际巨头资本开支（亿美元） . 5 图 2： 10nm 多重模板工艺涉及多次刻蚀 . 12 图 3：刻蚀设备在 3D NAND 资本开支的份额 . 12 图 4：低线宽时代刻蚀设备和 CVD 设备需求量增加（金额占比 %） . 12 图 5：典型的 3D NAND 结构示意图 . 13 图 6：刻蚀设备的工作原理 . 14 图 7：刻蚀产品的分类及其特点 . 14 图 8： 测试在集成电路全过程中的应用 . 15 图 9： 2017 年集成电路市场空间及结构、 ATE 市场空间及结构 . 16 图 10： 爱德万测试设备订单情况（十亿日元） . 17 图 11： 爱德万公司分区域订单（十亿日元） . 17 图 12： 2018 年过程工艺控制检测各种检测设备占比 . 19 图 13：不同设计规则对应的工艺步骤数量 . 19 图 14： 3D NAND 器件 HAR 结构面临的主要挑战 . 20 图 15： KLA 营业收入（百万美元） . 21 图 16： KLA 毛利率与净利率 . 21 图 17：清洗步骤随工艺节点缩小不断增加 . 22 图 18：晶圆产出率随工艺节点缩小而下滑 . 22 图 19： 清洗设备市场规模（百万美元） . 24 表 1：国内主要在建晶圆厂（存储器） . 6 表 2：国内主要在建晶圆厂（存储器） . 7 表 3：长江存储、华力集成、华虹无锡、晶合集成国产化率 . 9 表 4：长江存储各类设备国产化情况（截止 2020 年 2 月） . 9 表 5：国产装备在长江存储的中标情况（截止 2020 年 2 月） . 10 表 6：本土存储器厂投资对应的国产装备市场空间测算（亿元） . 10 表 7：干法刻蚀的主要内容与刻蚀要求 . 11 表 8： IC 产品的不同电学测试（从设计阶段到封装的 IC） . 15 表 9：常见清洗工艺 . 22 表 10：主要清洗设备 . 23 表 11：行业内主要海外上市公司估值（市值统计截止 2020.2.17 收盘） . 25 识别风险 ， 发现价值 请务必阅读末页的免责声明 5 / 27 Table_PageText 行业专题研究 |机械设备 一、 国内 存储器投资空前 ，装备国产化发展空间广阔 （一）国内存储器投资：具备长期性与规模性， 2020 年 迎增速向上拐点 生产制造能力是存储器厂商的核心竞争力，促使投资规模化、长期化。 存储器产业的两大特点即拼制造工艺、拼产能。这是因为存储芯片技术标准化程度高，各家厂商的产品容量、封装形式都遵循标准的接口，性能也无太大差别，在同质化竞争情况下，存储厂商通过提升制造工艺，提供制造产能，利用规模优势降低成本，从而赢得市场。 存储芯片厂商都是在掌握核心技术基础上凭借规模取胜的。过去 30余年中，全球存储器产业经历了两次区域性的产业转移： 20世纪 80年代存储产业重心从欧美国家转移到日本， 90年代从日本转移到韩国。全球两次存储转移都有着重要的产业背景。存储器从美国向日本的转移，根本原因是日本经济二战后 迅速崛起的历史浪潮，直接原因则受益于电子制造业从欧美向日本的转移。上世纪 90年代，韩国抓住了 6英寸晶圆厂过渡到 8英寸的世代交替，以 9座 8英寸晶圆厂的产能优势，一举取代日本厂商，跃居全球 DRAM产业的首位。 当前存储器技术正在发生革命性的变革、同时全球半导体产能正向中国转移，中国存储器产业正面临历史性机遇，这促使国内存储器厂商积极进行工艺研发与产能建设，并且这种投入具备长期性与规模性。 图 1： 几家国际巨头资本开支（亿美元） 数据来源： Bloomberg，广发证券发展研究中心 国内 存储器投资： 2020年有增速向上拐点 , 中长期具备巨大潜力 。 中国大陆在过去五年掀起了存储芯片制造厂建设热潮。目前我国三大存储阵营，主要包括专注于 3D NAND闪存的长江存储 （紫光集团与武汉合作） ，专注于移动式内存（ DRAM）的合肥长鑫 （兆易创新与合肥合作） 以及利基型内存（ NOR Flash， SRAM等）的福建晋华 （联电与福建合作） 。 三个项目在 2016-2017年开工 ， 其中福建晋华目前仍处于停滞状态，而长江存储与合肥长鑫都将在 2020年进入积极的产能爬坡期，预期将促使设备需求大幅增长。 长江存储 ： 总投资 240亿美元， 2018Q4成功实现 32层 NAND量产， 2019年 9月 2日宣布已开始量产基于 Xtacking架构的 64层 256 Gb TLC 3D NAND闪存。产能规划-50100150200250300350400-20406080100120140160英特尔 台积电 美光 海力士 三星（右轴）识别风险 ， 发现价值 请务必阅读末页的免责声明 6 / 27 Table_PageText 行业专题研究 |机械设备 方面，根据集邦咨询数据， 19年 Q4长江存储产能在 2万片 /月（ 12英寸），到 2020年底有望扩产至 7万片 /月， 2023年扩产至 30万片 /月产能。投资水平方面，根据湖北省 发改委发布信息 ，长江存储一期投资 569.5万元（对应 10万片 /月产能），其中 2018、2019年计划投资分别为 200万元、 50万元。 合肥长鑫： 总投资 1500亿元，总规划三期，全 部完成后产能 36万片 /月（ 12英寸），其中一期设计产能 12万片 /月， 目前产能已达到 2万片 /月，预计 2020年第一季度末达到 4万片 /月，后续扩产节奏将视研发进程、产品良率和市场需求来决定。投资水平方面，根据安徽省政府发布 信息 ， 合肥长鑫一期投资 534亿元，截止 2018年底合计投资 191.3亿元， 2019年计划投资 50亿元。 此外，紫光集团 曾宣布在 南京、成都、重庆陆续展开 集成电路基地建设 ，三地项目紫光投资总规模在千亿级别，有望中期对半导体设备需求形成有力支撑。但需要注意，目前均处于工程建设阶段，建设进程以及最终投资规模存在不确定性 。 其中计划在 紫光南京存储器制造基地计划投资 300亿美元，根据南京市 人民政府发布信息 ，紫光南京存储器制造基地（一期）投资计划 800亿元， 总建筑面积约 155万平方米，包括国际城研发园； IC国际城；半导体产业基地：建设设存储器制造基地及研发封装测试中心，年产 3D-NAND存储芯片 120万片。 2019年处于主体建造期 ，2018-2019年合计计划投入 50亿元左右。 表 1： 国内主要在建晶圆厂 （存储器） 晶圆厂 城市 模式 主要生产项目 投资金额（亿元） 产能（千片/月） 其中一期投资（亿元） 动工时间 /计划动工 长江存储 武汉 IDM 3D NAND 1600 300 570 2016 年 12 月 合肥长鑫 合肥 IDM DRAM 1500 125 534 2017 年 6 月 福建晋华 泉州 IDM NOR Flash、 SRAM 370 60 2016 年 7 月 紫光南京 南京 IDM NAND Flash、 DRAM 2000 300 800 2018 年 紫光成都 成都 IDM 3D NAND 1600 300 700 2018 年 紫光重庆 重庆 IDM DRAM 1000 500 2018 年 武汉新芯（扩产） 武汉 晶圆代工 NOR Flash、微控制器等 120 13 120 2018 年 8 月 三星西安 西安 IDM NAND Flash 1000 80 450 2018 年 3 月 海力士无锡 无锡 IDM DRAM 560 40 560 2017 年 7 月 合计 9750 4234 数据来源：芯思想研究院，广发证券发展研究中心 备注 ： 其中紫光在南京 、 成都 、 重庆的总投资包含建设 IC 国际城、研发中心、 存储器 制造基地 等多个项目 。 根据与非网，紫光成都存储器制造基地项目总投资 240美元，将建设 12寸 3D NAND 存储器晶圆生产线，并开展存储器芯片及模块、解决方案等关联产品的研发、制造和销售，旨在打造世界一流的半导体产业基地。据悉，项目全部建成将可形成月产芯片 30万片。根据成都市 发改委 发布信息 ，紫光成都存储器制造基地项目一期总投资 702亿元， 2019年进入主体施工阶段，按计划 2020年第三季度投产，到 2020年四季度月产能可爬升到 1到 2万片。 2019年 6月紫光集团发布公告，宣布组建 DRAM事业群。此举标志着 DRAM业务识别风险 ， 发现价值 请务必阅读末页的免责声明 7 / 27 Table_PageText 行业专题研究 |机械设备 版块在紫光集团内部获得战略提升。紫光集团将成为继美光（ Micron）之后，全球第二家拥有 DRAM、 NAND Flash、 NOR Flash全线存储芯片晶圆制造能力的公司。2019年 8月紫光集团与重庆市人民政府签署合作协议，紫光集团将在重庆两江新区发起设立紫光国芯集成电路股份有限公司和重庆紫光集成电路产业基金，建设包括DRAM总部研发中心在内的紫光 DRAM事业群总部、 DRAM存储芯片制造工厂、紫光科技园等。其中 DRAM存储芯片制造工厂预计总投资超过 500亿元，计划于 2019年底开工建设，预计 2021年建成投产。 另外 ， 根据与非网， 2018年 8月武汉新芯召开二期扩产项目现场推进会在武汉召开。据悉武汉新芯二期扩产项目规划总投资 17.8 亿美元； 2018年 12月开始进入设备安装调试。 2019年武汉新芯二期扩产项目顺利投产，将于 2020正式量产。 按照目前可知的项目计划与建设进程，我们测算了目前国内主要存储器厂未来几年的投资规模。根据测算， 2019-2022年国内存储器厂投资规模分别为 321.7亿元/495.0亿元 /806.0亿元 /1116.3亿元，分别同比变动 -9%/+54%/+63%/38%； 其中本土2019-2022年本土存储器厂投资规模分别为 88.3亿元 /291.9亿元 /519.7亿元 /860.4亿元，分别同比变动 -54%/+231%/+78%/+66%。 表 2： 国内主要在建晶圆厂 （存储器） 2016 2017 2018 2019E 2020E 2021E 2022E 设备总投资（亿元） 400.0 518.7 824.3 818.0 1258.9 1851.1 2473.1 同比增速 37% 30% 59% -1% 54% 47% 34% 其中：逻辑芯片投资 251.9 387.4 471.3 496.3 763.9 1045.2 1356.9 同比增速 74% 54% 22% 5% 54% 37% 30% 存储器投资 148.1 131.3 353.1 321.7 495.0 806.0 1116.3 同比增速 0% -11% 169% -9% 54% 63% 38% 本土存储器厂投资 0.0 82.0 191.6 88.3 291.9 519.7 860.4 同比增速 134% -54% 231% 78% 66% 本土存储器厂投资带来的设备总需求需求 光刻设备 13.8 32.2 14.8 49.0 87.3 144.6 光刻机 11.0 25.8 11.9 39.2 69.9 115.6 光刻胶处理设备 2.8 6.4 3.0 9.8 17.5 28.9 刻蚀设备 15.2 35.6 16.4 54.3 96.7 160.0 介质刻蚀 7.3 17.1 7.9 26.1 46.4 76.8 硅刻蚀 7.2 16.8 7.7 25.5 45.4 75.2 其他刻蚀设备 0.8 1.8 0.8 2.7 4.8 8.0 沉积设备 17.0 39.7 18.3 60.4 107.6 178.1 CVD 11.2 26.3 12.1 40.0 71.2 117.9 其他沉积设备 5.7 13.4 6.2 20.4 36.4 60.2 过程工艺控制 7.3 17.1 7.9 26.0 46.3 76.6 量测设备 0.8 1.9 0.9 2.9 5.2 8.7 关键尺寸检测 0.8 1.8 0.8 2.7 4.8 8.0 光罩检测 1.2 2.7 1.3 4.2 7.4 12.3 宏观缺陷检测 0.2 0.5 0.2 0.8 1.3 2.2 无图案晶圆检测 0.4 1.0 0.4 1.5 2.6 4.3 识别风险 ， 发现价值 请务必阅读末页的免责声明 8 / 27 Table_PageText 行业专题研究 |机械设备 有图形晶圆检测 2.6 6.0 2.8 9.1 16.3 27.0 缺陷评估和分类 0.5 1.2 0.6 1.9 3.4 5.6 其他 0.8 1.9 0.9 2.9 5.2 8.7 清洗设备 7.7 18.0 8.3 27.4 48.9 80.9 槽式清洗设备 1.5 3.6 1.7 5.5 9.8 16.2 单片式清洗设备 6.2 14.4 6.6 22.0 39.1 64.7 测试设备 6.6 15.3 7.1 23.4 41.6 68.8 SOC 测试 3.1 7.2 3.3 10.9 19.4 32.1 存储器测试 1.0 2.3 1.1 3.5 6.2 10.3 其他测试设备 0.3 0.6 0.3 0.9 1.7 2.8 分选机 1.2 2.7 1.3 4.2 7.4 12.3 探针台 1.1 2.5 1.2 3.9 6.9 11.4 封装设备 4.9 11.5 5.3 17.5 31.2 51.6 其他设备 9.5 22.2 10.2 33.9 60.3 99.8 数据来源：芯思想研究院，广发证券发展研究中心 （二）本土存储器 厂国产化逻辑清晰 ，助力国产装备加速发展 基于以下原因 ，本土 存储器厂更加积极的引入国产装备 ： 1.对成本更加敏感。 因为存储芯片技术标准化程度高，产品性能无太大差别，因而成本优势成为最重要的竞争力； 逻辑芯片厂 /代工厂对工艺更加看重，对设备价格相对不那么敏感。本土存储器厂与国产装备共同努力、实现装备国产化，打破国外龙头垄断，有望互利共赢。 2.采用 IDM模式，设备自主权更高。 IDM模式是存储器产业普遍选择。 IDM模式有两个特点，一是要尽可能把工艺技术做到极致；二是产能扩大，尽可能降低成本，通过成本优势扩大市场份额。 IDM模式的特点与存储器产业的发展重点相吻合，全球存储器产业构成中，三星、 SK海力士、美光等无一例外都是 IDM厂商。其重点在于在通用性下实现多样化，根据客户的需求而推向先进工艺制程。对代工厂而言，其设备采 购往往受到下游制约，设备可能会由终端客户和设计厂所指定 ； 而在 IDM模式下，晶圆厂对设备的自主权更高 ，这给国产装备创造了更多机遇。 3.长期规模投资为国产装备营造极佳的发展环境 。 由于存储器的工艺种类比较单一，同时存储器厂为了性价比，会做单一工艺配置的设备、或者较逻辑芯片设备在配置上有所降低。比如用于测试芯片性能的 ATE方面， 存储器测试设备重点在测良率，测存储芯片数据的传输速度，相对于 SOC测试设备更容易 国产装备 切入 。由于当前国内存储器厂多数计划了长期规模投资，国产设备经过验证通过后，也容易实现拷贝上量。 根据 中国招标网披露的国内几条晶圆厂的主要国产装备中标看 ， 截止 2020年 2月： 长江存储国产化率 7.1%，其中 2020年前两个月长江存储国产装备的中标比例达到 14.3%，提升显著 ；上海华力集成国产化率 7.0%；华虹宏力（无锡厂）国产化率23.7%，主要由于华虹无锡厂一期技术节点 90-65nm， 国产装备更早实现突破 ；晶合集成国产化率 1.8%。对比看，长江存储目前 整体 国产化率仍然处在较低位置，随着后期国产装备逐步验证通过，以及晶圆厂工艺顺利进展、逐步提升产能，国产化率有较大提升空间。 识别风险 ， 发现价值 请务必阅读末页的免责声明 9 / 27 Table_PageText 行业专题研究 |机械设备 表 3： 长江存储、华力集成、华虹无锡、晶合集成国产化率 2017 2018 2019 2020-02 合计 长江存储 中标总数量（台） 455 219 1087 230 1991 国产装备（台） 10 21 78 78 142 国产化率 2.2% 9.6% 7.2% 14.3% 7.1% 华力集成 中标总数量（台） 83 312 170 10 575 国产装备（台） 11 12 16 1 40 国产化率 13.3% 3.8% 9.4% 10.0% 7.0% 华虹宏力 中标总数量（台） 37 305 342 国产装备（台） 81 81 国产化率 26.6% 23.7% 晶合集成 中标总数量（台） 37 305 342 国产装备（台） 81 81 国产化率 26.6% 23.7% 华虹宏力 中标总数量 116 117 42 275 中标总数量（台） 4 1 5 国产化率 3.4% 0.9% 1.8% 数据来源：中国招标网，广发证券发展研究中心 具体来看， 截止 2020年 2月 长江存储 有四类设备的国产化率已经超过 10%， 各类设备国产装备中标情况： 刻蚀设备合计中标 47台，国产化率 19.5%；清洗设备合计中标 18台，国产化率 20.7%；研磨抛光设备合计中标 10台，国产化率 14.9%； 氧化 /扩散 /热处理设备 合计中标 41台，国产化率 33.9%。此外，薄膜沉积设备国产化率3.2%、过程工艺控制设备国产化率 2.5%，测试设备 国产化率 1.0%。而离子注入设备、涂布 /显影 /去胶设备目前国产装备还未中标。 表 4： 长江存储各类设备国产化情况（截止 2020年 2月 ） 中标总数量 （台） 国产装备 （台） 国产化率 总国产 2017 2018 2019 2020 2017 2018 2019 2020 2017 2018 2019 2020 化率 薄膜沉积设备 98 37 218 50 2 7 4 5.4% 3.2% 8.0% 3.2% 测试设备 52 81 447 51 5 1 1.1% 2.0% 1.0% 光刻设备 12 1 10 5 过程工艺控制 126 44 122 30 2 4 2 1.6% 3.3% 6.7% 2.5% 刻蚀设备 69 36 101 35 5 11 19 12 7.2% 30.6% 18.8% 34.3% 19.5% 离子注入设备 9 1 11 3 清洗设备 31 10 43 3 3 7 6 2 9.7% 70.0% 14.0% 66.7% 20.7% 涂布 /显影 /去胶设备 22 2 34 9 研磨抛光设备 14 2 28 23 5 5 17.9% 21.7% 14.9% 氧化 /扩散 /热处理设备 22 5 73 21 1 33 7 20.0% 45.2% 33.3% 33.9% 合计 455 219 1087 230 10 21 74 33 2.2% 9.6% 6.8% 14.3% 6.9% 数据来源：中国招标网，广发证券发展研究中心 识别风险 ， 发现价值 请务必阅读末页的免责声明 10 / 27 Table_PageText 行业专题研究 |机械设备 从各本土企业中标 长江存储核心半导体设备情况看， 2019年 -2020年 呈现以下特点： 1.成熟产品中标数量不断增加。 包括中微公司的刻蚀设备、盛美半导体的清洗设备、北方华创的氧化 /扩散 /热处理设备。 截止 2020年 2月，在长江存储，中微公司刻蚀设备的占有率达到 15.8%；盛美半导体的清洗设备占有率达到 18.4%；北方华创的氧化 /扩散 /热处理设备的占有率达到 32.2%。 2.多个公司、多种设备获得首次中标 ，且数量多数超过 5台，显示国产化率加速明显 。包括 精测电子的 ATE（合计中标6台）、中科飞测的光学检测设备（合计中标 5台）、华海清科的研磨抛光设备（合计中标 10台）、沈阳拓荆的薄膜沉积设备（合计中标 8台）。 表 5： 国产装备 在长江存储的中标情况（截止 2020年 2月） 公司 设备类型 2017 2018 2019 2020-02 合计 国产化率 中微公司 刻蚀设备 5 11 13 9 38 15.8% 北方华创 刻蚀设备 6 3 9 3.7% 薄膜沉积设备 2 1 2 5 1.2% 氧化 /扩散 /热处理设备 1 31 7 39 32.2% 清洗设备 2 2 2.3% 精测电子 ATE 5 1 6 1.7% 中科飞测 光学检测 3 2 5 1.6% 盛美半导体 清洗设备 3 5 6 2 16 18.4% 华海清科 研磨抛光设备 5 5 10 14.9% 屹唐半导体 氧化 /扩散 /热处理设备 1 1 0.8% 沈阳拓荆 薄膜沉积设备 6 2 8 2.0% 上海睿励 膜厚检测 2 2 0.6% 数据来源：中国招标网，广发证券发展研究中心 按照国产化率 2%20%假设 ， 进一步测算了 2017-2022年本土存储器厂投资对应的国产装备市场空间 。 如果 2020年 国产化率达到 10%15%，则 2020年 本土存储器厂投资对应的国产装备市场空间将达到 29.2亿元 43.8亿元 ； 如果 2021年国产化率达到 15%20%， 2021年 本土存储器厂投资对应的国产装备市场空间将达到 78.0亿元 103.9亿元 ， 有望突破百亿空间 。 表 6： 本土存储器厂投资对应的国产装备市场空间测算（亿元） 2017 2018 2019E 2020E 2021E 2022E 本土存储器厂投资 82.0 191.6 88.3 291.9 519.7 860.4 同比增速 134% -54% 231% 78% 66% 国产设备空间 假设：国产化率 2% 1.6 3.8 1.8 5.8 10.4 17.2 国产化率 5% 4.1 9.6 4.4 14.6 26.0 43.0 国产化率 10% 8.2 19.2 8.8 29.2 52.0 86.0 国产化率 15% 12.3 28.7 13.2 43.8 78.0 129.1 国产化率 20% 16.4 38.3 17.7 58.4 103.9 172.1 数据来源：中国招标网，广发证券发展研究中心