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1.1 NAND层数进化，进化步伐在放缓最早的 3D NAND 要追溯到 2007 年东芝的一次发布，而真正将 3D NAND 商业化应用的其实是三星在 2013 年的发布，从 2013 年起，3D NAND 作为最具突破性的技术开始推向市场，揭开了闪存介质容量提升的新时代。从 2D 到 3D 的变化，为闪存容量提升带来新变数，从 2D 平房到 3D 楼房的演进下，层的概念成为介质进化的新标准。也是从 3D NAND 开始，制程工艺的演进显得并不那么重要了。闪存介质层011.2 从TLC、QLC到PLC的介质进化2014年开始，TLC NAND开始在市场上大范围出现，所谓TLC是指每个单元（Cell）中存储3个Bit，当时的主流还是MLC（每个单元中存储2个Bit），再往前看还有SLC（每个单元中存储1个Bit），随着每个单元存储的数据增多，容量得到提升，作为代价的是，性能和耐久性都有所损失。RAM 内存和 NAND 存储芯片，性能和成本上的表现介于两者之间，有许多观点认为，RAM 内存与NAND 芯片之间的差距比较大，导致整体架构上的数据流动受限，而 3D XPoint 则填补了中间的空白地带。作为3D Xpoint的开发者，美光和英特尔都将其进行了商业化应用，在实际使用中，3D Xpoint技术可以改善个人计算的体验，还可以用来打造高性能、高容量的储存解决方案，与内存（DRAM）相比密度高出10倍，而成本又远低于DRAM内存，这意味着可以输出更高的存储容量和更快的访问速度。单一堆叠（Single stack）相当于原生垂直堆叠1xx+，仅一道工序，有成本优势。但是制程复杂度随层数攀升不断加大，蚀刻和沉积最终可能导致裸片良品率下降，包括交叠层厚薄不均、蚀刻不彻底（打孔未到达底部）、弯曲、扭曲及线宽变化。还有其间电子垂直通过的迁移率也在随层数增加而更加不可控。而字符串堆叠（ String stack，目前主要指双层堆叠），制程复杂度相对较低，只要拥有 48 层或者64层技术，那么实现96（2*48）层、128（2*64）层不是梦，还降低了打孔的蚀刻深度，良品率不会受到影响，但需要两道工序，会增加 30 + 的成本。值得一提的是长江存储的Xstacking技术，这是一种晶圆键合（Wafer bonding）而非堆栈方式。一片晶圆上加工负责数据I/O及记忆单元操作的外围电路，另一片晶圆上加工存储单元，最终通过数百万根金属 VIA( 垂直互联通道 ) 将二者键合接通电路。目前，字符串堆叠方式在市场上较为普遍。3D NAND 市场竞争是一场技术赛跑，其中，堆叠层数被视为一个制高点。最新的息称三星第六代 128 层 V-NAND 即将量产，长江存储也有 128 层的规划，英特尔有 144层的计划。目前市场上有两种堆叠方式：字符串堆叠（ String stack）和 单一堆叠（Ssingle stack），各有利弊。全球1.4 3D堆叠必争制高点机写入并且做更多超额配置（OP）来延长正常使用寿命。考虑到以上各种 NAND 裸片问题，厂商为了产能与利润的平衡要做出自己的决策，于是，便导致 SSD 容量增速放缓，下图是富国银行通过层数呈现的市场发货量随时间发生的变化。与 64/72 层 NAND 相比，64 层 3D NAND 在发布 4 个季度后占当时闪存发货量的 67%，而96 层 NAND 达到了这样的发货量需要更长的时间。100 层以上 NAND 第一次迭代同样需要更长的时间。所以说，SSD 容量增速放缓。目前全球NAND晶圆产能主要由三星、东芝、美光、英特尔、海力士来提供，总计有18个工厂，每个月的产能在150万/月上下。与之相比，2020年全球市场对SSD NAND的需求为量20亿GB/月，其中，消费级 SSD、企业级 SSD 都呈现快速发展的趋势。1.6 中国元素
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