2019年中国硅片和硅基材料行业概览.pdf

1 报告编号19RI0777 头豹研究院 | 半导体系列概览 400-072-5588 2019 年 中国硅片和硅基材料行业概览 报告摘要 工业研究团队 半导体硅基是在硅片基础上做外延从而得到 的硅基材料。在半导体行业中，硅片和硅基 都是作为半导体衬底材料使用，硅基材料占 99%，其中 90%以上的硅基以纯硅材料为衬 底，剩下的 10%是由化合材料制作而成。随 着本土硅片和硅基厂商在 8-12 英寸硅片产 能逐步释放，本土品牌有望迅速壮大，逐步 进入全球硅片和硅基市场，促进全球硅片和 硅基材料行业的发展。 热点一：下游应用需求激增是行业发展的主要动力 热点二：核心制造技术缺乏是制约行业发展的主要因素 热点三：硅片产品趋向 12 英寸发展 功率半导体器件中的 IGBT 功率模块在新能源汽车中发 挥着重要的作用，是新能源汽车电机控制器、充电桩等 设备的核心元器件。以新能源充电桩为例，IGBT 功率 模块是充电桩设备核心电能转换器件。在新能源汽车充 电时，IGBT 功率模块的作用是将外界充电的交流电转 换为直流电，同时把 220V 电压转换为适当的电压，才 可为新能源汽车电池组充电。 当前，中国硅片厂商批量生产的 8 英寸及以下硅片和硅 基产品的制备纯度仅达到 7N9 到 9N9 的范围。而先进 硅片工艺制备及 12 英寸硅片的纯度要求需达到 99.999999999%（11N9）。因此，部分中国半导体硅片 产品未达到工艺制备的纯度，较难通过国际知名主流晶 圆代工厂的审核认证，中国硅片和硅基厂商未能实现 12 英寸硅片的规模化量产。 受技术工艺和成本的影响，中国 12 英寸硅片还未大规 模化投产使用。但随着 12 英寸硅片的生产技术逐步成 熟及 CPU/GPU 等逻辑芯片和存储芯片需求增加，硅晶 圆将从 8 英寸向 12 英寸过渡。根据国际半导体产业协 会数据显示，预计 2020 年，全球将新增 9 座 12 英寸 晶圆厂，全球 12 寸晶圆厂总数达到 117 座；预计 2020 年， 12 英寸硅片占比将上升到 80.0%。 76.4 71.1 72.3 87.1 113.2 110.6 116.7 120.3 123.8 127.5 0 20 40 60 80 100 120 140 2014 2015 2016 2017 2018预测 2019预测 2020预测 2021预测 2022预测 2023预测 亿元 全球半导体硅片和硅基市场销售规模，2014-2023年预测 全球半导体硅片和硅基市场销售规模 年复合增长率 2014-2018年 10.3% 2018-2023年预测 2.4% 林莹莹 邮箱： csleadleo 分析师 行业走势图 相关热点报告 半导体系列概览2019 年 中国半导体材料行业概览 半导体系列概览2019 年 中国半导体晶圆制造行业概 览 半导体系列概览2019 年 中国半导体 CMP 抛光材料行 业概览 2 报告编号19RI0777 目录 1 方法论 . 5 1.1 研究方法 . 5 1.2 名词解释 . 6 2 中国硅片和硅基材料行业市场综述 . 9 2.1 中国硅片和硅基材料行业定义及分类 . 9 2.2 中国硅片和硅基行业发展历程 . 10 2.3 中国硅片和硅基材料行业产业链 . 14 上游分析 . 14 中游分析 . 16 下游分析 . 19 2.4 全球硅片和硅基材料行业市场规模 . 22 3 中国硅片和硅基材料行业驱动与制约因素 . 23 3.1 驱动因素 . 23 下游应用市场需求激增 . 23 集成电路行业持续向好，驱动行业发展 . 25 3.2 制约因素 . 25 核心技术缺乏 . 25 电子级多晶硅产能乏力 . 27 4 中国硅片和硅基材料行业政策及监管分析 . 27 5 中国硅片和硅基材料行业市场趋势 . 29 5.1 硅片和硅基材料逐渐以国产替代进口 . 29 5.2 硅片产品趋向 12 英寸发展 . 30 3 报告编号19RI0777 6 中国硅片和硅基材料行业竞争格局 . 31 6.1 中国硅片和硅基材料行业竞争格局 . 31 6.2 中国硅片和硅基材料行业投资推荐企业 . 33 上海新傲科技股份有限公司 . 33 安徽易芯半导体有限公司 . 34 浙江金瑞泓科技股份有限公司 . 36 4 报告编号19RI0777 图表目录 图 2-1 硅片和硅基材料分类（根据加工工序划分） . 10 图 2-2 硅片和硅基材料行业发展历程 . 11 图 2-3 硅片和硅基材料行业产业链 . 14 图 2-4 硅片和硅基生产工序 . 17 图 2-5 全球前五大硅片和硅基制造商市场份额，2018 年 . 18 图 2-6 中国硅片和硅基制造商 12 英寸规划新增产能情况，2019-2020 年 . 19 图 2-7 全球半导体市场结构，2018 年 . 20 图 2-8 全球半导体硅片和硅基市场销售规模，2014-2023 年预测 . 23 图 3-1 中国新能源汽车产量，2014-2018 年 . 24 图 3-2 半导体硅片制备的核心技术工艺 . 26 图 4-1 硅片和硅基材料行业相关政策 . 29 图 5-1 全球半导体硅片在 12 英寸硅片产能情况 . 31 图 6-1 半导体硅片和硅基行业相关企业介绍 . 32 图 6-2 上海新傲运营亮点简图 . 33 图 6-3 安徽易芯运营亮点简图 . 35 图 6-4 金瑞泓运营亮点简图 . 37 5 报告编号19RI0777 1 方法论 1.1 研究方法 头豹研究院布局中国市场，深入研究 10 大行业，54 个垂直行业的市场变化，已经积 累了近 50 万行业研究样本，完成近 10,000 多个独立的研究咨询项目。 研究院依托中国活跃的经济环境，从硅片、硅基、半导体、集成电路、分立器 件、光电器件等领域着手，研究内容覆盖整个行业的发展周期，伴随着行业中企 业的创立，发展，扩张，到企业走向上市及上市后的成熟期，研究院的各行业研 究员探索和评估行业中多变的产业模式，企业的商业模式和运营模式，以专业的 视野解读行业的沿革。 研究院融合传统与新型的研究方法，采用自主研发的算法，结合行业交叉的大数 据，以多元化的调研方法，挖掘定量数据背后的逻辑，分析定性内容背后的观 点，客观和真实地阐述行业的现状，前瞻性地预测行业未来的发展趋势，在研究 院的每一份研究报告中，完整地呈现行业的过去，现在和未来。 研究院密切关注行业发展最新动向，报告内容及数据会随着行业发展、技术革 新、竞争格局变化、政策法规颁布、市场调研深入，保持不断更新与优化。 研究院秉承匠心研究，砥砺前行的宗旨，从战略的角度分析行业，从执行的层面 阅读行业，为每一个行业的报告阅读者提供值得品鉴的研究报告。 头豹研究院本次研究于 2019 年 10 月完成。 6 报告编号19RI0777 1.2 名词解释 衬底：具有特定晶面和适当电学、光学和机械特性，用于生长外延层的洁净单晶薄 片。 SOI：全称 Silicon-On-Insulator，即绝缘衬底上的硅，该技术是在顶层硅和背衬底 之间引入了一层埋氧化层。 氩气：一种稀有气体，在热处理工艺中可用于代替氮气和氨气。 气相生长：通过气相中的原子（或分子）在结晶界面上不断沉积，实现晶体生长的方 法。 热扩散技术：主要包括替位式扩散技术和间隙式扩散技术。杂质通过替位式扩散的扩 散速度慢、需要的扩散温度高，但可精确控制 p-n 结的深度和掺杂浓度，如 Si 中硼、 磷等杂质的扩散。间隙式扩散（如金在 Si 中的扩散）的扩散速度很快、扩散温度较 低。 离子注入：离子束射到固体材料以后，受到固体材料的抵抗而速度慢慢下降，并最终 停留在固体材料中的现象。 光刻法：用光致抗蚀胶制作图形的一种方法。 寄生电容：电路中电子元件之间或电路模块之间，由于相互靠近而形成的电容。 锗三极管：以锗为材料的三极管，可对电流起放大作用。 锗二极管：以锗为材料的二极管，主要用于计算器，收音机，电视机等检波电路。 晶体管：一种固体半导体器件（包括二极管、三极管、场效应管、晶闸管等，有时特 指双极型器件），具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体 管作为一种可变电流开关，能够基于输入电压控制输出电流。 7 报告编号19RI0777 02 专项：在极大规模集成电路制造技术及成套工艺项目中，国家重大专项所列 16 个重大专项中次序为第二位的项目。 直拉法：1918 年由切克劳斯基（Czochralski）建立的一种晶体生长方法。直拉法主 要用于硅、锗、锑化铟等半导体材料，以及氧化物和其他绝缘类型的大晶体的制备。 区熔法：利用热能在半导体棒料的一端产生一熔区，再熔接单晶籽晶。 集成电路：一种微型电子器件或部件，是采用一定工艺，把一个电路中所需的晶体管、 电阻、 电容和电感等元件及布线互连一起， 制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基 片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构。 光电器件：光电效应制作的器件。光电器件的种类主要有：光电管、光电倍增管、光 敏电阻、光敏二极管、光敏三极管、光电池、光电耦合器件。 分立器件：即半导体分立器件，泛指半导体晶体二极管、半导体三极管及半导体特殊 器件。 传感器：一种检测装置，能感受被测量的信息，并能将感受到的信息，按一定规律变 换成为电信号或其他所需形式的信息输出，以满足信息的传输、处理、存储、显示、 记录和控制等要求。 IDM：全称 Integrated Device Manufacturer，即整合元件制造商，其经营范围通常 涵盖了 IC 设计、IC 制造、封装测试等各个环节，可覆盖集成电路全产业链。 Fabless：即无工程芯片供应商，是指“没有制造业务、只专注于设计”的集成电路设 计的一种运作模式，也用来指代未拥有芯片制造工厂的 IC 设计公司。 Foundry：即代工厂，在集成电路领域是指专门负责生产、制造芯片的厂家。 SiC：全称 Silicon Carbide，即碳化硅，用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产 绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。 8 报告编号19RI0777 GaN：全称 Gallium Nitride，即氮化镓，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙的半导 体，用在高功率、高速的光电元件中。 砷化镓： 是一种重要的半导体材料， 在 600以下能在空气中稳定存在， 并且不被非氧 化性的酸侵蚀。 CPU：全称 Central Processing Unit，即中央处理器，作为计算机系统的运算和控制 核心，是信息处理、程序运行的最终执行单元。 GPU：全称 Graphics Processing，即图像处理器，又称显示核心、视觉处理器、显示 芯片， 是一种专门在个人电脑、 工作站、 游戏机和一些移动设备上做图像和图形相关运 算工作的微处理器。 9 报告编号19RI0777 2 中国硅片和硅基材料行业市场综述 2.1 中国硅片和硅基材料行业定义及分类 应用于半导体行业的硅片是半导体硅片， 又称硅晶圆， 是制造集成电路的重要基础材料。 半导体硅片利用高纯度的多晶硅在单晶炉内拉制而成， 其纯度要求达到 99.99999% （7N9） 以上，先进的制程工艺纯度要求达到 99.999999999%（11N9）。半导体硅基是在硅片基 础上做外延从而得到的硅基材料。根据在硅片和硅基材料行业有 8 年市场运营经验的专家 表示，在半导体行业中，硅片和硅基都是作为半导体衬底材料使用，硅基材料占 99%，其 中 90%以上的硅基以纯硅材料为衬底，剩下的 10%是由化合材料制作而成。 硅片和硅基均具有导电性、 热敏性、 光电特性和掺杂特性等性能， 是用于制成集成电路、 分立器件和光电子器件的重要材料， 作为集成电路和各类器件能量转换功能的媒介， 被广泛 应用于汽车、家用电器、消费电子、信息通讯等领域的半导体中。 硅片和硅基材料根据加工工序可分为抛光片、 退火片、 外延片、 节隔离片和 SOI 片 （见 图 2-1）。其中抛光片是应用范围最广的硅片；退火片、外延片、节隔离片和 SOI 片是在 抛光片的基础上做二次加工形成的硅片。 (1) 抛光片是从单晶硅棒上切割出厚度约 1 毫米的原硅片，对其抛光镜面进行研磨、腐 蚀、抛光等加工工艺而得到表面平整、洁净的抛光片，通过对其进行纯化，从而进一步减少 重金属杂质。 (2) 退火片是通过将抛光片置于充满氩气或氧气的高温环境中， 去除抛光片表面的氧气 含量，改善抛光片表面特性的硅片。相比于抛光片，退火片表面拥有更好的晶体完整性，可 满足半导体更高的刻蚀需求。 10 报告编号19RI0777 (3) 外延片是通过在抛光片表面应用气相生长技术， 在抛光片表面外延出单晶结构层的 硅片，其表面比抛光片更光滑，可降低其表面缺陷，增强硅片光电性能。 (4) 节隔离片是在抛光片的基础上通过光刻法、离子注入、热扩散等技术嵌入中间层， 再通过气相生长技术在硅片表面形成平滑的外延层，从而满足特定衬底电气性能需求。 (5) SOI 片上下层为抛光片，中间层是氧化物绝缘埋层。SOI 优势在于可通过氧化物绝 缘埋层实现高电绝缘性， 从而减小硅片的寄生电容和漏电现象， 实现器件的高集成度、 低功 耗和高可靠性。 图 2-1 硅片和硅基材料分类（根据加工工序划分） 来源：头豹研究院编辑整理 2.2 中国硅片和硅基行业发展历程 中国硅片和硅基行业起始于 1956 年， 在六十三年的发展中， 半导体硅片和硅基尺寸从 2 英寸、3 英寸、4 英寸、6 英寸、8 英寸发展到 12 英寸，半导体硅片和硅基行业发展可分 为以下四个发展阶段（见图 2-2）。 11 报告编号19RI0777 图 2-2 硅片和硅基材料行业发展历程 来源：头豹研究院编辑整理 （1） 早期研发期（1956 年-1967 年） 1956 年， 中国政府根据国外电子器件的发展进程， 提出了研究半导体科学。 1957 年， 北京电子管厂通过还原氧化锗， 制造出锗单晶。 同年， 中国科学院应用物理研究所和二机部 十局第十一所研发出锗晶体管、 锗点接触二极管和三极管。 1959 年， 天津市 “601 试验所” 成功拉制出中国首颗硅单晶。1963 年，中国河北省半导体研究所研制出硅平面型晶体管。 1964 年，中国河北省半导体研究所成功研制出硅外延平面型晶体管。1965 年开始，中国 多家研究单位（中国科学院半导体研究所、河北半导体研究所、北京市无线电技术研究所） 陆续研制出集成电路，揭开了中国半导体晶体管和集成电路国产化序幕。 （2） 初步发展期（1968 年-1980 年） 为了发展集成电路，1968 年，中国电子工业部组建了国营东光电工厂（878 所）、上 海无线电十九厂两家集成电路专业化工厂。1978 年，878 所建成中国第一条 2 英寸硅片和 硅基生产线。1978 年后，中国掀起了建设集成电路生产企业的热潮。这一阶段，中国共有 40 多家集成电路工厂建成，如北京市半导体器件二厂、三厂、五厂、常州半导体厂、苏州 半导体厂、贵州 873 厂等。这些中国集成电路工厂从国外引进 3 英寸二手生产线设备，但12 报告编号19RI0777 由于当时处于低水平的重复引进，3 英寸硅片的技术工艺未得到较大提升，导致最后建成投 产的 3 英寸硅片生产线只有 6-7 条。其中 878 所于 1980 年建成中国第一条 3 英寸硅片和 硅基生产线。在此阶段，中国集成电路工业生产初步形成，基本可满足各工业部门和科学院 各研究所对集成电路的需求。 （3）调整发展期（1981 年-2000 年） 中国改革开放背景下， 这一时期， 中国集成电路产业由自主探索阶段转入技术引进阶段。 1982 年，江苏无锡的江南无线电器材厂从日本东芝公司引进了一条完整的 3 英寸芯片生产 线，包括制板、3 英寸硅圆片加工和封装测试等。1984 年，江南无线电器材厂的 3 英寸硅 片产能已达 3,000 万块/年。 在此期间， 江南无线电器材厂成为中国技术最先进、 规模最大、 配套最全、具有工业化生产的专业化集成电路厂。 在改革开放的浪潮下，上海集成电路企业探索中外合资的模式。1988 年，上海市仪表 局与上海贝尔公司合资设立上海贝岭微电子制造有限公司，建成了中国第一条 4 英寸芯片 生产线。 同年， 上海元件五厂、 上海无线电七厂和上海无线电十九厂与荷兰飞利浦公司合资 成立上海飞利浦半导体公司。1992 年，上海飞利浦半导体公司建立了中国第一条 5 英寸芯 片生产线。 1991 年， 北京首都钢铁公司与日本电气公司合资成立首钢日电公司。 1994 年， 首钢日电公司在北京建成了中国第一条 6 英寸芯片生产线。 随后一年， 首钢日电正式投产 6 英寸芯片生产线。 1995 年， 为加速中国集成电路产业发展， 中国电子工业部提出 “九五” 集成电路战略。 此战略是以市场为导向，推进产学研用相结合，开展国际合作，强化投资，以促进集成电路 产业发展。 1997 年， 上海华虹集团与日本电气公司合资组建上海华虹 NEC 电子有限公司， 合资成立的公司承担“909”工程超大规模集成电路芯片生产线项目建设。1999 年 2 月，13 报告编号19RI0777 “909” 工程超大规模集成电路芯片生产线建成正式投产， 标志着中国第一条 8 英寸芯片生 产线建成。2000 年，8 英寸硅片产能已达 20,000 片/月，达到国际上规模经济水平。 （4）快速发展期（2001 年至今） 自“十五”计划起，中国集成电路行业获得快速发展，大规模、超大规模集成电路愈发 普及。 硅片和硅基在消费电子、 汽车和新一代电子技术等方面得到广泛运用， 适合于大规模、 超大规模集成电路用的硅片和硅基需求日趋增加。然而，制备硅片和硅基的技术被日本 SUMCO 和信越化学公司、韩国 SK Siltron、德国 Siltronic 和环球晶圆所垄断，这几家企 业占据全球半导体硅片和硅基市场份额的 97%以上。 为了打破硅片和硅基垄断格局， 中国积极推动硅片和硅基材料行业发展。近年来，在引 进和吸收国外硅片和硅基材料厂商技术的基础之上，中国大陆硅片和硅基企业在 6 英寸及 以下的半导体硅片领域的研发生产上有了较大的发展与进步，尤其在“十二五”期间实施的 02 专项，对提升中国硅片和硅基材料国产化起到了重要的作用。中国半导体硅片和硅基材 料市场规模呈现上升趋势，中国半导体制造材料中硅片和硅基材料市场规模从 2013 年的 92.2 亿元增长到 2017 年的 149.2 亿元，年复合增长率为 12.8%。当前，中国硅片和硅基 行业发展态势良好， 中国本土企业在硅片和硅基产业链加强规划布局， 以浙江金瑞泓、 有研 半导体、 中环股份、 上海新昇、 上海新傲等为代表的硅片和硅基材料制造商逐步开启了自主 研发硅片和硅基的道路，已能实现 8 英寸半导体硅片的量产，打破了国外企业对 8 英寸硅 片的垄断。虽然中国 12 英寸半导体硅片和硅基尚未实现大规模量产，但中国规模较大企业 （金瑞泓、有研半导体、中环股份、上海新昇）均逐步在积极推进 12 英寸硅片和硅基材料 产能建设，极大地推动中国 12 英寸硅片和硅基材料国产化进程，有望在 2020 年实现 12 英寸半导体硅片和硅基的大规模量产。 整体而言， 受制于硅片和硅基生产配方工艺和生产制 造技术方面的影响，当前中国硅片和硅基材料制造商主要集中在 8 英寸及以下硅片和硅基14 报告编号19RI0777 市场，而 8 英寸及以上硅片和硅基材料市场被欧美、日本、韩国厂商所占据。因此，中国仍 需增强在硅片和硅基材料技术方面的能力以提高其在全球市场中的竞争力。 2.3 中国硅片和硅基材料行业产业链 中国硅片和硅基材料行业产业链由上至下可分为上游电子级多晶硅片厂商和设备供应 商， 中游硅片和硅基材料制造商， 下游集成电路、 分立器件和光电子半器件制造厂商及应用 终端企业（见图 2-3）。 图 2-3 硅片和硅基材料行业产业链 来源：头豹研究院编辑整理 上游分析 中国半导体材料行业的上游参与者为电子级多晶硅片厂商和单晶炉、切割机、研磨机、 抛光机等设备供应商。 （1） 原材料 15 报告编号19RI0777 在原料方面， 电子级多晶硅是制造单晶硅片的重要原材料， 是硅片制备的关键。 电子级 单晶硅纯度要求达到 99.9999999%（9N）以上，是多晶硅产品中纯度要求最高的产品。 电子级多晶硅纯度要求极高，上千吨的电子级多晶硅当中所含的杂质不足一枚硬币的重量， 其提纯工艺复杂，导致行业进入壁垒高。 当前，应用于半导体领域的电子级多晶硅主要依靠进口，市场主要被德国 Wacker、美 国 Hemlock 和日本 Mitsubishi 等厂商所占据。 受益于 国家集成电路产业发展推进纲要 政策和国家集成电路产业投资基金支持，中国电子级多晶硅得到长足发展。2015 年，国家 集成电路产业投资基金与保利协鑫共同成立江苏鑫华半导体材料科技有限公司， 建立了中国 首条 5,000 吨半导体集成电路专用电子级多晶硅生产线。2017 年 11 月，江苏鑫华半导体 材料科技有限公司的电子级多晶硅产品正式发布，其产品通过客户验证并形成规模化销售， 打破了长期以来国外厂商在半导体电子级多晶硅垄断， 填补了中国在半导体电子级多晶硅空 白。除此之外，2015 年，中国黄河上游水电开发有限责任公司完成电子级多晶硅材料专项 攻关， 产品质量达到国外主要电子级多晶硅生产质量标准。 现阶段， 黄河上游水电开发有限 责任公司在青海生产的电子级多晶硅产品已广泛应用到半导体 6-8 英寸抛光片中，获得中 游企业客户的认可。 可见， 中国集成电路用多晶硅材料从完全依赖欧美日国家进口向逐步拥 有独立研发和生产电子级多晶硅的能力转变， 技术已达到国际水平， 中国电子级多晶硅行业 发展取得了较大的进步，实现了电子级多晶硅的中国本土制造。 虽然近年来中国电子级多晶硅得到长足发展， 但目前中国生产电子级多晶硅只能应用于 8 寸以下的硅片中，8 英寸以上硅片和高品质的电子级多晶硅仍需要进口。当前，中国电子 级多晶硅的需求是 4,500 吨/年。随着中国 12 英寸硅片产能陆续投产以及国外集成电路厂 商陆续在中国建厂， 中国集成电路市场对电子级多晶硅的需求将逐步增加， 高品质多晶硅缺 口仍然较大。根据在硅片和硅基材料行业有 8 年市场运营经验的专家表示，电子级多晶硅16 报告编号19RI0777 原材料占整体 8 寸硅片和硅基材料制造成本中的 50%，并且硅片尺寸越大，原材料成本越 高。 整体而言，中国从事电子级多晶硅原材料研发及生产的供应商较少，中国电子级多晶硅 原材料市场主要被日本、欧美厂商所占据。中国硅片和硅基制造商对进口材料依赖性较大， 在上游原材料环节的议价能力弱。 （2） 设备 在上游设备供应商方面，单晶炉、研磨机、抛光机、磨床、切割机、检测与测试 设备是中国硅片和硅基制造的核心设备，根据在硅片和硅基材料行业有 8 年市场运营经 验的专家表示， 上游设备占整体硅片和硅基材料制造成本的 40%左右。 由于中国在单晶炉、 研磨机、抛光机、磨床、切割机设备行业的起步时间较晚，且这些设备具备较高的制 造工艺壁垒，导致中国在单晶炉、研磨机、抛光机、检测与测试设备的国产化程度均 低于 20%。 在国家政策利好的背景下， 中国本土企业逐步在单晶炉、 研磨机、 抛光机、 磨床、切割机等设备均有研发和生产。以单晶炉为例，单晶炉是中国硅片和硅基材料 制造的核心设备之一，占硅片制造设备的 25%左右，当前中国晶盛机电、京运通、天 龙光电等厂商均已自主研发单晶炉，但这些单晶炉厂商与国外厂商相比，单晶炉投料 量小，尺寸集中在 8 英寸，8 英寸及以上使用单晶炉还未实现大规模量产，且在质量 和精度方面与进口设备存在差距。因此，此类设备主