2019年中国半导体CMP抛光材料行业概览.pdf

1 报告编码19RI0442 头豹研究院 | 电子系列行业概览 400-072-5588 2019 年 中国半导体 CMP 抛光材料行业概览 报告摘要 电子团队 作为半导体产业中的重要子行业， 中国 CMP 抛光材 料行业随着全球半导体产业转移快速发展。CMP 抛 光材料在集成电路制造成本中约占 7%左右，是半导 体产业中的高端耗材，与下游芯片产量呈正相关关 系。中国 CMP 抛光材料的市场销售规模在 2018 年 达到 28 亿元，2014 年至 2018 年年复合增长率为 9.9%。 在中国政府政策和国家基金的大力支持下， 中 国 CMP 抛光材料行业将迎来发展良机。 热点一：下游技术进步为市场扩容 热点二：企业兼并收购加快技术升级 热点三：行业发展仍面临下游渠道壁垒 在需求方面， 集成电路技术的提升使 CMP 抛光材料行业 市场扩容。随着集成电路技术的发展，芯片尺寸不断缩 小、集成度持续提高，对晶圆表面平整度的要求愈加严 格，抛光程序次数和需要抛光液的种类、数量增加。 高端抛光材料制造技术的研发难度高、投入大，单个企 业短时间内难以实现突破，通过收购拥有技术的中国企 业或与领先的国际企业合作， 中国 CMP 抛光行业技术水 平将加快提升。 芯片生产采取大批量制作模式，工艺复杂、流程多，每 一道工序使用材料的稳定性对最终晶圆良率有重大影 响，下游客户对材料供应商的认证十分严格。中国新进 入企业只有在产品质量、价格、技术、服务等多方面优 于原供应商，才有机会打破国际巨头垄断行业的局面。 王含之 分析师 陈夏琳 分析师 邮箱：csleadleo 行业走势图 相关热点报告 电子材料及设备系列行业概 览2019 年中国半导体二 极管行业概览 金属及材料系列行业概览 2019 年中国钛合金行业概 览 化工系列行业概览2019 年中国新材料产业行业概览 2 报告编号19RI0524 目录 1 方法论 . 5 1.1 研究方法 . 5 1.2 名词解释 . 6 2 中国半导体 CMP 抛光材料行业市场综述 . 8 2.1 CMP 抛光材料定义与分类 . 8 2.2 中国半导体 CMP 抛光材料行业发展历程 . 9 2.3 中国半导体 CMP 抛光材料行业市场规模 . 10 2.4 中国半导体 CMP 抛光材料行业产业链分析 . 12 2.4.1 上游分析 . 12 2.4.2 下游分析 . 13 3 中国半导体 CMP 抛光材料行业驱动因素分析 . 14 3.1 供需两端动力强 . 14 3.2 内外政策促进中国行业发展 . 15 3.3 全球产业转移，进口替代空间大 . 16 4 中国半导体 CMP 抛光材料行业制约因素分析 . 17 4.1 国际专利保护、技术封锁阻碍发展 . 17 4.2 下游认证壁垒高、周期长制约发展 . 18 4.3 高端人才紧缺限制发展 . 18 5 中国半导体 CMP 抛光材料行业相关政策分析 . 21 6 中国半导体 CMP 抛光材料行业发展趋势分析 . 22 6.1 发展低端、大批量应用产品 . 22 3 报告编号19RI0524 6.2 企业兼并收购加快技术升级 . 23 7 中国半导体 CMP 抛光材料行业竞争格局分析 . 24 7.1 中国半导体 CMP 抛光材料行业竞争格局概述 . 24 7.2 中国半导体 CMP 抛光材料行业典型企业分析 . 25 7.2.1 深圳市力合材料有限公司 . 25 7.2.2 上海新安纳电子科技有限公司 . 26 7.2.3 天津晶岭微电子材料有限公司 . 27 4 报告编号19RI0524 图表目录 图 2-1 半导体 CMP 抛光材料的分类 . 8 图 2-2 中国半导体 CMP 抛光材料发展历程 . 10 图 2-3 中国 CMP 抛光材料市场规模，2014-2023 年预测 . 11 图 2-4 中国半导体 CMP 抛光材料行业产业链 . 12 图 5-1 CMP 抛光材料行业相关政策，2014-2018 年 . 21 5 报告编号19RI0524 1 方法论 1.1 研究方法 头豹研究院布局中国市场， 深入研究 10 大行业， 54 个垂直行业的市场变化， 已经积累 了近 50 万行业研究样本，完成近 10,000 多个独立的研究咨询项目。 研究院依托中国活跃的经济环境，从电子、材料、信息科技等领域着手，研究内容 覆盖整个行业的发展周期，伴随着行业中企业的创立，发展，扩张，到企业走向上 市及上市后的成熟期，研究院的各行业研究员探索和评估行业中多变的产业模式， 企业的商业模式和运营模式，以专业的视野解读行业的沿革。 研究院融合传统与新型的研究方法， 采用自主研发的算法， 结合行业交叉的大数据， 以多元化的调研方法， 挖掘定量数据背后的逻辑， 分析定性内容背后的观点， 客观 和真实地阐述行业的现状， 前瞻性地预测行业未来的发展趋势， 在研究院的每一份 研究报告中，完整地呈现行业的过去，现在和未来。 研究院秉承匠心研究， 砥砺前行的宗旨， 从战略的角度分析行业， 从执行的层面阅 读行业，为每一个行业的报告阅读者提供值得品鉴的研究报告。 头豹研究院本次研究于 2019 年 08 月完成。 6 报告编号19RI0524 1.2 名词解释 CMP： Chemical Mechanical Polishing， 化学机械抛光， 也称 Chemical Mechanical Planarization， 化学机械平坦化， 是半导体器件制造工艺中的一种技术。 结合化学作用 和机械研磨技术达到对被抛光工件表面微米或纳米级的材料去除， 使其表面高度平坦化。 摩尔定律： 由英特尔 （Intel） 创始人之一戈登摩尔提出， 当价格不变时， 集成电路上可 容纳的元器件数目，约每隔 1824 个月便会增加一倍，性能也将提升一倍，从而要求 集成电路尺寸不断变小。 集成电路（IC） ：Integrated Circuit，一种微型电子器件或部件，在一小块半导体晶片 上将晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连，再封装在一个管壳内，形成具有既 定功能的微型器件。 02 重大专项： 极大规模集成电路制造技术及成套工艺项目， 国家中长期科学和技 术发展规划纲要（2006-2020） （以下简称“ 纲要 ” ）所确定的科技重大专项之一。 纲要 确定了核心电子器件、 极大规模集成电路制造技术及成套工艺、 高端通用芯片 及基础软件等 16 个重大专项。 晶圆良率（Wafer Yield） ：完成所有制造步骤后测试合格的芯片数量与晶圆上所有有 效芯片数量的比。 分立器件： 最小的电子元件， 内部没有集成， 指普通的电阻、 电容、 晶体管等电子元件。 光电子器件：能实现光电转换效应的功能器件，应用在光通讯、光显示、手机相机、红 外探测、医学探测等领域。 传感器：用于检测、测量、分析和处理环境发生的变化，分为热敏元件、光敏元件、气 敏元件、声敏元件等。 DRAM：Dynamic Random Access Memory，动态随机存取存储器，一种常见的系 7 报告编号19RI0524 统内存，只能将数据保存很短的时间。 8 报告编号19RI0524 2 中国半导体 CMP 抛光材料行业市场综述 2.1 CMP 抛光材料定义与分类 CMP 抛光材料是应用于 CMP 工艺中的抛光材料，而 CMP 工艺是在半导体工业中使 器件在各阶段实现全局平坦化的关键步骤。 其原理是在一定压力和抛光液环境下， 被抛光工 件相对于抛光垫做相对运动， 通过抛光液中固体粒子的研磨作用和氧化剂的腐蚀作用， 使工 件形成平坦光洁的表面。 CMP 抛光材料包括抛光液、抛光垫、调节器、清洁剂和其他材料，其中抛光液和抛光 垫是凝集 CMP 工艺核心技术的关键材料（见图 2-1） 。 图 2-1 半导体 CMP 抛光材料的分类 来源：头豹研究院编辑整理 CMP 抛光液由超细固体粒子研磨剂、氧化剂、表面活性剂、稳定剂等物质组成。CMP 抛光液中发挥主要作用的是固体粒子研磨剂和氧化剂， 固体粒子研磨剂一般为纳米级， 发挥 研磨作用，氧化剂发挥腐蚀溶解作用。抛光液浓度、研磨剂种类和大小、酸碱性、流速等对 抛光速度和加工质量均有影响， 抛光液的技术难点在于需根据不同的材料调整配方组合， 以 改善抛光速度和效果。根据抛光对象的不同，抛光液可分为硅抛光液、硅氧化物抛光液、铜 抛光液、钨抛光液等。根据酸碱性不同，抛光液可分为酸性抛光液和碱性抛光液，酸性抛光 液常用于抛光金属材料，如铜、钨、钛等；碱性抛光液常用于抛光非金属材料，如硅、硅氧 化物等。 CMP 抛光垫由高分子材料制成，主要为发泡体固化的聚氨酯。这种材料使抛光垫具有 多孔性和表面粗糙性，可发挥打磨、传导压力、传送抛光液、收集去除物等作用。抛光垫的 9 报告编号19RI0524 硬度、密度、孔隙大小、弹性、修整频率等性能会对抛光效果产生影响，其技术难点在于沟 槽设计和使用寿命。抛光垫在使用后会逐渐“釉化” ，为保持抛光垫使用效果，需要用调节 器定期整修使其恢复粗糙，或更换新的抛光垫，抛光垫使用寿命在 45 至 75 小时之间。根 据软硬程度， 抛光垫分为软垫和硬垫， 硬垫有助于提高材料去除率， 软垫有利于整体平面度， 形成无缺陷表面。 2.2 中国半导体 CMP 抛光材料行业发展历程 （1） 真空期：2000 年前 2000 前， 中国半导体 CMP 抛光材料行业处于真空期， CMP 工艺和抛光材料制造核心 技术被国际巨头垄断。1965 年，CMP 工艺首次由美国的 Monsanto 公司提出，最初用于 获取高质量的玻璃表面， CMP 抛光材料随之开始研发。 1991 年， IBM 公司首先将 CMP 工 艺用于 64Mb DRAM 的生产中，随后该技术在半导体行业会议和研究报告中迅速传播， CMP 抛光材料的应用开始被广泛讨论。1995 年以后，CMP 工艺快速发展，在国际上大量 应用于半导体产业，并随着半导体产业的发展升级，CMP 抛光材料的研发和应用范围不断 扩大。 （2） 发展期：2000 年后 2000 年后，全球半导体产业转移至中国，中国半导体 CMP 抛光材料行业随之开始发 展，但从全球看，美国、日本等国仍占据行业主导地位。这一时期，中国涌现了一批研发半 导体 CMP 抛光材料的企业， 如深圳力合、 上海新安纳、 天津晶岭、 北京国瑞升、 安集科技、 时代立夫、 苏州观胜、 鼎龙股份等。 上海新安纳在二氧化硅研磨剂及工业制备技术领域打破 国际技术垄断， 并实现大批量推广； 安集科技抛光液在 130-28 纳米技术节点的产品实现规 模化销售，应用于中国 8 英寸和 12 英寸主流晶圆生产线。在全球半导体产业转移、国家政 10 报告编号19RI0524 策和基金的扶持下，中国半导体 CMP 抛光材料行业将迎来快速成长期，形成一批掌握核心 制备技术的本土企业。 图 2-2 中国半导体 CMP 抛光材料发展历程 来源：头豹研究院编辑整理 2.3 中国半导体 CMP 抛光材料行业市场规模 半导体 CMP 抛光材料在集成电路的制造成本中约占 7%左右，是半导体产业中的高端 耗材，与下游芯片产量正向相关。得益于中国半导体产业的快速发展，下游行业对半导体 CMP 抛光材料的需求稳步增长。中国半导体 CMP 抛光材料的市场销售规模在 2018 年达 到 28.0 亿元， 2014 年至 2018 年年复合增长率为 9.9%。 预计 2019 年至 2023 年中国 CMP 抛光材料市场将继续以 6.9%的增速增长，在 2023 年达到 38.7 亿元，其中，CMP 抛光液 的市场规模约为 CMP 抛光垫的 1.7 倍。 CMP 抛光液市场销售规模从 2014 年的 12.1 亿元增长到 2018 年的 17.7 亿元，年复 合增长率为 10.0%， 预计 CMP 抛光液 2019 年至 2023 年的年复合增长率为 6.9%， 在 2023 11 报告编号19RI0524 年市场规模将达到 24.4 亿元。CMP 抛光垫过去五年年复合增长率为 9.7%，2018 年市场 规模为 10.3 亿元，预计将以 7.0%的年复合增长率继续增长，至 2023 年市场规模为 14.3 亿元（见图 2-3） 。 图 2-3 中国 CMP 抛光材料市场规模，2014-2023 年预测 来源：头豹研究院编辑整理 中国半导体 CMP 抛光材料行业市场规模的增长受到以下原因驱动： （1）需求和供应动力强劲：在需求方面，集成电路技术的进步使 CMP 抛光材料行业 市场扩容。在供给方面，CMP 抛光材料是高价值、高消耗材料，资本进入该领域动力大， 推动中国半导体 CMP 抛光材料供应企业数量增加； （2）中国和国际策促进行业发展：一方面，中国政府对半导体产业高度重视，出台各 项政策并成立国家产业基金大力扶持。 另一方面， 作为半导体产业中的关键材料， 外国政府 对 CMP 抛光材料进行出口管制，利好中国 CMP 抛光材料行业发展； （3）全球产业转移，进口替代空间大：半导体产业的转移对上游国产材料产生大量需 求，促使 CMP 抛光材料等一系列配套材料本土化生产，实现大规模进口替代，改善当前半 导体 CMP 抛光材料进口依赖度达 90%以上的局面。 12 报告编号19RI0524 2.4 中国半导体 CMP 抛光材料行业产业链分析 中国半导体 CMP 抛光材料行业的上游市场参与者为原材料供应商， 主要包括研磨剂企 业、 化工企业、 包装材料企业和滤芯企业； 中游环节为 CMP 抛光材料制造商， 主要包括 CMP 抛光液企业和 CMP 抛光垫企业； 下游的应用领域为半导体产业， 分为集成电路、 分立器件、 光电子器件、传感器领域（见图 2-4） 。 图 2-4 中国半导体 CMP 抛光材料行业产业链 来源：头豹研究院编辑整理 2.4.1 上游分析 中国半导体 CMP 抛光材料上游为原材料供应商，主要为研磨剂企业，其他次要企业有 化工企业、 包装材料企业和滤芯企业。 半导体产业制造流程复杂， 特别是集成电路领域对使 用的 CMP 抛光材料要求高，主要原材料研磨剂的制造技术掌握在国际企业手中，如日本富 士、 美国嘉柏等。 研磨剂颗粒一般为纳米级， 技术难点在于均匀成核、 生长时抑制二次成核， 且必须保持质量稳定、 颗粒分布均匀、 颗粒直径均匀， 才能在大量使用的过程中避免对硅片 造成损伤。中国企业主要从美国、日本、韩国等国家的一些企业进口原材料，全球行业格局 13 报告编号19RI0524 呈现寡头垄断态势。 以安集科技为例， 产品所需主要原材料为硅溶胶和气相二氧化硅等研磨 颗粒，从日本等国家进口；包装材料为高洁净塑料桶，从韩国进口。 2.4.2 下游分析 中国半导体 CMP 抛光材料的下游应用领域为半导体产业，其中集成电路为主要领域， 占半导体产业市场规模的 80%以上，其他领域包括分立器件、光电子器件和传感器等。美 国作为半导体产业的发源国，从 19 世纪 50 年代起一直在半导体产业中占据主导地位。20 世纪 60 年代，半导体产业发生第一次转移，在日本政府的大力扶持下，日本成为半导体产 业强国，并于 20 世纪 80 年代在生产力和市占率方面超越美国。半导体产业的第二次转移 发生在 20 世纪 90 年代，韩国和中国台湾的半导体产业迅速发展，韩国三星成为全球顶尖 半导体厂商，中国台湾台积电成为世界第一的晶圆代工厂，全球市场份额接近 50%。2000 年后中国开始承接全球半导体产业的第三次转移， 半导体材料行业也将随着中国半导体产业 的快速发展而增长。 半导体 CMP 抛光材料行业的技术、产量和格局均受到集成电路行业的影响，集成电路 行业技术进步快、产品更新频率高，促使 CMP 抛光材料同步快速更新： （1）技术方面，晶 圆尺寸从 8 英寸扩大至 12 英寸， 芯片技术节点从 10 纳米缩小至 7 纳米， 且继续向 5 纳米、 3 纳米的物理极限靠近， 制造过程因芯片尺寸的缩小更加复杂， 对 CMP 抛光材料在稳定性、 使用寿命等各方面提出高难度挑战； （2） 产量方面， 2018 年中国集成电路行业销售额达到 6,532 亿元，较 2017 年增长 20.7%，CMP 抛光材料市场也随之增长 4.5%； （3）竞争格局 方面，集成电路行业集中度高，全球排名前列的晶圆代工厂有台积电、三星、中芯国际、英 特尔、 联电、 华虹集团等， 随着资金和技术壁垒的不断提高， 行业将维持寡头竞争格局。 CMP 抛光材料企业需要通过下游客户严格的长周期认证才能实现批量供应， 故下游客户更倾向于 14 报告编号19RI0524 跟技术、产能、质量等方面领先的大型 CMP 抛光材料企业形成稳定合作关系，中国半导体 CMP 抛光材料行业也将逐步形成寡头垄断格局。 3 中国半导体 CMP 抛光材料行业驱动因素分析 3.1 供需两端动力强 需求和供给两方面动力将推动中国半导体 CMP 抛光材料市场的发展。 在需求方面， 集 成电路生产技术的提升使 CMP 抛光材料行业市场扩容。CMP 工艺在单晶硅片制造环节和 集成电路介质层制造中有多次应用，在布线阶段的前段部分需要进行 1 至 3 次 CMP 工艺， 在互连阶段的后段部分需要进行 6 至 8 次 CMP 工艺。 随着集成电路技术的发展， 芯片尺寸 不断缩小、 集成度持续提高， 对晶圆表面平整度的要求愈加严格， 抛光程序次数和需要抛光 液的种类、用量随之增加。如：14 纳米以下芯片工艺要求的 CMP 抛光工艺达到 20 步以 上，使用的抛光液种类在 20 种以上；7 纳米及以下的芯片工艺要求的 CMP 抛光工艺可能 达到 30 步，使用种类接近 30 种。 在供给方面，半导体 CMP 抛光材料是高价值、高消耗材料，资本进入该领域动力大， 推动中国半导体 CMP 抛光材料供应企业数量增加。 以 CMP 抛光液为例， CMP 抛光液被称 为 “流动的液体黄金” ， 200 升价格在 1,0003,000 美金之间， 毛利率在 55%左右， 300 毫 米晶圆使用 CMP 抛光液的速度在 300 毫升每分钟。利润空间和需求空间的叠加，使 CMP 抛光材料在供给端对资本产生吸引力， 在 CMP抛光材料领域加大投资， 增加国产产品供给。 中国目前在半导体 CMP 抛光材料领域内布局的企业有安集科技、江丰电子、鼎龙股份、苏 州观胜等。 15 报告编号19RI0524 3.2 内外政策促进中国行业发展 中国政策对半导体行业发展的鼓励和国际政策策对半导体材料的出口管制促进中国半 导体 CMP 抛光材料行业发展。一方面，中国政府对半导体产业高度重视，出台各项政策并 成立国家产业基金大力扶持；另一方面，作为半导体产业中的关键材料，国际政府对 CMP 抛光材料进行出口管制，利好中国 CMP 抛光材料行业发展。 中国政府通过政策和资金大力支持半导体产业发展，尤其是占比最大的集成电路产业。 集成电路产业被誉为 “工业上的皇冠” ， 是国家最高科技和制造水平的代表。 2014 年 6 月， 国务院颁布 国家集成电路产业发展推进纲要 ， 将集成电路产业发展上升为国家战略。 2015 年 5 月，国务院发布中国制造 2025 ，制定了至 2020 年集成电路自给率将达到 40%、 2025 年达到 50%的目标，国家对集成电路领域整体的推动利好 CMP 抛光材料等细分领域 的发展。 2014 年 9 月， 中国成立第一期国家集成电路产业投资基金 （以下简称 “大基金” ） ， 募集资金超过 1,300 亿元， 对集成电路产业大力扶持。 行业代表企业安集科技即受到大基金 投资，同时也是中国首个打破进口垄断的集成电路 CMP 抛光液的供应企业。此后多个地方 政府相继成立中小基金，北京募集 300 亿元成立集成电路产业发展股权投资基金，上海募 集 500 亿元成立集成电路产业基金，湖北成立集成电路产业发展基金 300 亿元，另外还有 深圳、 山西、 安徽等省市也成立相应基金扶持当地集成电路产业发展。 第二期国家集成电路 产业投资基金在 2019 年 7 月募资已达到 2,000 亿元左右。国家政策的陆续出台和国家基 金的持续投入是推动中国半导体产业和 CMP 抛光材料行业发展的强大动力。 同时， 国际政策对半导体材料的出口管制也倒逼中国企业采购国产材料， 有利于中国半 导体 CMP 抛光材料行业的发展。以美国企业为例，若中国晶圆厂从美国企业购买 CMP 抛 光材料，需要签订 NDA 保密协议，遵守美国政府的管制。一旦美国政府施加管制，美国企 业将随时中断产品供应。 而晶圆厂生产线必须保持时刻运转， 不能随意关停， 产品断供风险 16 报告编号19RI0524 使晶圆厂的生产无法得到有效保障， 促使中国晶圆厂从国内寻求可靠产品供应渠道。 在国际 局势不稳定的风险下，中国半导体产业自主发展成为必经之路，中国半导体 CMP 抛光材料 行业也将随之快速发展。 3.3 全球产业转移，进口替代空间大 受益全球半导体产业向中国转移， 中国半导体 CMP 抛光材料行业迎来发展良机。 半导 体产业的转移对上游国产材料产生大量需求， 促使 CMP 抛光材料等一系列配套材料本土化 生产，实现大规模进口替代，改善当前半导体 CMP 抛光材料进口依赖度达 90%以上的局 面。 2000 年后， 中国开始承接全球半导体产业的第三次转移并迎来晶圆厂建厂潮。 2018 年 中国共有 46 座晶圆制造厂，在 12 英寸和 8 英寸晶圆制造领域均有涉及。其中 10 座已经 投产，包括上海华力、长江存储、台积电（南京） 、中芯（宁波） 、大连英特尔等；9 座产能 处于爬坡期，包括中芯（深圳） 、联芯（厦门） 、合肥晶合等；4 座进行扩建，包括三星（中 国） 、 SK 海力士 （中国） 等； 有 21 座在建， 包括中芯南方、 华虹半导体 （无锡） 、 南京紫光、 厦门士兰集科等；2 座在规划中，分别为华润微电子重庆基地和矽力杰青岛项目。2019 年 全球有 9 条 12 英寸晶圆生产线投产，其中 5 条在中国。 中国晶圆厂的大量投产，将带动上游国产 CMP 抛光材料行业的发展。中国半导体产业 长期存在供需不平衡现象， 中国是全球第一大半导体消费国， 也是全球第一大半导体进口国， 制造设备和材料依赖进口为主。 随着中国半导体产业整体的发展， 对配套材料的需求将会持 续上升，材料进口替代效应将逐步放大。以中芯国际为例，目前本土原料采购占比已超过 50%。同时，在质量得到保证的情况下，国产材料在价格、服务和物流方面比进口产品更有 优势，国产材料将赢得市场青睐。代表企业安集科技生产的 CMP 抛光液质量稳定，交货时 17 报告编号19RI0524 间为 1 个月左右，而价格仅为进口产品的 33%，目前已为中芯国际、长江存储、华润微电 子等企业批量供货。 4 中国半导体 CMP 抛光材料行业制约因素分析 4.1 国际专利保护、技术封锁阻碍发展 国际专利保护和技术封锁是中国半导体 CMP 抛光材料行业发展的障碍之一。半导体 CMP 抛光材料行业属于技术密集型行业，国际巨头拥有先发优势，掌握核心技术，对专有 技术严格保密并申请专利保护，从产品的外形、设计、功能、工艺、生产过程、相关因素等 方面申请专利， 形成专利包， 其他企业一旦使用相关技术便会侵犯专利， 对中国半导体 CMP 抛光材料企业的研发产生不利影响。如美国嘉柏的抛光液产品使用 3D 气相研磨颗粒技术， 由二氧化硅在 1,700 至 1,800 摄氏度烧制而成。美国嘉柏对该项技术进行专利申请，导致 中国企业无法使用该项技术生产产品，限制产品的研发和生产。 同时，1996 年 5 月，以西方国家为主的 33 个国家签署的瓦森纳协定也对中国半 导体技术的发展造成重大制约。至 2019 年，该协定包括美国、韩国、日本、德国等 42 个 成员国， 将军事武器装备、 尖端技术产品和稀有物资等三大类产品列入禁运清单， 限制成员 国向社会主义国家出口上述类别产品， 对中国在高科技领域的发展影响重大。 在半导体领域， 协定成员国只能向中国出口比最尖端工艺制程落后至少 2 代的设备和材料，极大限制中国 半导体产业整体技术的发展。作为半导体产业的子行业，CMP 抛光材料行业的发展也随之 受到抑制。 另外， 受技术封锁影响， 中国高端半导体产业发展时间短， 配套材料验证历史短、 技术低，对下游应用造成制约。全球从上世纪七、八十年代开始发展半导体产业，九十年代 开始大规模应用，而中国发展时间仅有 7、8 年，技术稳定性难以得到保证。新材料开发需 18 报告编号19RI0524 要配合下游集成电路行业的发展，开发周期长、技术要求高、资金投入大。若产品出现问题 造成下游产品损失，下游客户将对 CMP 抛光材料供应企业减少信任度。 4.2 下游认证壁垒高、周期长制约发展 下游客户认证壁垒高、周期长，对中国半导体 CMP 抛光材料企业的销售产生制约。芯 片生产采取大批量制作模式，工艺复杂、流程多，需要历经 2,0005,000 道工序，每一道 工序使用材料的稳定性对最终晶圆良率有重大影响。 若抛光材料的品质无法保持稳定， 将造 成大批量硅片磨损，损失巨大。同时，更换 CMP 材料供应商意味着对已形成稳定的工艺流 程进行调整，需要花费很多的人力和成本，产生不可控制的风险，影响最终成品质量。故下 游客户对材料供应商的认证十分严格，整个认证周期可达 12 年，需要经过初评、产品报 价、样品检测、稳定性检测、考察关键指标、与主流产品对比分析、长达半年至一年的小批 量试用、生产线考察等认证步骤。 通过认证后，双方进行谈判，客户从更换成本、所需时间、对生产的影响等方面进行评 估， 决定是否采用供应企业产品。 供应企业一旦通过整个过程， 双方便会形成稳定供应关系。 严格的认证流程和漫长的认证周期导致新进入企业难以快速打开市场， 客户也更倾向于同产 品品质成熟、稳定的国际企业合作，制约中国半导体 CMP 抛光材料行业的发展。中国新进 入企业只有在产品质量、价格、技术、服务等多方面优于原供应商，才有机会打破国际巨头 垄断的局面。 4.3 高端人才紧缺限制发展 中国半导体行业高端人才紧缺， 限制中国半导体