2019年中国光刻胶行业研究报告.pdf

返回 相关 举报
2019年中国光刻胶行业研究报告.pdf_第1页
第1页 / 共35页
2019年中国光刻胶行业研究报告.pdf_第2页
第2页 / 共35页
2019年中国光刻胶行业研究报告.pdf_第3页
第3页 / 共35页
2019年中国光刻胶行业研究报告.pdf_第4页
第4页 / 共35页
2019年中国光刻胶行业研究报告.pdf_第5页
第5页 / 共35页
亲,该文档总共35页,到这儿已超出免费预览范围,如果喜欢就下载吧!
资源描述
1 报告编码19RI0796 头豹研究院 |半导体系列行业概览 400-072-5588 2019 年 中国光刻胶行业研究报告 报告摘要 通信研究团队 光刻胶是由树脂、 感光剂、 溶剂及各类添加剂等组成的 对光敏感的混合液态感光材料。 光刻胶是半导体、 平板 显示器、PCB 等微电子领域加工制造中使用的关键材 料。 中国本土光刻胶企业正积极对标国外光刻胶技术, 同时对新的核心技术有着较大的发展需求,这促使中 国本土光刻胶企业研发动力不断增强, 中国有望在 5 年 内实现中高端光刻胶产品的进口替代。 热点一:5G 商用和全球半导体制造基地是行业发展动力 热点二:行业进入壁垒高是制约行业发展的主要因素 热点三:EUV 光刻胶将成为主流 中国光刻胶行业的发展离不开两大驱动力的支持: (1) 在 5G 技术的发展下, 超密集小基站建设扩大了高频 PCB 需求。作为 PCB 制造环节的必备材料,中国光刻胶市场 需求将相应得到快速释放; (2)全球半导体制造基地向 大陆转移,促使了中国半导体产能增长,从而带动中国 光刻胶市场需求的增长。 光刻胶行业存在较为严格的供应商认证机制,在国外光 刻胶制造商占据主要市场份额的形势下,严格的供应商 认证机制会使中国光刻胶制造商尤其是中小规模的光刻 胶制造商难以发展壮大, 阻碍了中国光刻胶行业的发展。 EUV 通过缩短光线的波长来提高曝光时的分辨率,从而 满足微细图形线路的加工制造需求。因此,EUV 是实现 14 纳米节点以下的最可行方案。一旦 EUV 技术发展成 熟,EUV 光刻胶将是未来 7 纳米和 5 纳米制程芯片的主 流材料,在半导体制造中的占比将逐渐提高。 林莹莹 分析师 陈夏琳 分析师 邮箱: csleadleo行业走势图 相关热点报告 半导体系列研究报告2020 年新冠肺炎疫情对中国半导体 行业的影响 半导体系列研究报告2019 年中国半导体二极管行业概览 半导体系列研究报告2019 年中国半导体存储器行业概览 2 此文件为内部工作稿,仅供内部使用 报告编号19RI0523 目录 1 方法论 . 5 1.1 研究方法 . 5 1.2 名词解释 . 6 2 中国光刻胶行业市场综述 . 8 2.1 光刻胶行业定义及分类 . 8 2.2 全球光刻胶行业发展历程 . 9 2.3 中国光刻胶行业市场现状 . 12 2.4 中国光刻胶行业产业链 . 13 2.4.1 上游分析 . 13 2.4.2 中游分析 . 16 2.4.3 下游分析 . 17 2.5 中国光刻胶行业市场规模 . 18 3 中国光刻胶行业驱动与制约因素 . 19 3.1 驱动因素 . 1 9 3.1.1 5G 商用带动光刻胶行业发展 . 19 3.1.2 全球半导体制造基地向中国转移 . 20 3.1.3 中国光刻胶技术逐步提高 . 20 3.2 制约因素 . 2 1 3.2.1 专业人才储备不足 . 21 3.2.2 行业进入壁垒高 . 22 4 中国光刻胶行业政策及监管分析 . 23 3 此文件为内部工作稿,仅供内部使用 报告编号19RI0523 5 中国光刻胶行业市场趋势 . 24 5.1 EUV 光刻胶将成为主流 . 24 5.2 光刻胶产品定制化需求增长 . 25 5.3 光刻胶产品国产化程度提升 . 25 6 中国光刻胶行业竞争格局 . 26 6.1 中国光刻胶行业市场竞争格局 . 26 6.2 中国光刻胶行业典型企业分析 . 27 6.2.1 北京科华微电子材料有限公司 . 27 6.2.2 江苏汉拓光学材料有限公司 . 29 6.2.3 苏州瑞红电子化学品有限公司 . 31 4 此文件为内部工作稿,仅供内部使用 报告编号19RI0523 图表目录 图 2-1 中国光刻胶行业分类(按显示效果划分) . 9 图 2-2 全球光刻胶行业发展历程 . 9 图 2-3 中国光刻胶行业产业链 . 13 图 2-4 中国光刻胶产量,2014-2023 年预测 . 19 图 4-1 中国光刻胶行业相关政策 . 24 图 6-1 中国光刻胶行业代表企业 . 27 5 此文件为内部工作稿,仅供内部使用 报告编号19RI0523 1 方法论 1.1 研究方法 头豹研究院布局中国市场, 深入研究 10 大行业, 54 个垂直行业的市场变化, 已经积累 了近 50 万行业研究样本,完成近 10,000 多个独立的研究咨询项目。 研究院依托中国活跃的经济环境,从半导体、电力电子、芯片、PCB、平板显示器 等领域着手, 研究内容覆盖整个行业的发展周期, 伴随着行业中企业的创立, 发展, 扩张, 到企业走向上市及上市后的成熟期, 研究院的各行业研究员探索和评估行业 中多变的产业模式,企业的商业模式和运营模式,以专业的视野解读行业的沿革。 研究院融合传统与新型的研究方法, 采用自主研发的算法, 结合行业交叉的大数据, 以多元化的调研方法, 挖掘定量数据背后的逻辑, 分析定性内容背后的观点, 客观 和真实地阐述行业的现状, 前瞻性地预测行业未来的发展趋势, 在研究院的每一份 研究报告中,完整地呈现行业的过去,现在和未来。 研究院秉承匠心研究, 砥砺前行的宗旨, 从战略的角度分析行业, 从执行的层面阅 读行业,为每一个行业的报告阅读者提供值得品鉴的研究报告。 头豹研究院本次研究于 2019 年 8 月完成。 6 此文件为内部工作稿,仅供内部使用 报告编号19RI0523 1.2 名词解释 掩膜板: 在薄膜、 塑料或玻璃基体材料上制作各种功能图形并精确定位, 以便用于光致 抗蚀剂涂层选择性曝光的一种结构。 酚醛树脂-重氮萘醌正性光刻胶:使用酯缩醛聚合物(线性酚醛树脂)为感光树脂,以 重氮萘醌磺酸酯为光致产酸剂,其光解产生磺酸,而酯缩醛聚合物具有高酸解性,在 酸的作用下,室温即可分解为小分子片段。 PCB:Printed Circuit Board,即印刷电路板,是重要的电子部件、电子元器件的支撑 体,电子元器件电气连接的载体。 聚乙烯醇肉桂酸酯:淡黄色液体,乙烯基-3-苯基-2-丙烯酸酯的均聚物,是一种负性 光致抗蚀剂,在紫外光照射下聚合,不见光的部分不聚合。 NA:Numerical Aperture,即数值孔径,是一个无量纲数,用以衡量该系统能够收集 的光的角度范围。 EUV:Extreme Ultraviolet Lithography,即极紫外光刻,以波长为 1014 纳 米的极紫外光作为光源的光刻技术,其采用波长为 13.4 纳米的紫外线。 02 专项:即 极大规模集成电路制造技术及成套工艺 ,因次序排在国家重大专项所列 16 个重大专项中的第二位,故在行业内被称为“02 专项”。 “中国制造 2025” :中国政府实施制造强国战略的第一个十年行动纲领。 “工业 4.0” : 指第四次工业革命, 即通过物联信息系统将生产中供应、 制造、 销售信息 环节进行数据化和智慧化,从而达到高速、有效、个性化的产品供应。 5G 网络: 是第五代移动通信网络, 其峰值理论传输速度可达每秒数十 Gb, 比 4G 网络 的传输速度快数百倍。 “互联网+” :是创新 2.0 下互联网发展的新业态,是知识社会创新 2.0 推动下的互联 7 此文件为内部工作稿,仅供内部使用 报告编号19RI0523 网形态演进及其催生的经济社会发展新形态。 4G:第四代移动通信技术。 人工智能:是研究、开发用于模拟、延伸和扩展人的智能的理论、方法、技术及应用 系统的一门新的技术科学。 物联网:指通过信息传感设备,按约定的协议,将任何物体与网络相连接,物体通过信 息传播媒介进行信息交换和通信,以实现智能化识别、定位、跟踪、监管等功能。 MHz:Mega Hertz,即兆赫,是一种波动频率单位。 交联反应: 2 个或者更多的分子 (一般为线型分子) 相互键合交联成网络结构的较稳定 分子 (体型分子) 的反应。 这种反应使线型或轻度支链型的大分子转变成三维网状结构, 以此提高强度、耐热性、耐磨性、耐溶剂性等性能,可用于发泡或不发泡制品。 微量分析:化学分析方法的一种,用于测定微量物质的方法,被测物质的许可量仅约 为常量的百分之一。 中试:产品正式投产前的试验,是产品在大规模量产前的较小规模试验。 8 此文件为内部工作稿,仅供内部使用 报告编号19RI0523 2 中国光刻胶行业市场综述 2.1 光刻胶行业定义及分类 光刻胶是由树脂、感光剂、溶剂及各类添加剂等组成的对光敏感的混合液态感光材料。 在图形转移介质经过曝光、 显影、 刻蚀等一系列流程环节后, 光刻胶可将所需要的掩膜板图 形转移至代加工衬底上。 光刻胶是半导体、 平板显示器、 PCB 等微电子、 光电子领域加工制 造中使用的关键材料, 其性能直接影响了下游应用产品的集成度、 功耗性能、 成品率及可靠 性。 光刻胶根据显示效果的不同可分为正性光刻胶和负性光刻胶(见图 2-1) : (1) 正性光刻胶在紫外线等曝光源的照射下,将图形转移至光胶涂层上,受光照射后感 光部分将发生分解反应,可溶于显影液;未感光部分不溶于显影液,仍然保留在衬 底上,将与掩膜上相同的图形复制到衬底上。正性光刻胶响应波长为 330430 纳 米,胶膜厚为 13 微米,正性光刻胶的分辨率更高,无溶胀现象。因此,正性光刻 胶的应用比负性光刻胶更为普及。 (2) 负性光刻胶在紫外线等曝光源的照射下,将图形转移至光胶涂层上,在显影溶液的 作用下,负性光刻胶曝光部分产生交联反应而不溶于显影液;未曝光部分溶于显影 液, 将与掩膜上相反的图形复制到衬底上。 负性光刻胶响应波长为 330430 纳米, 胶膜厚 0.31 微米,负性光刻胶的分辨率比正性光刻胶低。因此,负性光刻胶的普 及率低。 9 此文件为内部工作稿,仅供内部使用 报告编号19RI0523 图 2-1 中国光刻胶行业分类(按显示效果划分) 来源:头豹研究院编辑整理 2.2 全球光刻胶行业发展历程 全球光刻胶行业从发展至今可分为萌芽期、初步发展期、快速发展期三个阶段(见图 2-2) 。 图 2-2 全球光刻胶行业发展历程 来源:头豹研究院编辑整理 (1) 萌芽期(20 世纪 50 年代20 世纪 80 年代初) 全球光刻胶行业起步于 1950 年,国外研究人员开发出酚醛树脂-重氮萘醌正性光刻胶, 此类光刻胶用稀碱水显影时不存在胶膜溶胀问题, 制成的光刻胶分辨率较高, 而且抗干法蚀 刻性较强。正性光刻胶根据所用的曝光机不同,又可分为宽谱紫外正胶、g 线正胶、i 线正 胶。 三种类型的正性光刻胶均采用线型酚醛树脂制造出膜树脂, 重氮萘醌型酯化物作为感光 10 此文件为内部工作稿,仅供内部使用 报告编号19RI0523 剂, 但由于酚醛树脂和感光剂微观结构的不同, 因此三种正胶的分辨率和应用场景不同。 如 g 线紫外正性光刻胶采用 g 线曝光,适用于 0.50.6 微米集成电路的制作,可满足当时大 规模集成电路和超大规模集成电路的制作。 1954 年,美国柯达公司研发出聚乙烯醇肉桂酸酯及其衍生物类光刻胶体系,该类光刻 胶是最先应用在电子工业中的光刻胶, 但由于该类光刻胶在硅片上的粘附性差, 影响了它在 电子工业的广泛应用。 1958 年, 美国柯达公司成功研发出环化橡胶-双叠氮系光刻胶, 该类 光刻胶在硅片上具有粘附性良好、感光速度快、抗湿法刻蚀能力强等特点。20 世纪八十年 代初,环化橡胶-双叠氮系光刻胶成为电子工业主要应用的光刻胶,为后续的光刻胶应用奠 定了基础。 (2)初步发展期(20 世纪 80 年代中期20 世纪 90 年代) 在全球集成电路行业发展的背景下, 光刻胶技术工艺逐步提高。 20 世纪 80 年代中期, i 线光刻技术进入开发期。20 世纪 90 年代,i 线光刻胶进入高速发展期,并取代了 g 线光 刻胶。随着 i 线光刻机的改进,i 线光刻胶可制造线宽为 0.25 微米的集成电路,拓宽了 i 线 光刻的应用范围。 11 此文件为内部工作稿,仅供内部使用 报告编号19RI0523 随着 KrF(248 纳米) 、ArF(193 纳米)等稀有气体卤化物准分子激发态激光光源技术 的发展,深紫外光刻胶得以应用。20 世纪 90 年代前后,国外研究人员投入到 KrF 准分子 激光为曝光源的 KrF 光刻胶研究中,KrF 光刻胶逐步开始发展。然而,由于酚醛树脂-重氮 萘醌光刻胶在 KrF(248 纳米)处有很强的非光漂白性吸收,导致光敏性差,因此 KrF 光刻 胶无法使用。 为了解决这一难题, 国外研究学者通过提高曝光机的 NA 值及改进配套光刻技 术, 以拓展 KrF 光刻胶应用的界限, 到 20 世纪 90 年代中后期, KrF 光刻胶进入成熟阶段。 这一时期,KrF 光刻胶逐步应用于液晶平板显示器件加工制造中,对液晶平板显示器的高精 细化和彩色化发展起到推动的作用。 与此同时, 在半导体集成度不断提高的进程中, 光刻胶 成为了半导体制造环节中重要的材料,推进半导体制造技术的进步。 (3)快速发展期(21 世纪至今) 进入 21 世纪后,全球高科技行业发展迅速,光刻胶行业下游半导体、平板显示 器等新兴行业得到较快的发展。光刻胶从 g 线、i 线、KrF 发展到 ArF 光刻胶。相比 KrF光刻胶,ArF 光刻胶具有更高的分辨率,可达到 0.1 微米。因此 2005 年,ArF 光 刻胶逐步应用于 90 纳米的制造工艺。在全球半导体行业快速发展的背景下,全球光 刻胶相关企业加快在光刻胶领域的研发步伐。2004 年 Intel 公司安装了全球第一套 商用 EUV 光刻工具,并建立了一条 EUV 掩模试产线,表明 EUV 光刻胶从研发阶段 进入试用阶段。随着微电子制造业精密度不断提升,光刻胶的曝光波长由宽谱紫外线 向 g 线、i 线、Krf、ArF 发展到 EUV 光刻胶。作为新一代电子信息、新型显示技术的 重要基础性化学材料,全球光刻胶需求得到增长。全球光刻胶市场规模从 2010 年的 54.6 亿美元增长到 2015 年的 74.1 亿美元,年复合增长率为 7.9%,全球光刻胶行业 进入快速发展阶段。 12 此文件为内部工作稿,仅供内部使用 报告编号19RI0523 2.3 中国光刻胶行业市场现状 全球光刻胶的核心技术基本被日本和美国企业掌握,中国在光刻胶行业与国际先 进水平相比仍有差距。一方面,中国光刻胶关键原材料和光刻胶设备主要依赖进口, 对外依存度大。 另一方面, 国外光刻胶制造商起步早, 市场把控力强, 竞争优势明显。 而中国光刻胶制造商起步晚, 缺乏技术积累, 导致中国光刻胶制造商的市场竞争力弱。 在全球大力发展高新技术的背景下,中国政府对于光刻胶的发展关注度较高。自 “六五”计划以来,光刻胶行业被列为国家高新技术计划和国家重大科技项目。中国 政府通过颁布一系列红利政策,鼓励光刻胶行业产品研发和技术升级,在规划部署行 业发展方向上起到了引导的作用。中国本土光刻胶制造商加强光刻胶产业链布局,以 苏州瑞红电子化学品有限公司(以下简称“苏州瑞红” ) 、北京科华微电子材料有限公 司(以下简称“科华微电子” ) 、深圳市容大感光科技股份有限公司(以下简称“容大 感光” )等为代表的光刻胶制造商已开启了光刻胶自主研发步伐,逐步具备了自主研 发光刻胶的实力。当前,苏州瑞红、科华微电子已实现光刻胶产品自主研发和规模化 生产,并取得行业下游中国本土厂商的认证,为行业下游半导体、平板显示、PCB 厂 商供货。 随着PCB外资企业陆续在中国建厂, 中国成为全球最大的PCB光刻胶生产基地, 促使中国本土光刻胶制造商崛起, 极大地推动了中国 PCB 光刻胶的发展。 当前, 中国 光刻胶制造商在 PCB 领域制造用的光刻胶已逐步实现进口替代,打破了国外光刻胶 制造商在该领域的垄断,推进了中国光刻胶国产化进程的加快。然而,在技术要求较 高的半导体和平板显示器领域,与国外光刻胶制造商相比,中国本土光刻胶制造商的 生产配方工艺和制造技术仍存在差距。 中国在半导体和平板显示器领域用的光刻胶主 要集中在 g 线和 i 线光刻胶,而在中高端市场,半导体和平板显示器领域制造用的 13 此文件为内部工作稿,仅供内部使用 报告编号19RI0523 KrF 和 ArF 光刻胶则被日本和美国企业所占据,中国在中高端市场不具备市场竞争 力,在光刻胶技术方面仍需进一步增强自身竞争力。 2.4 中国光刻胶行业产业链 中国光刻胶行业产业链由上至下可分为上游主体原材料供应商和设备供应商,中 游主体光刻胶制造商及下游应用终端领域(见图 2-3) 。 图 2-3 中国光刻胶行业产业链 来源:头豹研究院编辑整理 2.4.1 上游分析 中国光刻胶行业产业链上游参与者为溶剂、树脂、光敏剂等各类原材料供应商和 光刻机、显影机、检测与测试等设备供应商。溶剂、树脂、光敏剂是光刻胶生产的主 要原材料, 其中光敏剂在光刻胶生产总成本中占比达到 60%。 根据在光刻胶行业有多 年市场运营经验的专家表示,在溶剂方面,中国仅有小部分企业从事研发和生产光刻 胶溶剂,但溶剂生产量供不应求,无法满足中国光刻胶制造商的需求。在树脂方面, 中国处于起步发展阶段,目前山东圣泉新材料股份有限公司具备树脂生产能力,但生 14 此文件为内部工作稿,仅供内部使用 报告编号19RI0523 产的树脂质量不稳定, 符合光刻胶制造商要求的树脂产量仅有 30%左右。 在光敏剂方 面, 以常州强力电子新材料股份有限公司 (以下简称 “强力新材” ) 为代表的光敏剂供 应商在光敏剂技术方面具有领先优势,但强力新材的光敏剂主要应用在 PCB 领域的 光刻胶生产,无法应用于半导体和平板显示领域的光刻胶生产。当前,应用于半导体 和平板显示领域的光刻胶光敏剂主要依靠进口, 市场主要被日本东京应化工业株式会 社(以下简称“东京应化” ) 、韩国株式会社东进世美肯(以下简称“东进” )和美国罗 门哈斯电子材料有限公司等厂商所占据。整体而言,中国从事光刻胶原材料研发及生 产的供应商较少, 中国光刻胶原材料市场主要被日本、 韩国和美国厂商所占据。 因此, 中国光刻胶制造商对进口材料依赖性较大,在上游原材料环节的议价能力弱。 在上游设备供应商方面,光刻机、显影机、检测与测试设备是中国光刻胶制造的 核心设备。由于中国在光刻机、显影机、检测与测试设备行业的起步时间较晚,且这 些设备具备较高的制造工艺壁垒,导致中国在光刻胶、显影机、检测与测试设备的国 产化程度均低于 10%, 此类设备主要依赖美国、 日本、 荷兰等国。 其中荷兰 ASML 已 垄断了高端光刻机市场。由此可见,中国在行业上游设备市场方面不具备竞争优势, 国外设备厂商的议价能力强。 15 此文件为内部工作稿,仅供内部使用 报告编号19RI0523 16 此文件为内部工作稿,仅供内部使用 报告编号19RI0523 2.4.2 中游分析 中国光刻胶行业的中游参与主体为光刻胶制造商,主要负责光刻胶的研发、制造 和销售。光刻胶从原材料到最终成品的制造过程中,需要经过成品提纯、金属杂质去 除、蒸馏、抽滤、合成、分液、浓缩等一系列生产工艺,每道生产工艺均涉及曝光光 源、加工图形线路精度等方面的不同关键技术。光刻胶品类繁多,针对下游不同应用 需求,每种光刻胶产品的原材料配方和制备要求各不相同。因此,光刻胶制造商不仅 需要具备研发能力和技术应用能力,其研发人员还需具有较强的性能评价技术、微量 分析技术能力以满足下游电子信息产业的功能性需求。 当前全球光刻胶生产制造主要被日本 JSR 株式会社(以下简称“JSR” ) 、东京应 化、信越化学工业株式会社(以下简称“信越化学” ) 、日本住友化学株式会社(以下 简称“住友化学” ) 、美国陶氏化学有限公司(以下简称“陶氏化学” )和韩国东进等制 造商所垄断, 尤其在高分辨率的 KrF 和 ArF 光刻胶领域, 其核心技术基本由美国和日 本制造商所掌握。以半导体制造用的光刻胶市场为例,随着半导体的集成度提升,因 半导体制造用的光刻胶纯度要求高, 半导体对高性能半导体光刻胶提出了更高的要求。 当前日本住友化学、东京应化,美国陶氏化学等制造商掌握超过 90%的半导体光刻 胶市场,而在制造技术先进的 KrF、ArF 和 EUV 光刻胶领域占据 50%以上的市场, 中国本土企业在光刻胶市场的份额较低,与国外光刻胶制造商仍存在差距。 受益于中国政府颁布的利好政策,中国光刻胶制造商加大了光刻胶的研发力度。 现阶段,中国苏州瑞红、科华微电子两家企业加强在高端光刻胶领域的产业布局。苏 州瑞红的 KrF 光刻胶已进入中试阶段。科华微电子已建立年产能 10 吨的 KrF 光刻胶 生产线。 光刻胶行业存在严格的供应商认证机制, 凭借在 KrF 光刻胶的成熟制造工艺, 科华微电子的 KrF 光刻胶已通过中国本土集成电路生产商中芯国际集成电路制造有 17 此文件为内部工作稿,仅供内部使用 报告编号19RI0523 限公司(以下简称“中芯国际” )认证。与此同时,科华微电子也正在积极研发 ArF 光 刻胶,其参与的国家科技重大专项极紫外(EUV)光刻胶项目已通过验收,该项目完 成了关键材料设计、制备和合成工艺研究、配方组成的研究和光刻胶设备等研究。可 见,中国苏州瑞红和科华微电子在光刻胶产业积极布局,且其光刻胶已取得下游厂商 的认证,这两家光刻胶制造商已在光刻胶领域取得较大进步,推动了光刻胶国产化进 程。整体而言,中国光刻胶制造商与国外制造商相比,中国本土光刻胶制造商技术不 高,市场竞争力不强。未来,在光刻胶国产化进程加快的趋势下,光刻胶制造商发展 空间将逐步增大。 2.4.3 下游分析 中国光刻胶行业产业链下游应用终端领域主要包括半导体、 平板显示器和 PCB 领 域。在“互联网+”和 5G 进程持续深化的背景下,各类涉及电气化和自动化的场景 都离不开以半导体、 平板显示器和 PCB 为核心的应用。 伴随着消费升级、 应用终端产 品更新迭代速度加快,下游应用领域企业对半导体、平板显示和 PCB 制造提出了愈 加精细化的要求。光刻胶是电子工业中的关键性材料,其质量直接影响到电子工业产 品的集成度和成品率。因此,随着行业下游应用领域不断趋向定制化、个性化,下游 应用领域将带动光刻胶行业持续发展。可见,行业下游应用终端领域对光刻胶行业在 产品设计、技术发展具有导向性,尤其是半导体、平板显示器和 PCB 行业的发展对 光刻胶行业的发展具有至关重要的作用, 这三大行业应用的终端用户在光刻胶行业产 业链中具有强大的议价权。 18 此文件为内部工作稿,仅供内部使用 报告编号19RI0523 2.5 中国光刻胶行业市场规模 在全球高新技术发展的背景下, 中国政府高度重视半导体、 平板显示器及 PCB 行 业发展。 在国家一系列红利政策带动下, 中国半导体、 平板显示及 PCB 行业发展势头 良好。作为半导体、平板显示及 PCB 行业制造环节中关键的材料,光刻胶的市场需 求得到快速释放,尤其是平板显示器用的光刻胶产量增长,中国光刻胶产量呈现稳中 有升态势。根据头豹研究院数据显示,中国光刻胶产量从 2014 年的 6.3 万吨增长到 2018 年的 9.0 万吨,年复合增长率为 9.3%(见图 2-4) 。 受益于中国红利政策的扶持,中国本土光刻胶制造商积极提升光刻胶产品技术水 平和研发能力,推进光刻胶国产化的进程。未来,中国有望突破高端光刻胶产品的技 术壁垒, 带动中国光刻胶产量进一步提升。 与此同时, 全球半导体产业、 平板显示器、 PCB 行业逐渐向中国转移, 带动中国光刻胶的需求激增, 中国光刻胶行业拥有较大发 展空间。除此之外,在中国“工业 4.0” 、 “互联网+”和“中国制造 2020”持续深化 发展的背景下,行业下游应用终端领域对光刻胶的需求有望持续增长,从而推动中国 光刻胶产量提升,预计到 2023 年中国光刻胶产量有望达到 23.8 万吨,市场发展空 间广阔。 19 此文件为内部工作稿,仅供内部使用 报告编号19RI0523 图 2-4 中国光刻胶产量,2014-2023 年预测 来源:头豹研究院编辑整理 3 中国光刻胶行业驱动与制约因素 3.1 驱动因素 3.1.1 5G 商用带动光刻胶行业发展 2017 年,中国国务院在关于进一步扩大和升级信息消费持续释放内需潜力的 指导意见中提出加快第五代移动通信(5G)标准研究、技术试验和产业推进,力争 2020 年启动商用。当前,中国已具备 5G 商用部署条件,并已逐步启动 5G 通信的措 施。2019 年 6 月,中国工信部正式向中国电信、中国移动、中国联通、中国广电发 放 5G 商用牌照。中国移动、中国联通、中国电信三大运营均已公布 5G 部署。而高 频 PCB 是实现 5G 应用的电子部件之一。因此,5G 的商用成为光刻胶行业发展的动 力,带动光刻胶的需求增长。 5G 通信系统在 3,000MHz5,000MHz 的频率使用,与 4G 通信系统相比,5G 20 此文件为内部工作稿,仅供内部使用 报告编号19RI0523 数据传输速度提高 10 倍以上。为实现无线传输、增加传输速率,大规模的天线阵列 和超密集组网是发展 5G 的关键技术,而高频 PCB 是 5G 通信基材,具有低损耗、高 可靠性、高频特性等特点。在 5G 技术的发展下,5G 新建的通信基站数量将会达到 4G 时代的 2 倍以上,超密集小基站建设扩大了高频 PCB 需求。作为 PCB 制造环节 的
展开阅读全文
相关资源
相关搜索
资源标签

copyright@ 2017-2022 报告吧 版权所有
经营许可证编号:宁ICP备17002310号 | 增值电信业务经营许可证编号:宁B2-20200018  | 宁公网安备64010602000642