2019年中国绝缘栅双极型晶体管（IGBT）行业研究报告.pdf

1 报告编码19RI0256 头豹研究院 | 电子系列行业概览 400-072-5588 2019 年中国绝缘栅双极型晶体管（IGBT） 行业研究报告 报告摘要 工业团队 IGBT， Insulated Gate Bipolar Transistor， 即绝缘栅双 极型晶体管。在制造业技术浪潮推动下，中国传统 制造行业趋向电动化和智能化升级，对能源的转换 效率和电能利用效率均提出了更高的要求。中国 IGBT 行业市场规模由 2014 年的 79.8 亿元增长到 2018 年的 159.6 亿元，年复合增长率为 18.9%。未 来中国 IGBT 行业市场将持续增长，预计到 2023 年 中国 IGBT 行业市场规模有望达到 290.8 亿元， 市场 前景广阔。 热点一：下游应用领域覆盖广泛，拉动行业需求 热点二： 中国 IGBT 技术提升，推动行业发展 热点三：上游晶圆材料趋向 12 英寸发展 IGBT 下游应用领域广泛，汽车行业、消费电子行业、能 源行业、 电机行业等都需要利用 IGBT 来提高能源使用效 率。对于高功耗损耗的电子制造设备，IGBT 不仅能够保 障设备工作时的可靠性和安全性，还能对设备起到节能 减排作用。 随着 IGBT 下游应用广泛， 下游需求逐步扩大， 促进 IGBT 行业的快速发展。 中国是全球最大的家电生产和消费国家，大部分中国本 土 IGBT 生产商从家电领域作为切入点进入 IGBT 行业。 现阶段，中国本土 IGBT 生产商在 1,200V 平面非穿通型 和 1,200V 沟槽非穿通型 IGBT 取得较大的突破，IGBT 模 组在消费电子领域已逐步实现由国产替代进口，逐步缩 小了与国外厂商的差距。 随着 12 英寸硅晶圆的生产技术逐步成熟， 硅晶圆将从 8 英寸向 12 英寸过度。在中国各大晶圆生产商启动 12 英 寸产线的趋势下，12 英寸硅晶圆将成为 IGBT 行业上游 晶圆材料的主流发展趋趋，带动行业上游晶圆材料的逐 步替换。 79.8 95.6 104.6 131.8 159.6 175.9 197.7 224.6 257.1 290.8 0 50 100 150 200 250 300 350 2 0 1 42 0 1 52 0 1 62 0 1 72 0 1 8 2019预测 2020预测 2021预测 2022预测 2023预测 亿元 中国IGBT行业市场规模 年复合增长率 2014-2018 18.9% 2019预测-2023预测 13.4% 中国IGBT行业市场规模，2014-2023预测 庄林楠 高级分析师 林莹莹 分析师 邮箱：csleadleo 行业走势图 相关热点报告 电子系列行业概览 2019 年中国 3D 显示行业 研究报告 电子系列行业概览 2019 年中国视频监控设备 行业研究报告 电子系列行业概览 2019 年中国超级电容器行 业研究报告 电子系列行业概览 2019 年中国光学镜头行业 研究报告 报告编号19RI0256 目录 1 方法论 . 3 1.1 方法论 . 3 1.2 名词解释 . 4 2 中国 IGBT 行业市场综述 . 6 2.1 中国 IGBT 行业定义及分类 . 6 2.2 全球 IGBT 行业发展历程 . 7 2.3 中国 IGBT 行业市场现状 . 11 2.4 中国 IGBT 行业产业链 . 12 2.4.1 上游分析 . 13 2.4.2 中游分析 . 14 2.4.3 下游分析 . 15 2.5 中国 IGBT 行业市场规模 . 15 3 中国 IGBT 行业驱动与制约因素 . 16 3.1 驱动因素 . 16 3.1.1 下游应用领域覆盖广泛，拉动行业需求 . 16 3.1.2 “中国制造 2025”驱动下游转型升级，带动行业需求 . 17 3.1.3 中国 IGBT 技术提升，推动行业发展 . 18 3.2 制约因素 . 19 1 报告编号19RI0256 3.2.1 8 英寸晶圆材料供不应求，限制行业发展 . 19 3.2.2 IGBT 投资成本大，制约行业发展 . 20 3.2.3 专业人才不足 . 20 4 中国 IGBT 行业政策及监管分析 . 21 5 中国 IGBT 行业市场趋势 . 23 5.1.1 行业上游晶圆材料趋向 12 英寸发展 . 23 5.1.2 行业趋向模块化和小型化发展 . 23 5.1.3 行业下游消费电子和家用电器领域向个性化需求增长 . 24 6 中国 IGBT 行业竞争格局 . 25 6.1 全球 IGBT 行业竞争格局概述 . 25 6.2 中国 IGBT 行业典型企业分析 . 27 6.2.1 威海新佳电子有限公司 . 27 6.2.2 南京银茂微电子制造有限公司 . 28 6.2.3 达新半导体有限公司 . 30 2 报告编号19RI0256 图表目录 图 2-1 IGBT 行业分类（根据电压等级划分） . 7 图 2-2 全球 IGBT 芯片行业发展历程 . 7 图 2-3 中国 IGBT 产品产量，2014-2023 年预测 . 12 图 2-4 中国 IGBT 行业产业链 . 13 图 2-5 中国 IGBT 行业市场规模，2014-2023 年预测 . 16 图 3-1 中国光伏发电新增装机容量，2014-2018 年 . 17 图 3-2 中国新能源汽车产量，2014-2018 年 . 18 图 4-1 中国 IGBT 行业相关政策 . 22 图 6-1 部分中国 IGBT 主要竞争企业 . 27 3 报告编号19RI0256 1 方法论 1.1 方法论 头豹研究院布局中国市场， 深入研究 10 大行业， 54 个垂直行业的市场变化， 已经积累 了近 50 万行业研究样本，完成近 10,000 多个独立的研究咨询项目。 研究院依托中国活跃的经济环境， 从集成电路、 电力电子器件、 功率半导体器件等 领域着手，研究内容覆盖整个行业的发展周期，伴随着行业中企业的创立，发展， 扩张， 到企业走向上市及上市后的成熟期， 研究院的各行业研究员探索和评估行业 中多变的行业模式，企业的商业模式和运营模式，以专业的视野解读行业的沿革。 研究院融合传统与新型的研究方法， 采用自主研发的算法， 结合行业交叉的大数据， 以多元化的调研方法， 挖掘定量数据背后的逻辑， 分析定性内容背后的观点， 客观 和真实地阐述行业的现状， 前瞻性地预测行业未来的发展趋势， 在研究院的每一份 研究报告中，完整地呈现行业的过去，现在和未来。 研究院秉承匠心研究， 砥砺前行的宗旨， 从战略的角度分析行业， 从执行的层面阅 读行业，为每一个行业的报告阅读者提供值得品鉴的研究报告。 头豹研究院本次研究于 2019 年 5 月完成。 4 报告编号19RI0256 1.2 名词解释 双极性晶体管： 是一种具有三个终端的电子器件， 由三部分掺杂程度不同的半导体制成， 晶体管中的电荷流动主要是由于载流子在 PN 结处的扩散作用和漂移运动。 绝缘栅场效应管：是一种金属-氧化物-半导体场效应管，通常用 MOS 表示，具有比结 型场效应管更高的输入阻抗（可达 1012 以上） ，且制造工艺比较简单，使用灵活方 便，有利于高度集成化。 载流子：也称电流载体，指可以自由移动的带有电荷的物质微粒，如电子和离子。 闩锁效应：是 CMOS 工艺所特有的寄生效应，严重时会导致电路的失效，甚至烧毁芯 片。 IDM：Integrated Device Manufacturer，即整合元件制造商，其经营范围通常涵盖 了 IC 设计、IC 制造、封装测试等各个环节，可覆盖集成电路全产业链。 “工业 4.0” ： 指第四次工业革命， 即通过物联信息系统将生产中的供应， 制造， 销售信 息环节进行数据化和智慧化，从而达到高速，有效，个性化的产品供应。 “中国制造 2025” ：中国政府实施制造强国战略的第一个十年行动纲领。 火炬计划：由中国科委指定的，推动中国高新技术形成和发展的计划。 m：即微米，是一种长度单位。 交流电： 指电流大小和方向随时间作周期性变化的电流， 在一个周期内的运行平均值为 零。 直流电：指大小（电压高低）和方向（正负极）都不随时间（相对范围内）而变化的电 力。 光伏逆变器：指可以将光伏（PV）太阳能板产生的可变直流电压转换为市电频率交流 5 报告编号19RI0256 电（AC）的逆变器，可以反馈回商用输电系统，或是供离网的电网使用。 逻辑芯片： Programmable Logic Device， 也称为可编程逻辑器件， 是一种电子零件、 电子组件，属于数字型态的电路芯片。 IC：Integrated Circuit，即集成电路，是一种微型电子器件或部件。 SIC：Silicon Carbide，即碳化硅，是用石英砂、石油焦（或煤焦） 、木屑（生产绿色碳 化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。 GaN： Gallium Nitride， 即氮化镓， 是现今半导体照明中蓝光发光二极管的核心材料。 白色家电： 是对家电的一种分类的具体类别名称， 指可以替代人们家务劳动的电器产品， 主要包括洗衣机、部分厨房电器和改善生活环境提高物质生活水平。 导通电阻：指二极管导通后两端电压与导通电流之比，是二极管的重要参数。 6 报告编号19RI0256 2 中国 IGBT 行业市场综述 2.1 中国 IGBT 行业定义及分类 IGBT，Insulated Gate Bipolar Transistor，即绝缘栅双极型晶体管。IGBT 是一种由双 极性晶体管（BJT）和绝缘栅场效应管（MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器 件，兼并了 BJT 的导通电压低、通态电流大等优点和 MOS 的开关速度高、控制功率小等优 点。IGBT 作为能源转换和传输的核心器件，具有高效节能、高电压、大电流、高频率和易 于开关等性能， 适用于各类需要交流电和直流电转换及高低电压转换的应用场景， 可提高用 电效率和质量，被广泛应用在消费电子（汽车电子、家用电器、变频白色家电）和工业（轨 道交通、智能电网、交通运输）领域。 IGBT 的种类众多，综合 IGBT 原理和作用，可将 IGBT 根据电压等级划分为低压、中压 和高压 IGBT（见图 2-1） ： (1) 低压 IGBT 的电压等级分布在 650V-1,200V 之间，主要用于低消耗的消费电子和太阳 能逆变器领域。 (2) 中压 IGBT 的电压等级分布在 1,200V-2,500V 之间，主要用于新能源汽车、风力发电 等领域。 (3) 高压 IGBT 的电压等级分布在 2,500V-6,500V 之间，主要用于高压大电流的高铁、动 车、智能电网、工业电机等领域。 7 报告编号19RI0256 图 2-1 IGBT 行业分类（根据电压等级划分） 来源：头豹研究院编辑整理 2.2 全球 IGBT 行业发展历程 IGBT 芯片是 IGBT 模组或分立器件的核心。 第一代 IGBT 芯片研发于 1988 年， IGBT 芯 片从第一代平面穿通型（PT）发展到第六代沟槽型电场-截止型（FS-Trench） ，经过近三十 年发展，大致上经历了六轮更新演进（见图 2-2） ； 图 2-2 全球 IGBT 芯片行业发展历程 来源：头豹研究院编辑整理 (1) 第一代平面穿通型（PT） 20 世纪 80 年代初期，在美国通用电气公司（以下简称“通用电气” ）和美国无线电公 司 （以下简称 “无线电” ） 宣布发明 IGBT 后， 得到世界半导体厂家和研究机构的重视。 1988 年第一代平面穿通型（PT）型的 IGBT 芯片（PT-IGBT）问世，但这一时期的 PT-IGBT 芯片 导通电阻和关断功耗较高， 具有负温度系数， 不利于器件的并联使用， 易造成器件的短路能 力较差，因此第一代平面穿通型（PT）的 IGBT 芯片未能得到普及使用。 8 报告编号19RI0256 (2) 第二代改进的平面穿通型（PT） 为了改进第一代 PT-IGBT 芯片，1990 年，IGBT 研究人员在第一代平面穿通型（PT） 的基础上采用“电场中止技术” ，增加了一个“N 缓冲层” 。这种改进后的平面穿通型（PT） IGBT 芯片在相同的电压下可实现更薄的晶片厚度，不但可以降低器件的通态降压，还可降 低晶体管发射结的注入系数， 从而实现 IGBT 的闩锁效应。 因此， 相较于第一代 PT-IGBT 芯 片，第二代改进的平面穿通型（PT）的 IGBT 芯片运用效果显著。 (3) 第三代沟槽型（Trench） 1992 年发明的第三代沟槽型 （Trench） IGBT 芯片是采用沟槽型替代平面栅结构， 同时 工艺线宽从 5 m 发展到 3 m，优化了器件表面的载流子分布，改善了器件的电流导通能 力，提高了电导调制效应，减小了导通电阻。 (4) 第四代非穿通型（NPT） 1997 年德国英飞凌半导体有限公司 （以下简称 “英飞凌” ） 研发了第四代非穿通型(NPT) 的 IGBT 芯片，与前三代 IGBT 芯片不同的是，NPT 的 IGBT 芯片是以低掺杂的 N-基区作为 衬底，不采用外延技术，而是采用离子注入的“透明集电区技术” ，这样在阻断状态时，电 场只在 N 型衬底内存在。因此，第四代非穿通型（NPT）芯片可通过增快载流子抽取速度 来减低关断损耗， 保证基区原有的载流子寿命。 与此同时， 第四代非穿通型具有正温度系数 特点，虽然在遇到低的正向电压或电流时，NPT-IGBT 芯片会表现为负温度系数，但电流增 大时，NPT-IGBT 会自动变为正温度系数。因此，NPT-IGBT 芯片在实际应用时，具有自我 调整特性，使得 NPT-IGBT 可实现器件的并联。 (5) 第五代电场截止型（FS） 为了降低 IGBT 的总损耗，2001 年英飞凌在第四代 NPT-IGBT 芯片基础上研发了第五 代电场截止型（FS）的 IGBT 芯片。由于结合了“透明集电区技术”与“电场中止技术” ，第 9 报告编号19RI0256 五代 FS-IGBT 芯片功率损耗比第四代 NPT-IGBT 芯片减少了 25.0%。 因此， 第五代 FS-IGBT 芯片相比前几代 IGBT 在成本和性能上得到进一步改善， 更有利于电力电子设备的推广使用。 2001 年后，各 IGBT 生产厂商陆续推出第五代 FS-IGBT，但由于 IGBT 生产厂商不同，第五 代 IGBT 芯片有多种名词，如 ABB 有限公司（以下简称“ABB” ）称其为“软穿通（SPT） ” ， 而三菱电机集团（以下简称“三菱电机” ）则将其称为“轻穿通（LPT） ” 。 (6) 第六代沟槽型电场-截止型（FS-Trench） 2003 年研发人员基于第五代 FS-IGBT 芯片产品改进了沟槽型结构， 第六代沟槽型电场 -截止型 （FS-Trench） IGBT 芯片诞生。 经历了六代 IGBT 芯片技术发展， 第六代 FS-Trench- IGBT 的芯片面积减少了 76.0%，功率下降了 80.0%，硅片厚度减少了 1/3 以上，在 IGBT 产品的制造成本、 可靠性和性能方面得到大幅度改善， 成为了电力电子技术第三代平台性器 件，被广泛用于家用电器和交通运输等各个领域，推动了 IGBT 行业发展。 10 报告编号19RI0256 11 报告编号19RI0256 2.3 中国 IGBT 行业市场现状 在全球大力发展高新技术的浪潮下， 中国政府对于 IGBT 的开发及行业应用关注度较高， 自 2007 年以来，国务院、发改委等多个部门发布了一系列红利政策，加大了相关技术水平 的支持力度，鼓励 IGBT 行业技术升级和产品研发，在规划部署行业发展方向上起到了重要 的引导作用。 当前，中国 IGBT 行业发展态势良好，中国内地企业在 IGBT 全产业链加强布局，以株 洲中车时代电气股份有限公司 （以下简称 “中车时代” ） 、 比亚迪股份有限公司 （以下简称 “比 亚迪” ） 、杭州士兰微电子股份有限公司（以下简称“士兰微” ） 、天津中环半导体股份有限公 司（以下简称“中环股份” ）等为代表的 IGBT 厂商逐步开启了自主研发 IGBT 的道路，形成 了以 IDM 模式和代工厂商模式的 IGBT 完整产业链，推动了 IGBT 国产化进程的加快。 中国在 IGBT 行业应用上取得了较大的突破，尤其是在新能源领域上已赶超日本和德 国。但在 IGBT 芯片设计制造、模块封装、封装测试等 IGBT 产业核心技术上，中国 IGBT 产业相关厂商与日本三菱电机和德国英飞凌厂商仍有明显的差距。以 IGBT 模块封装技术为 例，中国大部分本土厂商基本掌握了传统的焊接式封装技术，但在高压 IGBT 模块封装技术 领域仅有中国中车时代掌握了相关技术， 而国外公司基于传统封装技术已研发出多种先进封 装技术（嵌入式硅器件、超薄封装技术、穿透硅通孔） ，可大幅度提高 IGBT 模块的功率密 度、散热性和可靠性。因此，中国在 IGBT 技术方面仍需进一步增强自身竞争力。 在中国“工业 4.0”和“中国制造 2025”的背景下，各种涉及到电的场合都离不开以 IGBT 为核心的电力电子技术的应用，推动了中国 IGBT 行业的发展，驱使中国本土企业加 大了在 IGBT 产品领域的投入与研发。中国 IGBT 产品产量从 2014 年的 380 万只增长到了 2018 年的 1,125 万只，年复合增长率为 31.2%（见图 2-3） 。在中国国内本土 IGBT 企业 12 报告编号19RI0256 加大在产业链上中游的投资及国外 IGBT 上游企业陆续在中国本土建立晶圆厂的趋势影响 下，中国 IGBT 行业的市场化进程将不断推进。中国 IGBT 行业产业链有望持续完善，IGBT 技术水平将不断革新，中国 IGBT 行业产量有望进一步提升，预计到 2023 年 IGBT 产品产 量达到 4,660 万只。 图 2-3 中国 IGBT 产品产量，2014-2023 年预测 来源：头豹研究院编辑整理 2.4 中国 IGBT 行业产业链 中国 IGBT 行业产业链由上至下可分为上游原材料供应商和设备供应商，中游 IGBT 生 产商，下游应用终端用户（见图 2-4） ： 13 报告编号19RI0256 图 2-4 中国 IGBT 行业产业链 来源：头豹研究院编辑整理 2.4.1 上游分析 中国 IGBT 行业的上游参与者为硅晶圆、封装材料等原材料供应商和光刻机、检测设备 等设备供应商。硅晶圆是 IGBT 生产的主要原材料之一，在 IGBT 材料生产成本中占比达到 30%左右。在生产硅锭环节中，需要通过提纯硅、熔化硅、搅拌硅熔浆等一系列制造工艺。 其后， 采用高精度的制造工艺将硅锭切割成片状， 形成硅晶圆。 硅晶圆的薄片工艺具有极高 的制造工艺技术含量。 根据头豹对 IGBT 行业专家的访谈得知，目前中国晶圆材料供应商只能将硅晶圆减薄到 170m，而国外晶圆材料供应商可将硅晶圆减薄到 100-200m 的量级。受此影响，晶圆 材料市场长期被日本信越化学工业株式会社 （以下简称 “信越化学” ） 、 三菱住友株式会社 （以 下简称“三菱住友” ） 、德国 Siltronic、韩国 SK Siltro 和台湾环球厂商垄断，这五大晶圆供 货商在全球晶圆市场中的占比为 92.4%，导致中国在 8 英寸或 8 英寸以上的硅晶圆主要依 赖进口，自给率较低，尤其是 8 英寸以上硅晶圆。除此之外，封装材料是 IGBT 生产的另一 种主要原料，可分为塑料封装、环氧树脂封装、陶瓷封装和金属封装四种。中国在 IGBT 封 14 报告编号19RI0256 装材料虽然已取得一定的进步， 但其仍存在技术壁垒， 尤其在大电压的 IGBT 封装材料方面。 整体而言， 中国 IGBT 生产商对进口材料依赖性较大， 因此在上游原材料环节的议价能力较 弱。 在 IGBT 设备供应商方面，IGBT 芯片是 IGBT 模组或分立器件的核心，光刻机是 IGBT 芯片制造的核心设备之一。目前光刻机的国产化程度低于 10.0%，光刻机市场主要被荷兰 ASML 和日本尼康株式会社（以下简称“尼康” ）所占据，其中荷兰 ASML 已垄断了高端光 刻机市场。由此可见，中国在光刻机市场方面的优势不明显，竞争能力较弱，国外光刻机厂 商的议价空间相对较大。 2.4.2 中游分析 中国 IGBT 行业的中游是 IGBT 生产商，主要负责 IGBT 模组或分立器件产品的设计、 制造、测试和销售。由于 IGBT 产品集成度高、产品内部不同器件间隔仅有几毫米的距离， 且易受电压和电流等运行环境影响， 因此在产品设计和制造工艺会涉及到机械结构设计、 电 路布局设计、热设计、电磁设计等方面知识。这不仅要求 IGBT 生产商需要具备一定的生产 工艺水平，也要求 IGBT 生产商的研发人员具有电力电子、力学、热学等多学科的知识和制 造、测试的操作经验。目前全球 IGBT 生产商主要以德国英飞凌、德国赛米控和日本三菱电 机、富士电机有限公司（以下简称“富士” ）电机为主，且这些厂商生产的 IGBT 产品覆盖应 用面广。中国 IGBT 生产商主要是以具体某个应用领域为主，如中国中车和嘉兴斯达半导体 股份有限公司 （以下简称 “嘉兴斯达” ） 的 IGBT 在大功率轨道交通领域已得到突破， 比亚迪 的 IGBT 在自家新能源汽车上已实现运用。 中国 IGBT 行业领先的企业拥有较强向上游渗透的意愿，规模较大的 IGBT 生产商通过 兼并收购国内外企业，往上游原材料延伸或在中游 IGBT 生产领域深化，达到产业链联动效 应，加强企业竞争优势，在一定程度上提高了中国 IGBT 行业集中度，进而推动中国 IGBT 15 报告编号19RI0256 行业国产化进程。未来，产业链中游规模较大的 IGBT 生产商发展空间将逐步增大。 2.4.3 下游分析 中国 IGBT 产业的下游应用广泛，可大致分为民用领域和工业领域。民用领域包括电压 力锅、电烤箱、电视机等变频白色家电行业；工业领域包括工业电机、汽车电子、电力设备 等行业。 在民用领域， 随着中国国民收入水平的提升和消费水平的提高， 消费者对消费电子 和变频白色家电产品从原来的简单功能需求升级到高效节能需求，因此 IGBT 在下游消费电 子和变频白色家电领域的应用正逐步提高；在工业领域，随着中国制造 4.0 的推进，中国工 业制造技艺得到进步，工业领域对 IGBT 质量和性能方面的要求不断提升。下游应用领域不 仅要求 IGBT 生产商能够提供种类较全的 IGBT 产品，也要求 IGBT 生产商具有能够与下游 应用产品融合的能力。 整体而言， 下游应用领域的需求对 IGBT 生产商技术研发具有重要的 推动作用，因此在产业链中的议价能力也将不断提高。 2.5 中国 IGBT 行业市场规模 在中国“工业 4.0”趋势和“中国制造 2025”发展规划的带动下，中国制造业进入了快 速发展阶段。 在制造业技术浪潮推动下， 中国传统制造行业趋向电动化和智能化升级， 如汽 车发展到新能源汽车、 铁路发展到磁悬浮高铁、 电网发展到智能电网， 对能源的转换效率和 电能利用效率均提出了更高的要求。 由于 IGBT 具有能源转换和高效节能等优点， 因此在电 力电子设备应用的比例也在不断提高， 为中国 IGBT 行业的发展带来了良好发展机遇。 根据 头豹数据显示， 中国 IGBT 行业市场规模由 2014 年的 79.8 亿元增长到 2018 年的 159.6 亿 元，年复合增长率为 18.9%（见图 2-5） 。 根据头豹预计，在环保政策日益趋严的背景下，节能减排相关的电力电子设备需求量将 增加，促进中国 IGBT 行业发展。与此同时，在中国智慧城市建设、物联网和大数据等科技 16 报告编号19RI0256 应用的背景下，大功率 IGBT 模组拥有较大的发展空间。未来中国 IGBT 行业市场将持续增 长，预计到 2023 年中国 IGBT 行业市场规模有望达到 290.8 亿元，市场前景广阔。 图 2-5 中国 IGBT 行业市场规模，2014-2023 年预测 来源：头豹研究院编辑整理 3 中国 IGBT 行业驱动与制约因素 3.1 驱动因素 3.1.1 下游应用领域覆盖广泛，拉动行业需求 IGBT 下游应用领域广泛，汽车行业、消费电子行业、能源行业、电机行业等都需要利 用 IGBT 来提高能源使用效率。 同时， 对于高功耗损耗的电子制造设