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1证券研究报告作者：行业 评级：上次评级：行业报告|请务必阅读正文之后的信息披露和免责申明强于大市强于大市维持2023 年04 月20 日（评级）分析师 唐海清 SAC 执业证书编号：S1110517030002分析师 康志毅 SAC 执业证书编号：S1110522120002AI算力系列之光通信用光芯片：受 益流量增长和全球份额提升行业深度研究摘要2请务必阅读正文之后的信息披露和免责申明代码 名称 2023-04-19 2021A 2022A 2023E 2024E 2021A 2022A 2023E 2024E688498.SH 源杰科技 159 0.95 1.00 1.48 1.92 166.60 158.75 107.10 82.74688313.SH 仕佳光子 78 0.50 0.66 1.12 1.50 154.93 117.46 69.71 51.81002281.SZ 光迅科技 225 5.67 6.35 7.35 8.31 39.64 35.44 30.61 27.06688048.SH 长光华芯 154 1.15 1.25 2.24 3.42 133.51 123.05 68.59 45.04300620.SZ 光库科技 114 1.31 1.18 1.58 2.15 86.93 96.52 72.04 52.85涉 及 上市 公 司股票 股票 市值（亿 元）归 母 净利润(亿元)P/E光 芯 片 重要性凸显及未来成长性：磷化铟光芯片及组件是光模块中最大的成本项，其性能直接决定光模块的传输速率，是光通信产业链的核心之一。根据Yole 预测，磷化铟器件预计到2026年下游应用规模将达到约52 亿美元，20-26 年复合增长率为16%。国 产 化 率低、成长空间广阔：国内厂商在2.5G 及以下、10G光芯片上具有一定优势，但25G光芯片的国产化率约20%，25G以上光芯片的国产化率仍较低约5%。生产工艺是核心壁垒：光芯片的制造成本中制造费用占比最高，良率决定各家能力。生产流程中，量子阱、光栅、光波导、镀膜等环节成为竞争关键。涉 及 上 市公司：源杰科技（与电子团队联合覆盖）、仕佳光子、光迅科技、长光华芯、光库科技。风险提示：人才及技术更新风险；下游需求不达预期风险；竞争导致毛利率下降风险；潜在竞争的风险；全球化、国产替代不及预期；报告中引用22年业绩快报仅为上市公司初步核算数据，请以公司最终公告为准。除源杰科技外，其余公司盈利预测来 自wind 一致 预 测；资 料来 源：wind，天 风 证券 研 究所0YEVvMmRoNoPqOoNmRpQoP7NbP7NtRoOnPoNiNnNqMfQoMmM7NnMmQxNrMpQwMoMuM目录1.光通信用光芯片的分类及下游2.磷化铟光芯片市场规模及竞争格局3.光芯片成本分析以及技术壁垒4.涉及上市公司3请务必阅读正文之后的信息披露和免责申明光通信用光芯片的分类及下游14请务必阅读正文之后的信息披露和免责申明5请务必阅读正文之后的信息披露和免责申明 资料来源：北京通美公告，天 风证 券 研究 所1.1.不 同 类 型 半 导 体材 料 的 应用 领 域 半 导 体 材料包括三大类：1、单元素半导体材料，即以单一元素构成的半导体材料，主要包括硅（Si）、锗（Ge），其中硅基半导体材料是目前产量最大、成本最低、应用最广的半导体材料；2、III-V 族化合物半导体材料，即以 III-V 族元素的化合物构成的半导体材料，主要包括砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP），具有电子迁移率高、光电性能好等特点，是当前仅次于硅之外最成熟的半导体材料，在 5G 通信、数据中心、光纤通信、新一代显示、人工智能、无人驾驶、可穿戴设备、航天方面有广阔的应用前景；3、宽禁带半导体，以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）等为代表，具有高禁带宽度、耐高压和大功率等特点，在通信、新能源汽车等领域前景广阔，但目前成本较高。图：不同半 导体材 料的主 要特点、应用 领域项目单 元 素半导 体材料 III-V 族化 合物半 导体材 料 宽 禁 带半 导 体材 料硅 锗 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅分子式 Si Ge GaAs lnP GaN SiC特点 储量大、价格便宜电子迁移率、空穴迁移率高光电性能好、耐热、抗辐射导热性好、光电转换效率高、光纤传输效率高高频、耐高温、大功率应用领域 先进制程芯片 空间卫星 LED 器、射频模组 光通信 充电器、高铁 电动汽车部分主要应用场景 CPU、内存空间卫星太阳能电池面板大功率半导体激光器；手机、电脑射频器件；新一代显示；面部识别；激光雷达5G基站光模块；数据中心光模块；激光雷达；可穿戴设备快速充电芯片；高铁芯片新能源汽车；充电桩6请务必阅读正文之后的信息披露和免责申明 资料来源：源杰科技公告，天 风证 券 研究 所1.2.光通信用光芯片分类 光 芯 片 按功能可以分为激光器芯片和探测器芯片，其中激光器芯片主要用于发射信号，将电信号转化为光信号，探测器芯片主要用于接收 信 号，将光信号转化为电信号。激光器芯片按出光结构可进一步分为面发射芯片和边发射芯片，面发射芯片包括 VCSEL 芯片，边发射EEL 芯片包括 FP、DFB 和 EML 芯 片；探 测 器 芯片，主 要有 PIN 和 APD 两类。激 光 器 芯片按照材料体系划分，可以分为砷化镓GaAs 和磷化铟Inp两套材料体系。图：光芯片 在光通 信系统 中应用 图：激光器 芯片和 探测器 芯片特 点7请务必阅读正文之后的信息披露和免责申明 资料来源：Yole，华经产业研究院公 众号，半导体 照明网，天风 证券研 究所1.3.磷化铟光芯片：分 类 及 下 游 应用 按 导 电 性能，InP 衬底主要分为半导电和半绝缘衬底 半导体衬底分为N 型和P 型半导电衬底：1）N 型掺Sn InP 主要用于激光二极管。2）N 型掺S 的InP 不仅用于激光二极管，而且还用于光探测器。3）P 型掺Zn InP 主要用于高功率激光二极管。半绝缘衬底按照是否掺杂分为掺杂半绝缘衬底和非掺杂半绝缘衬底，半绝缘衬底主要用于制作射频器件。从全球磷化铟衬底应用情况来看，据Yole 数据显示，2020 年光模块器件、传感器件、高端射频器件三者销量占比分别为83%、4%和14%。光 模 块 器件和高端射频器件是磷化铟下游主要的应用。图：磷化铟 衬底的 分类及 用途 图：2020 年全球 磷化铟 衬底下 游市场销 量结构 情况磷化铟衬底半导电衬底N 型半导电衬底掺Sn 激光二极管掺S激光二极管和光探测器P 型半导电衬底 掺Zn高功率激光二极管半绝缘衬底掺杂半绝缘衬底掺Fe2P非掺杂半绝缘衬底高纯单晶衬底通过高温退火射频器件83%14%4%8请务必阅读正文之后的信息披露和免责申明 资料来源：源杰科技公告，天 风证 券 研究 所1.4.光通信系统中的光芯片位置及应 用结构 图 光 通 信 是以光信号为信息载体，以光纤作为传输介质，通过电光转换，以光信号进行传输信息的系统。光通信系统传输信号过程中，发射 端 通 过激光器芯片进行电光转换，将电信号转换为光信号，经过光纤传输至接收端，接收端通过探测器芯片进行光电转换，将光信号转 换 为 电信号。光芯片加工封装为光发射组件（TOSA）及光接收组件（ROSA），再将光收发组件、电芯片、结构件等进一步加工成光模块。光 芯 片 的性 能 直 接决定光模块的传输速率，是光通信产业链的核心之一。图：光芯片 在光通 信系统 中应用 图：光模块 结构示 意图（SFP+封 装）9请务必阅读正文之后的信息披露和免责申明 资料来源：中际旭创公告，天风证券 研究所1.5.光芯片及组件：光 模 块 中 最 大的 成 本 项 根 据 中 际旭创披露的2016年1-8 月光模块成本构成，芯片成本占60-70%（光芯片及组件占50%，比重最大；电芯片成本占15%），人工和其 他 成 本占23%；光 模 块 中的芯片包含：光芯片（激光器芯片和探测器芯片）、电芯片（LD 驱 动芯片、TIA 跨阻放大芯片、CDR 时 钟和数据电路、DSP、MUX&DeMUX等）。图：2016 1-8 光芯片及组件50%集成电路芯片15%结构件11%电力1%人力及其他成本23%磷化铟光芯片市场规模及竞争 格局210请务必阅读正文之后的信息披露和免责申明11请务必阅读正文之后的信息披露和免责申明 资料来源：中芯晶研官网，Yole，天 风证 券 研究 所2.1.全球磷化铟芯片市场规模 根据Yole 预 测，磷化铟器件应用领域正从传统的数据通信和电信市场向C 端消费市场扩展，预计到2026 年 下游应用规模将达到约52亿美元，2020-2026 年 年均复合增长率为16%。数 据 通 讯和电信仍然将是磷化铟最大应用领域，骨干网全光化和数据中心内的400G/800G 光模块等对磷化铟激光器件带来持续需求，而消 费 电 子领 域应 用增 速更 快，如3D 传 感、可穿 戴设 备、无开 孔屏 幕传 感等。图：2020-2026 年全 球磷化 铟裸芯 片光学 应用市 场预测12请务必阅读正文之后的信息披露和免责申明 资料来源：讯石光通讯网，源 杰科 技 公告，天风 证 券研 究 所2.2.1.数通市场：400G、800G 逐 步 成 为主 力 超 大 规 模数据中心运营商对400G 的部署反映了用户对云服务需求的不断增长，以及对更高带宽的需求，以支持高要求的应用，包括人工智能（AI）、机器学习（ML）和视频处理。根据LightCounting 和 中 际 旭创预计，从2023 年开始数据中心800G 光模块将有更多需求，之 后 逐 渐增量，2024 年800G 需求将进一步提升，销售额有望超过400G。数 通 产 品激 光器 芯片 方案：100G 光模块以4*25G DFB 或EML 为主，也有单通道100G 方案；200G 光模块以4*50G DFB 或EML 为主；400G 光模块以4*100G EML 为主。图：常见3 层数据 中心架 构及光 互连速 率演进表：数通光 模块对 应的激 光器芯 片方案数据中心主要光模块类别对应速率主要模块产品激光器芯片方案100G光模块100G FR4 QSFP28100G LR4 QSFP28100G ER4 QSFP28100G FR1 QSFP28FR4：4*25G DFB；LR4：4*25G DFB；ER4：4*25G EML；FR1：100G EML/硅光CW 光源。200G及以上速率光模块200G FR4 QSFP-DD400G DR4 QSFP-DD400G FR4 QSFP-DD2*200G FR4 OSFPFR4：4*50G DFB/EML；400G DR4：4*100GEML/硅光 CW 光源；FR4：4*100G EML。13请务必阅读正文之后的信息披露和免责申明 资料来源：深圳市进洋联合科技有限 公司网 站，世 界光通 信之都 公众号，天风 证券研 究所2.2.2.电信市场：光纤宽带、基站传 输升级 光纤宽带PON 技术是一种基于无源ODN 网络的宽带接入技术，10G PON 技 术 已经大规模商用，可为用户提供高达1Gbps 的带宽，实现千兆 网 络 的覆盖；而下一代PON 预计为25G/50G PON，而50G和100G/200G PON 已经被IEEE、ITU、FSAN 和其他标准组织视为10G PON的后续 演 进 技术。5G 前 传 网 络方 面，C-RAN 组网模式大量部署，25Gb/s xWDM 光 模 块 已广 泛应 用。针对 未来 更高 通道Massive MIMO 基站、U6G 频 段基 站、毫 米 波 基站等应用场景，前传网络带宽需求将进一步提升，在保留现有端口数量和节约光纤资源的前提下，业界已启动50Gb/s 及更高速率 的 下 一代5G 前传光模块技术研究。图：PON 速 率演进 表：5G 前传需 求演进14请务必阅读正文之后的信息披露和免责申明 资料来源：ICC，源杰科技公告，天风 证券研 究所2.3.磷化铟芯片市场规模 从光模块市场反推光芯片市场，源杰科技推算2021 年光芯片市场总体在150 亿元左右，其中光纤接入、移动通信、数据中心分别为14 亿、70亿、63 亿 元。根据C&C 的 预测，2020-2025年全球光芯片市场的年复合增长率将达到12.59%，主要受益于5G 网络的建设和应用，以及相 应 数 据中心、接入网、城域骨干网等网络基础设施的全面升级。根据ICC预测2019-2024年，中 国 光 芯片厂商销售规模占全球光芯片市场的比例将不断提升，中高速率光芯片增长更快。2.5G 及以下光芯片 市 场 被国内光芯片企业占据主要市场份额；10G 光芯片我国企业已基本掌握核心技术，但部分型号产品仍存在较高技术门槛，依赖进口；25G及 以上激光器芯片以海外供应商为主。表：光通信 用光芯 片市场 细分测 算 图：中国光 芯片厂 商销售 规模占 全球光 芯片市 场的比 例趋势亿美元 光纤接入 移动通信 数据中心 合计光模块全球市场规模 6.22 32.03 48.95 87.2其中：10G及以下速率光模块 6.22 6.52 7.23 19.97其中：25G及以上速率光模块 25.51 41.71 67.22中低速率光模块-毛利率高速率光模块-毛利率直接材料成本 80%80%80%光芯片及组件占光模块成本比例 85%85%50%光芯片占光芯片及组件材料比例光芯片市场（亿美元）2.22 10.83 9.69 22.7光芯片市场（亿人民币）14.33 69.84 62.53 146.770%25%30%15请务必阅读正文之后的信息披露和免责申明 资料来源：ICC，源杰科技公告，天 风 证券 研 究所2.4.各速率厂商份额 2.5G及 以 下 光芯片：主要应用于光纤接入市场，国内光芯片企业已经占据主要市场份额。10G光芯片：主要应用在光纤接入市场、移动通信网络市场和数据中心市场。我国光芯片企业已基本掌握 10G 光芯片的核心技术，但部分型号产品仍存在较高技术门槛，依赖进口。25G 及 以 上 光芯 片：主要应用于移动通信网络市场和数据中心市场，包括25G、50G、100G 激光器及探测器芯片。根据 LightCounting并结合行业数据测算，2021全球25G 及以上光芯片市场规模为107.55 亿元。根据ICC 统计，25G 光芯片的国产化率约20%，但25G 以上光芯片的国产化率仍较低约5%。图：全球2.5G 及以 下DFB/FP 激光器 芯片市 场份额图：全球10G DFB 激光 器芯 片市 场 份额武汉敏芯17%中科光芯17%光隆科技13%光安伦11%仕佳光子9%源杰科技7%中电13所4%其他22%源杰科技20%住友电工15%云岭光电6%中电13所6%中科光芯6%三菱电机4%武汉敏芯2%其他41%16请务必阅读正文之后的信息披露和免责申明 资料来源：Yole，盖世汽车社区公众 号等，天风证 券研究 所2.5.车载激光雷达应用 Yole 预 测，汽车ADAS 激光雷达市场将在未来5 年迎来飞速增长，年均复合增长率高达73%，到2027 年，ADAS 激光雷达市场规模将从2021年的3800万 美元增至2027年的20亿美元，成为激光雷达行业最大的应用领域。与此同时，无人驾驶出租车市场也将以28%的年均复合增长 率 增 长，到2027 年市场规模将从2021年的1.2亿 美元 增长 至6.98亿美元。激 光 雷 达发射光源的波长主要包括905nm、1550nm、1064nm 等。2021年在公开定点量产的激光雷达产品中，905nm 是为首选波长，排名 第 一，占比为69%，排在第二位的为1550nm，排名 第二，占 比达 到14%。1550nm 相比905nm 来 说，探测距离更远，探测精度更高，并 且 在 同等功率水平下，1550nm 产 品对人眼安全性更高。1550nm 激光雷达采用的光纤激光器，其种子光源为磷化铟材料体系开发。图：全球激 光雷达 市场规 模预测图：2021 年 全球激 光雷达 各波长 的定点 量产项 目数量 占比905nm69%1550nm14%1064nm7%885nm3%其他7%光芯片成本分析以及技术壁垒317请务必阅读正文之后的信息披露和免责申明18请务必阅读正文之后的信息披露和免责申明 资料来源：源杰科技公告，天风证券 研究所3.1.光芯片的制造成本构成 成 本 中，制造成本占比达59%、人工成本占24%、材料成本占17%（源杰2021年各速率产品成本合并统计）（1）制造费用主要包括折旧费、装修费摊销、水电费、光栅加工费等其他费用。（2）光芯片的原材料包括衬底、金靶、特殊气体（主要包括高纯氢、磷化氢、液氮等）、三甲基铟、光刻胶、封装材料（包括管帽等）和其他材料等，其他原材料包括显影液、光刻掩模板、异丙醇、砷化氢等材料，其他原材料品种较多且占比较低。（3）衬底供应商为通美、住友、云南锗业等。图：光芯 片成本 构成（源杰2021 年各速率 产品成 本合并 统计）图：光芯片 成本中 材料费 用的构 成（源 杰21 年数据）33%6%6%6%5%3%4%5%31%17%24%59%19请务必阅读正文之后的信息披露和免责申明 资料来源：北京通美公告，天风证券 研究所3.2.磷化铟光芯片的生产流程及产 业链 磷 化 铟 产业链上游为晶体生长、衬底和外延片的生产加工环节。从衬底生产的原材料和设备来看，其中原材料包括金属铟、红磷、坩埚等；生 产设备涉及晶体生长炉、研磨机、抛光机、切割机、检测与测试设备等。产业链中游包括集成电路设计、制造和封测环节。产业链 下 游 应用主要涉及光通信、无 人 驾 驶、人工智能、可穿戴设备等多个领域。各 环 节 厂商：1）衬底厂商：北京通美、日本 JX、Sumitomo 及 少 数 国内 厂商。2-1）外延厂商：IQE、台 湾 联 亚光 电、台 湾 全 新光 电、台 湾 英 特磊等，2-2）器件厂商包括Finisar、Lumentum、AOI等。3）IDM 模 式厂商：国内的源杰科技、仕佳光子、长光华芯等。图：化合物 半导体 生产流 程图：磷化铟 产业链20请务必阅读正文之后的信息披露和免责申明 资料来源：北京通美 公告，天 风证 券 研究 所3.3.磷化铟衬底市场及竞争格局 根据 Yole 统 计 显 示，到 2026 年 全 球 光模块器件磷化铟衬底（折合两英寸）预计销量将超过 100万片，2019 年-2026 年 复 合 增长率达13.94%，2026 年 全 球 光模块器件磷化铟衬底预计市场规模将达到 1.57 亿美元。2020 年全球前三大厂商占据磷化铟衬底市场 90%以上市场份额，其中 Sumitomo 为全球第一大厂商，占比为 42%；北京通美位居第二，占比 36%。化 合 物 半导体单晶生长的制备方法有水平布里奇曼法（HB）、垂直布里奇曼法（VB）、液封切克劳斯基法（LEC）、垂 直 梯度冷凝法（VGF），磷 化铟单晶批量生长的技术主要包括后三种。北京通美和Sumitomo 分别使用 VGF 和 VB 技 术 可 以生长出直径 6 英 寸 磷 化铟单 晶，日本 JX 使用 LEC 技 术 可 以生长出直径 4 英 寸 的 磷化 铟单 晶。图：单晶晶 体制备 工艺示 意图图：2020 年 全球磷 化铟衬 底竞争 格局42%36%13%9%Sumitomo JX 21请务必阅读正文之后的信息披露和免责申明 资料来源：源杰科技公告，天风证券 研究所3.4.磷化铟光芯片制造工艺流程的 几个难点 1、量子阱外延层的设计和制造：通过MOCVD 生长量子阱外延片多层结构。该环节是激光器芯片的设计和制造的核心工艺之一，影响产品光电转化效率与高速性能，是激光器芯片调制速率能否达到25G 及以上的关键工艺之一。2、光栅结构的设计和制造：利用高精度的电子束光栅系统，在晶圆中制造多条宽度约100nm 的变相位周期布拉格光栅掩膜，再利用高精度刻蚀技术，将光栅掩膜图样转移至晶圆，然后利用MOCVD 进行光栅刻蚀层的覆盖生长，最终在晶圆上形成多周期布拉格光栅结构，实现激光器发射的单纵模输出和特定的发光波长及单色性。3、光波导的设计和制造：光波导，即光在激光器里传输的通道。采用光刻技术制作微米级光波导结构，利用波导材料与周围材料的折射率差异，引导光子传输路径，使得光子在谐振腔内往复谐振，实现光子的稳定单模态输出。4、光学端面镀膜的设计和制造：晶圆解离成巴条后，需对暴露的激光器芯片谐振腔两侧的出光端进行光学镀膜，一侧背光端面为高反射镀膜，另一侧出光端面为高透射镀膜，利用纳米级光学膜层的厚度设计与制备工艺，控制芯片两侧的出光比例，形成单端高强度出光。图：25G 激 光器芯 片生产 流程22请务必阅读正文之后的信息披露和免责申明 资料来源：源杰科技 公告，天 风证 券 研究 所3.5.磷化铟光芯片制作中量子阱和光 栅工艺 量 子 阱 工艺：晶圆有源发光区的量子阱设计和制造是激光器芯片的核心。（1）量子阱外延片共包含2030层结构，每层量子阱厚度4 10nm 不等。相较于中低速率激光器芯片，25G DFB 激光器芯片有源区量子阱堆叠层数更多。（2）每层量子阱的材料比例误差会造成量子阱发光波长的偏差、量子阱各层间的应力偏差，影响产品最终性能与可靠性，25G DFB 激光器芯片要求对每层材料厚度、比例、电学掺杂、缺陷控制等参数的精准控制。光 栅 工 艺：主要在涂有光刻胶的基板上定义出光栅结构对应的掩膜图形，再利用刻蚀技术将掩膜上的图形转移至衬底上形成最终的光栅结构。光栅工艺主要分为两种，一种是全息光栅工艺，即利用两束激光的干涉条纹定义周期性掩膜图形，全息光栅工艺在 2.5G 激光器芯片生产中广泛使用；另外一种是电子束光栅工艺即利用电磁场控制电子形成电子束，利用电子束定义掩膜图形，该工艺技术较全息光栅工艺更为先进，能大幅提高光栅的控制精度。图：10G 及25G 光芯 片量子 阱数量表：两种光 栅工艺 对比全息光栅工艺 电子束光栅工艺适中 复杂光功率 功率离散 功率一致性好单模良率 30%-50%50%-90%芯片波长 3nm 2nm极限工作温度 50%高频特性 差 好产品特性工艺复杂度项目涉及上市公司423请务必阅读正文之后的信息披露和免责申明24请务必阅读正文之后的信息披露和免责申明 资料来源：Wind，源杰科技公告，天风证券研 究所4.1.源杰科技：25G 已批量，50G、100G 在 路上 公 司 成 立于2013年，聚焦于光芯片行业，公司已实现向主流光模块厂商批量供货，产品最终成功应用于国内外知名运营商。2020年在磷化铟（InP）半导体激光器芯片产品对外销售的国内厂商中，公司收入排名第一，其中10G、25G激光器芯片系列产品的出货量在国内同 行 业 公司中均排名第一，其中10GDFB 在全球出货量同样排名第一，约占20%，超越住友电工、三菱电机；25G DFB 产 品 源 杰已实现突破，在5G 基站前传、数通市场两个市场实现了批量出货。高速率的50G、100G 产品，公司预计从明年至后年开始经过送样测试等各环节，后 续 有 望放量增加。除 在 光 通信的应用外，在激光雷达、传感等领域均有市场前景。源杰科技基于现有磷化铟材料体系，构建了多业务的拓展能力，在激光雷 达 领 域研发生产1550nm 激 光雷达种子源，气体传感领域布局甲烷传感器，这些有望成为下一个增长点。图：公司收 入、净 利润及 增速（百万元，22 年数据 来自业 绩快报）图：公司收 入结构90.00%46.10%73.84%77.69%9.71%51.33%11.73%11.65%0.28%2.57%14.43%10.66%0%10%20%30%40%50%60%70%80%90%100%2019 2020 2021 1H2022光纤接入 4G/5G 移动通信网络 数据中心70.4181.31233.37 232.11282.9115.5313.2178.8495.29100.2815%187%-1%22%-15%497%21%5%-100%0%100%200%300%400%500%600%0.0050.00100.00150.00200.00250.00300.002018A 2019A 2020A 2021A 2022E 25请务必阅读正文之后的信息披露和免责申明 资料来源：Wind，天风证券研究所4.2.仕佳光子：无源强者，有源25G 光 芯 片 在验 证 公 司 聚 焦光通信行业，主营业务覆盖光芯片及器件、室内光缆、线缆材料三大板块。公司系统建立了覆盖芯片设计、晶圆制造、芯片加工、封 装测试的 IDM 全 流 程 业务体系。光芯片及器件产品包括 PLC 分 路 器 芯 片系列产品、AWG 芯 片 系 列产品、DFB 激 光 器 芯片系列产品、光 纤连接器、隔离器和平行光组件系列产品。数据中心AWG 系列有100G/200G/400G/800G高速光模块的AWG 组件和平行光组件；用于数据中心之间互联的400G ZR 相 干 传 输的DWDM AWG 模 块。400G AWG 已 有 小批量应用，800G AWG 组 件 及平行光组件正在送样验证。激 光 器 芯片产品有2.5G DFB 和10G DFB，CW DFB（硅 光 用 大功率），特殊波长光源等。2.5G、10G激光器芯片处于可量产阶段，截止到22 年6 月25G 激 光器芯片正在客户的验证中。图：公司收 入、净 利润及 增速（百万元，22 年业绩 来自业 绩快报）图：2022 年 上半年 公司收 入结构AWG芯片系列产品19%PLC分路器芯片系列产品14%光纤连接器6%DFB激光器芯片系列产品6%隔离器2%其他光器件类0%室内光缆27%线缆材料26%517.90546.32671.60817.34903.19-11.97-1.5838.0750.1666.178%5%23%22%11%43%87%32%32%0%10%20%30%40%50%60%70%80%90%100%-200.000.00200.00400.00600.00800.001,000.002018A 2019A 2020A 2021A 2022E 26请务必阅读正文之后的信息披露和免责申明 资料来源：Wind，天风证券研究所4.3.光迅科技：光芯片光模块一体 化 公 司 主 要产品有光电子器件、模块和子系统产品，按应用领域可分为传输类、接入类、数据通信类。公司拥有从芯片、器件、模块到子系 统 的 垂直集成能力，拥有光芯片、耦合封装、硬件、软件、测试、结构和可靠性七大技术平台，支撑公司有源器件和模块、无源器件和 模 块 产品。截至2022 年8 月DFB 低 速率 芯片 全部 自供；25G DFB大概70%可 以 自供，20%+外购，但有些特殊波长、功率还需要外购；25G EML内部测试 通 过，在做商业化和良率提升；25G vcsel 芯 片已量产。有 源 光 芯片的研发方向包括25G/50G 的DFB/EML 以 及高端探测器。图：公司收 入、净 利润及 增速（百万元）图：2021 年 公司收 入结构传输59%接入和数据40%其他主营业务1%4,929.055,337.926,046.026,486.305,280.80332.72357.70487.38567.27492.148.3%8.3%13.3%7.3%11.7%0%8%36%16%8%-5.0%0.0%5.0%10.0%15.0%20.0%25.0%30.0%35.0%40.0%0.001,000.002,000.003,000.004,000.005,000.006,000.007,000.002018A 2019A 2020A 2021A2022 27请务必阅读正文之后的信息披露和免责申明 资料来源：Wind，天风证券研究所4.4.长光华芯：短期砷化镓，长期定 位综合 性厂商 公 司 聚 焦半导体激光行业，专注于半导体激光芯片的研发、设计及制造，主要产品包括高功率单管系列产品、高功率巴条系列产品、高效率 VCSEL 系 列 产 品及光通信芯片系列产品等，逐步实现高功率半导体激光芯片的国产化，已建成覆盖芯片设计、外延生长、晶圆处理工 艺（光刻）、解理/镀膜、封装测试、光纤耦合等 IDM 全 流 程 工艺平台和 3 吋、6 吋 量 产 线，应用于多款半导体激光芯片开发。磷 化 铟 芯片 方面：10G 1577nm的高功率EML 处 于量 产阶 段，可批 量供 货，并已 建成 了一 条完 整的25G EML 激 光 器 芯 片和TO-CAN 封装的研发 和 生 产线，具备从晶圆级MOCVD 外 延材料生长、晶圆流片、解理镀膜、封装和器件级的所有测试验证全流程的能力。公司已推出APD 产 品，该产品适用于10G 光接收机，在主要指标方面与国际水平相近。车载雷达光芯片：VCSEL 与EEL 材料体系相同（砷化镓），工艺重合度在70%以上，设备可复用。22 年12 月完成了车规体系16949 的认证，今 年 通 过了车规级AEC-Q102 认证。图：公司收 入、净 利润及 增速（百万元，22 年业绩 来自业 绩快报）图：2021 年 公司收 入结构高功率单管系列84.1%高功率巴条系列13.0%VCSEL芯片系列1.9%废料销售0.7%其他主营业务0.3%92.43138.51247.18429.09386.26-14.40-128.8926.18115.32125.1250%78%74%-10%-795%120%340%9%-1000%-800%-600%-400%-200%0%200%400%-200.00-100.000.00100.00200.00300.00400.00500.002018A 2019A 2020A 2021A 2022E 28请务必阅读正文之后的信息披露和免责申明 资料来源：Wind，天风证券研究所4.5.光库科技：铌酸锂调制器有望 份额提升 公 司 是 专业从事光纤器件、铌酸锂调制器件及光子集成器件的设计、研发、生产、销售。包括三大产品系列：1）光纤激光器件主要产品 包 括 隔离器、合束器、光纤光栅、激光输出头等，主要应用于光纤激光器、激光雷达、无人驾驶等领域。2）光通讯器件包含两个部分，隔 离器、波分复用器等用于密集波分，跳线、尾纤、MPO 连接器等用于数通。3）铌酸锂调制器件主要产品包括 400/600Gbps、100/200Gbps 铌 酸 锂相 干调 制器、10Gbps 零 啁 啾 强度 调制 器等，主 要应 用于 超高 速干 线光 通信 网、超高 速数 据中 心等。铌 酸 锂 电光调制器主要用在 100Gbps 以上直至 1.2Tbps 的 长 距 骨干网相干通讯和单波 100/200Gbps 的 超 高 速数据中心上。由于电信级铌酸 锂 高 速调制器芯片及器件产品设计难度大，工艺较为复杂，截止22 年8 月全球仅有三家主要供应商可批量供货，主要为富士通、住友以 及 公 司。同时公司在建8 万件铌酸锂调制器芯片及器件产能。图：公司收 入、净 利润及 增速（百万元）图：2021 年 公司收 入结构光纤激光器件55%光通讯器件25%铌酸锂调制器15%其他主营业务5%289.28390.78491.60667.80493.9079.9257.48 59.21130.8189.9826%35%26%36%1%33%-28%3%121%-8%-40%-20%0%20%40%60%80%100%120%140%0.00100.00200.00300.00400.00500.00600.00700.00800.002018A 2019A 2020A 2021A2022 29请务必阅读正文之后的信息披露和免责申明 1.2.3.4.5.6.22 风险提示30请务必阅读正文之后的信息披露和免责申明股票投资评级自报告日后的6 个月内，相对同期沪深300 指数的涨跌幅行业投资评级自报告日后的6 个月内，相对同期沪深300 指数的涨跌幅买入 预期股价相对收益20%以上增持 预期股价相对收益10%-20%持有 预期股价相对收益-10%-10%卖出 预期股价相对收益-10%以下强于大市 预期行业指数涨幅5%以上中性 预期行业指数涨幅-5%-5%弱于大市 预期行业指数涨幅-5%以下投 资 评 级声明类别 说明 评级 体系分 析 师 声明本报告署名 分 析师 在 此 声明：我们 具 有 中国 证 券 业协 会 授 予的 证 券 投资 咨 询 执业 资 格 或相 当 的 专业 胜 任 能力，本 报告 所 表 述的 所 有 观点 均 准 确地 反 映 了我 们 对 标的 证券和发行人 的 个人 看 法。我 们 所得 报 酬 的任 何 部 分不 曾 与，不 与，也将 不 会 与本 报 告 中的 具 体 投资 建 议 或观 点 有 直接 或 间 接联 系。一般声明除非另有规 定，本 报 告 中的 所 有材 料 版 权均 属 天 风证 券 股 份有 限 公 司（已 获 中国 证 监 会许 可 的 证券 投 资 咨询 业 务 资格）及 其附 属 机 构（以 下 统称“天 风证 券”）。未经天风证券 事 先书 面 授 权，不 得以 任 何 方式 修 改、发 送 或 者复 制 本 报告 及 其 所包 含 的 材料、内 容。所 有 本报 告 中 使用 的 商 标、服 务 标识 及 标 记均 为 天 风证 券 的 商标、服务标识及 标 记。本报告是机 密 的，仅 供 我们 的 客户 使 用，天 风 证 券不 因 收 件人 收 到 本报 告 而 视其 为 天 风证 券 的 客户。本 报告 中 的 信息 均 来 源于 我 们 认为 可 靠 的已 公 开 资料，但 天风 证券对这些信 息 的准 确 性 及完 整 性不 作 任 何保 证。本报 告 中 的信 息、意见 等 均 仅供 客 户 参考，不 构成 所 述 证券 买 卖 的出 价 或 征价 邀 请 或要 约。该等 信 息、意 见 并 未考 虑到获取本报 告 人员 的 具 体投 资 目的、财 务状 况 以 及特 定 需 求，在 任 何时 候 均 不构 成 对 任何 人 的 个人 推 荐。客 户 应 当对 本 报 告中 的 信 息和 意 见 进行 独 立 评估，并 应同 时考量各自的 投 资目 的、财务 状 况和 特 定 需求，必 要时 就 法 律、商 业、财 务、税收 等 方 面咨 询 专 家的 意 见。对 依 据 或者 使 用 本报 告 所 造成 的 一 切后 果，天风 证 券 及/或其关联人员均 不 承担 任 何 法律 责 任。本报告所载 的 意见、评 估及 预 测仅 为 本 报告 出 具 日的 观 点 和判 断。该等 意 见、评 估 及 预测 无 需 通知 即 可 随时 更 改。过 往 的 表现 亦 不 应作 为 日 后表 现 的 预示 和 担 保。在不同时期，天 风证 券 可 能会 发 出与 本 报 告所 载 意 见、评 估 及预 测 不 一致 的 研 究报 告。天风证券的 销 售人 员、交易 人 员以 及 其 他专 业 人 士可 能 会 依据 不 同 假设 和 标 准、采 用 不同 的 分 析方 法 而 口头 或 书 面发 表 与 本报 告 意 见及 建 议 不一 致 的 市场 评 论 和/或交易观点。天 风 证券 没 有 将此 意 见及 建 议 向报 告 所 有接 收 者 进行 更 新 的义 务。天风 证 券 的资 产 管 理部 门、自营 部 门 以及 其 他 投资 业 务 部门 可 能 独立 做 出 与本 报 告 中的 意见或建议不 一 致的 投 资 决策。特别声明在法律许可的情况下，天风证券可能会持有本报告中提及公 司所发行的 证券并进 行交易，也 可能为这些 公司提供或 争取提供投 资银行、财务顾问和 金融产品等 各种金融服务。因此，投资者应当考虑到天风证券及/或其相关人员 可能存在影 响本报告 观点客观性 的潜在利益 冲突，投资 者请勿将本 报告
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