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1 Table_First Table_First|Table_ReportType 公司报告公司深度研究 Tabl e_First|Tabl e_Summar y 华 润 微（ 688396） 电子 功率 IDM 本土龙头， 全产业链一体化运营 投资要点： 公司是国内功率半导体 IDM龙头厂商，具有全产业链一体化运营能力 。 功率器件国产替代空间大，汽车 /光伏引领市场新增量 全球功率器件市场长期被以英飞凌、安森美为代表的国际大厂占据，国内市场本土厂商渗透率较低， 2020年中国 MOSFET市占率 Top10企业合计占据74%的市场，其中本土厂商仅占 14%。随着汽车电子、光伏等新兴产业 快速发展，功率器件尤其是 IGBT、 SiC器件将 面临 新的市场 空间 ， Yole预计新能源汽车 IGBT市场规模 2020-2026年 CAGR为 22.26%，汽车 SiC器件市场规模2021-2027年 CAGR为 39.21%。 全 产业链一体化运营， 12英 寸晶圆产能即将释放 公司是国内头部半导体厂商中少有的 IDM企业， 拥有从芯片设计、掩膜制造到晶圆制作、封装测试再到终端产品销售的全产业链一体化运营能力 。 2021年公司携手大基金二期、重庆西永微建设 12英寸晶圆厂，总投资 75.5亿元，规划产能每月 3万片 12英寸中高端功率半导体晶圆，并配套建设 12英寸外延及薄片工艺能力，聚焦功率器件，预计 2022年年底贡献产能 ，同时大湾区12英寸产线也在规划中，将持续为公司未来业务发展提供晶圆产能。 聚焦功率半导体，新兴产品持续放量增长 2021年功率器件事业群收入同比增长 35%，毛利率同比提升 12个百分点。其中 MOSFET持续强化中低压产品竞争优势，高压超结 MOSFET收入过亿 ； IGBT销售收入连续多年快速增长， 2019-2021年同比增速分别为 45%、 75%、 57%，1200V 40A FS-IGBT产品在工业领域实现量产 ；第三代功率半导体技术和产业化双突破， SiC JBS器件 2021年销售收入实现突破性增长 ， 平面型 1200V SiC MOSFET进入风险量产阶段，静态技术参数达到国外对标样品水平 。 盈利 预测、估值与评级 我们预计公司 2022-24年收入分别为 107.66/126.32/147.68亿元 ，对应增速分别为 16.40%/17.33%/16.91%，净利润分别为 26.21/30.54/34.97亿元 ，对应增速 15.59%/16.48%/14.53%， EPS分别为 1.99/2.31/2.65元 ， 2022-24年CAGR为 15.50%。 对应 PE分别为 29/25/22倍 。 DCF估值法测得公司合理价值70.95元；综合 DCF和 PE估值法 ， 鉴于公司 本土功率半导体 IDM龙头市场地位 ，参照可比公司给予 22年 35倍 PE，考虑到行业估值中枢上移 ， 上调 目标价 至69.50元 （原值 59.26元 ） 。维持“ 买入 ”评级。 风险 提示： 新冠疫情 、 产能建设不及预期 、 行业竞争加剧 等 风险 。 Tabl e_First|Tabl e_Summar y|Table_Excel 1 财务数据和估值 2020A 2021A 2022E 2023E 2024E 营业收入（百万元） 6977 9249 10766 12632 14768 增长率（ %） 21.50% 32.56% 16.40% 17.33% 16.91% EBITDA（百万元） 1699 3021 3905 4547 5117 净利润（百万元） 964 2268 2621 3054 3497 增长率（ %） 140.46% 135.34% 15.59% 16.48% 14.53% EPS（元 /股） 0.73 1.72 1.99 2.31 2.65 市盈率（ P/E） 79 34 29 25 22 市净率（ P/B） 7.2 4.4 3.9 3.4 3.0 EV/EBITDA -2.6 -3.5 16.7 13.8 11.6 数据来源：公司公告 、 iFinD， 国联证券研究所 预测；股价为 2022 年 7 月 8 日收盘价 证券研究报告 Tabl e_First|Tabl e_R eportD ate 2022 年 07 月 11 日 Tabl e_First|Tabl e_Rati ng 投资 评级 ： 行 业： 半导体 投资建议： 买入 （维持评级） 当前价格： 57.70 元 目标价格： 69.50 元 Tabl e_First|Tabl e_M ar ketInfo 基本数据 总股本 /流通股本（百万股） 1320/441 流通 A 股市值（百万元） 25452 每股净资产（元） 13.57 资产负债率（ %） 22.24 一年内最高 /最低（元） 99.70/44.60 Tabl e_First|Tabl e_C hart 股价相对走势 Tabl e_First|Tabl e_Author 分析师：熊军 执业证书编号： S0590522040001 邮箱： 分析师：王晔 执业证书编号： S0590521070004 邮箱： Tabl e_First|Tabl e_Contacter Tabl e_First|Tabl e_Rel ateRepor t 相关报告 1、华 润 微（ 688396） : 功率器件推进高端化， 12 英寸产能等待释放 2022.04.24 2、华 润 微（ 688396） :业绩预增 129%132%，SiC 产品量产进度快 2022.01.20 3、华 润 微（ 688396） :发布股权激励草案，吸引人才保障长期发展 2021.12.26 请务必阅读 报告 末页的 重要 声明 本报告仅供邮箱所有人使用，未经许可，不得外传。 2 请 务必阅读报告末页的重要声明 公司报告公司深度研究 投资聚焦 核心逻辑 公司是华润集团旗下负责微电子业务的高科技企业，先后整合多家国产半导体 厂商 ，已经发展成为拥有芯片设计、晶圆制造、封装测试等全产业链一体化运营能力的半导体厂商。公司聚焦功率半导体，同时拓展智能传感器、 MCU等新产品线，是功率半导体行业国内 IDM龙头厂商。 不同于市场的观点 市场对华润微的关注集中于功率器件业务，尤其是 IGBT、第三代半导体功率器件等方面的进展。我们认为在功率半导体国产龙头厂商的地位背后，是公司持续建立的全产业链生产布局，和长期积累的工艺能力，全产业链一体化运营能力同样是公司的一大核心竞争力。 核心假设 重庆 12英寸晶圆厂 2022年底开始投产，原有产线通过技术改造每年提升 10%左右的产能。 IGBT产品在光伏、工控等领域不断拓展新客户，销售收入将延续 2019-2021年高速增长态势。 更高比例 产能将用于自有产品的生产和封装， 制造与服务业务 将保持相对平稳且低于产品与方案业务的增速。 盈利预测与估值 我们预计公司 2022-24年收入分别为 107.66/126.32/147.68亿元，对应增速分别为 16.40%/17.33%/16.91%，净利润分别为 26.21/30.54/34.97亿元 ，对应增速15.59%/16.48%/14.53%， EPS分别为 1.99/2.31/2.65元 ， 2022-24年 CAGR为 15.50%，对应 PE分别为 29/25/22倍 。 我们采用绝对估值法和相对估值法对公司进行估值， FCFF估值法估算公司合理股价约为 70.95元 ， PE估值法估算公司合理价格 69.50元 。考虑到新技术、新下游将为公司带来全新的发展机遇，我们选取相对估值法作为 最终 估值方法 。 鉴于公司本土功率半导体 IDM龙头市场地位，新兴产品持续放量，参照可比公司估值，我们给予公司 22年 35倍 PE，目标价 69.50元。维持“买入”评级。 投资看点 短期看公司在汽车电子、光伏、锂电池等新兴行业的拓展进度。 中期看公司 12英寸晶圆厂建设进度，重庆 12英寸晶圆厂能否如期将产能扩充至 3万片 /月。 长期看本土功率厂商新兴半导体产品能否跟上国际巨头如英飞凌、安森美的技术标准 ，从而实现 更 大范围 的国产替代。 本报告仅供邮箱所有人使用，未经许可，不得外传。 3 请 务必阅读报告末页的重要声明 公司报告公司深度研究 正文目录 投资聚焦 . 2 1. 功率半导体 IDM 国内龙头，工艺和产品持续优化升级 . 6 1.1 整合多家半导体企业，内涵 +外延同步发展 . 6 1.2 背靠 华润集团，管理层产业根基深厚 . 6 1.3 各业务产线持续技术迭代，业绩边际改善明显 . 7 2. 功率半导体前景广阔，配套制造服务需求旺盛 . 8 2.1 功率 半导体应用广泛，新能源产业打开需求天花板 . 8 2.2 晶圆代工需求旺盛，先进封装助力半导体产品技术升级 . 18 3. 全产业链一体化布局，功率器件业务国内领先 . 20 3.1. 全产业链布局，产能建设步步为营 . 20 3.2. 功率半导体龙头 IDM 厂商，自有产品占比持续提升 . 25 3.3. 研发投入力度行业领先，工艺和产品精益求精 . 28 3.4. 盈利能力持续提升，财务状况保持健康 . 30 4. 盈利预测、估值与投资建议 . 32 4.1. 盈利预测 . 32 4.2. 估值与投资建议 . 33 5. 风险提示 . 35 图表目录 图表 1：公司发展历程 . 6 图表 2：公司股权结构（截至 2022 年 Q1） . 7 图表 3：公司主要产品与工艺发展历程 . 7 图表 4：公司营业收入（亿元） &同比 . 8 图表 5：公司各项业务毛利率 . 8 图表 6：可比公司销售毛利率对比 . 8 图表 7：可比公司销售净利率对比 . 8 图表 8：功率半导体产品种类示意图 . 9 图表 9：全球功率半导体市场规模（亿美元） . 9 图表 10：中国功 率半导体市场规模（亿美元） . 9 图表 11： 2019 年全球功率分立器件分类占比 . 10 图表 12： MOSFET 芯片结构示意图 . 10 图表 13： P 沟道和 N 沟道 MOSFET 电路图形 . 10 图表 14：全球 MOSFET 器件市场规模（亿美元） . 11 图表 15：中国 MOSFET 器件市场规模（亿美元） . 11 图表 16：全球 MOSFET 高压 /中低压占比 . 11 图表 17： MOSFET 晶圆月出货量（万片） . 11 图表 18：全球 MOSFET 市场竞争格局（ 2020 年） . 12 图表 19：中国 MOSFET 市场竞争格局（ 2020 年） . 12 图表 20： 2021 年全球功率半导体龙头盈利能力 . 12 图表 21： 2021 年全球功率半导体龙头研发支出比例 . 12 图表 22： 600V/0.16 左右 MOSFET 产品对比 . 13 本报告仅供邮箱所有人使用，未经许可，不得外传。 4 请 务必阅读报告末页的重要声明 公司报告公司深度研究 图表 23： 60V 中低压 MOSFET 产品对比 . 13 图表 24：主要 IGBT 电压平台产品性能对比 . 13 图表 25：硅基 MOSFET 下游市场分布（ 2020-2026 年） . 14 图表 26： 2020-2026 年硅基 MOSFET 各市场规模预测 . 14 图表 27： Si MOSFET/IGBT/SiC MOSFET 主要参数及应用场景比较 . 15 图表 28：全球 IGBT 市场规模（亿美元） . 15 图表 29： 中国 IGBT 市场规模（亿美元） . 15 图表 30： 2020 年中国 IGBT 下游应用领域市场占比 . 16 图表 31： 2020-2026 年 IGBT 各市场规模预测 . 16 图表 32： Si、 SiC、 GaN 性能范围示意图 . 17 图表 33： Si 和 SiC 性能参数对比 . 17 图表 34： 全球 SiC 器件市场规模（亿美元） . 17 图表 35： 2027 年 SiC 器件市场下游分布情况预计 . 17 图表 36： 2021-2027 年 SiC 器件各市场规模预测 . 17 图表 37： 全球晶圆代工 +IDM 市场规模（亿美元） . 18 图表 38： 中国半导体晶圆制造销售额（亿元） . 18 图表 39：中国大陆纯晶圆代工市场份额 . 18 图表 40： 全球前十大纯晶圆代工企业收入及增速 . 19 图表 41： 全球纯晶圆代工市场份额 . 19 图表 42： 中国封装测试市场规模（亿元） . 19 图表 43： 2020 年全球封测厂商市占率 . 19 图表 44：公司核心竞争优势概览 . 20 图表 45：公司产业链布局历史进程 . 21 图表 46：公司晶圆代工主要工艺类型与参数 . 21 图表 47：公司晶圆产能（ 6 英寸及 8 英寸） . 22 图表 48：晶圆制造业务产量（万片） . 22 图表 49：晶圆制造业务销量（万片） . 22 图表 50：公司掩模制造产品、服务及工艺 . 23 图表 51：掩模制造业务产量（万片） . 23 图表 52：掩模制造业务销量（万片） . 23 图表 53：公司封装测试事业群主要产业基地 . 24 图表 54：产品与服务产销量（亿颗） . 24 图表 55：封装服务产销量（亿颗） . 24 图表 56：公司 IPM 功率模块封装工艺升级历程 . 25 图表 57： Copper Clip 工艺封装结构 . 25 图表 58：面 板级封装产品结构 . 25 图表 59：各项业务收入占比 . 25 图表 60：面板级封装产品结构 . 25 图表 61：产品与服务各项细分业务占比 . 26 图表 62：功率半导体收入（亿元）及增速 . 26 图表 63：公司功 率半导体主要产品类型 . 26 图表 64：国内 MOSFET 厂商产品型号数量（ 2021 年） . 28 图表 65： 公司研发开支（亿元） . 28 图表 66：公司研发人员数量及占比 . 28 图表 67：可比公司研发支 出占收入比例对比 . 29 图表 68：各业务板块及相关核心技术 . 29 图表 69：公司毛利率 &净利率 &ROE（摊薄） . 30 本报告仅供邮箱所有人使用，未经许可，不得外传。 5 请 务必阅读报告末页的重要声明 公司报告公司深度研究 图表 70：公司各项费用率 . 31 图表 71：公司经营活动现金流量净额（亿元）、销售商品现金 /营业收入 . 31 图表 72：应收票据及账款相关财务数据 . 32 图表 73：合同负债（亿元）及同比增速 . 32 图表 74：公司营收测算汇总（亿元） . 33 图表 75： FCFF 估值明细 . 33 图表 76：可比公司估值对比表 . 34 本报告仅供邮箱所有人使用，未经许可，不得外传。 6 请 务必阅读报告末页的重要声明 公司报告公司深度研究 1. 功率半导体 IDM 国内龙头，工艺和产品持续优化升级 公司是国内领先的半导体 IDM 企业，同时也是国内功率半导体头部厂商之一。主营业务包括产品与方案、制造与服务两大板块，对外提供产品以 MOSFET、 IGBT 等功率器件为主，也包括 MCU、智能传感器等集成电路产品，同时公司也对外提供晶圆代工、器件封装等服务。 2021 年公司整体收入规模达到 92.49 亿元，同比增长 32.56%。 1.1 整合多家半导体企业 ，内涵 +外延同步发展 公司前身最早可追溯到 1983 年原四机部、七机部、外经贸部、华润集团联合设立的香港华科，是华润集团旗下负责微电子业务的高科技企业。 曾先后整合华科电子、中国华晶、上华科技、中航微电子等中国半导体企业 ，先后建立 4 寸、 6 寸、 8 寸、12 寸晶圆产线，业务从晶圆代工拓展至芯片设计、芯片封装等环节，逐步形成半导体 IDM 业务模式。 图表 1： 公司发展历程 来源： 公司官网，公司公告， 国联证券研究所 1.2 背靠华润集团，管理层产业根基深厚 公司第一大股东是华润集团（微电子）有限公司，持股 66.58%，占据绝对控股地位，实际控制人是中国华润有限公司。国家集成电路产业投资基金和重庆西永微电子产业园区分别为第二、第三大股东，分别持股 4.92%、 2.37%。前十大股东合计持股比例 76.77%。 高管团队微电子行业经验 丰富 ，多 位 技术背景出身 。董事长陈小军先生 天津大学电子工程系无线电技术专业工学学士学位 ， 拥有工程师 、 政工师专业技术职称 ，担任 华润集团副总经理 ， 兼任华润微董事长 ；总裁李虹先生 在半导体技术研发和经营管理方面具有近 30 年产业经验 ,是公司多项技术发展和产业化的推动者 ,荣获“全国电本报告仅供邮箱所有人使用，未经许可，不得外传。 7 请 务必阅读报告末页的重要声明 公司报告公司深度研究 子 信息行业优秀创新企业家”等多项荣誉称号 ， 于 2009 年加入公司 。 图表 2： 公司股权结构（截至 2022 年 Q1） 来源： 公司公告， 国联证券研究所 1.3 各业务产线持续技术迭代， 业绩边际改善明显 经过多年的发展和工艺积累，公司自从 2008 年推出沟槽栅 MOSFET 以来，产品线已经打通超结 MOS、 IGBT、 SiC SBD、 SiC MOSFET、 MEMS 传感器、 MCU 等多个工艺平台，形成全方位的半导体产品布局，晶圆尺寸从 4 寸、 6 寸提升至 8 寸、 12 寸，在半导体生产环节中从晶圆代工到产品设计、封装测试，形成 IDM 业务模式， 自有 产品 占比持续提升 。 图表 3： 公司主要产品与工艺发展历程 来源： 公司招股说明书，公司公告， 国联证券研究所 公司营业收入稳步提升， 2021 年有较大幅度提升，达到 92.49 亿元，同比增长32.56%，增速创 2018 年以来新高，主要原因是功率半导体市场景气度高，且公司产能利用率较高； 2019 年收入出现阶段性下滑，主要原因在于全球半导体市场整体处于去库存阶段。公司毛利率整体处于上升态势， 2021 年总体毛利率达到 35.33%，相比于 2016 年的 14.49%提升超过 20pct。其中产品与方案、制造与服务两大板块毛利率基本上同步提升， 2021 年分别达到 37.43%、 33.56%。 本报告仅供邮箱所有人使用，未经许可，不得外传。 8 请 务必阅读报告末页的重要声明 公司报告公司深度研究 毛利率和净利率均位于行业中上游水平 。公司的毛利率在 2021 年达到 35.33%，在 IDM 公司中仅次于安世半导体的 37.17%，而考虑到公司产品与方案业务毛利率高于公司整体毛利率， 2021 年约为 37.43%，实际上略高于安世半导体 的 毛利率。公司的净利率优势地位更加明显，整体上升趋势明显， 2021 年达到 24.41%，仅次于新洁能的 27.40%和捷捷微电的 27.78%。 2. 功率半导体前景广阔， 配套制造服务需求旺盛 2.1 功率半导体应用广泛 ， 新能源产业打开需求天花板 功率半导体是半导体行业最重要的细分板块之一，作为电子装置中电能转换与电路控制的核心，在电路系统中起到控制导通、电压频率变换、直流交流转换等功能。下游广泛应用在汽车电子、工业电子、消费电子、新能源发电、轨道交通、电力传输等行业，市场规模庞大，前景广阔 。 功率半导体可以分为功率器件和功率 IC 两大细分品类 。功率器件从最早的二极管、三极管、晶闸管，发展至后来的 MOSFET、 IGBT，体现出 大功率化、高频化、集成化 、低能耗等发展趋势。而在产品大类内部，同样存在持续的迭代升级，功率器件厂商不断创新设计和制造技术以满足下游的各类新需求。 图表 4： 公司营业收入（亿元） &同比 图表 5： 公司各项业务毛利率 来源： 公司公告， 国联证券研究所 来源： 公司公告， 国联证券研究所 图表 6： 可比公司销售毛利率对比 图表 7： 可比公司销售净利率对比 来源： 公司公告， 国联证券研究所 来源： 公司公告， 国联证券研究所 本报告仅供邮箱所有人使用，未经许可，不得外传。 9 请 务必阅读报告末页的重要声明 公司报告公司深度研究 图表 8： 功率半导体产品种类示意图 来源： 锐观咨询 ， 国联证券研究所 全球功率半导体市场规模在 2019 年约为 464 亿美元， 2024 年预计将达到 522 亿美元， 2019-2024 年复合增速约为 2.38%；中国功率半导体市场规模在 2019 年达到177 亿美元， 2024 年预计达到 206 亿美元， 2019-2024 年复合增速约为 3.08%。中国市场占全球的比例大约在 39%左右， 是全球主要的功率半导体消费市场。 MOSFET 器件是最大品类，形态以分立器件为主 。 2019 年全球功率 分立器件市场规模约为 160 亿美元，占功率半导体整体市场规模比例约为 34%。其中， MOSFET 器件是最大的品类，占比 52.51%；其次是整流器和 IGBT，占比分别为 26.98%、 9.99%。IGBT 由于在大多数场景下以模组形式存在，因而在功率半导体分立器件市场份额中占比不高。 图表 9： 全球功率半导体市场规模（亿美元） 图表 10： 中国功率半导体市场规模（亿美元） 来源： Omdia， 国联证券研究所 来源： Omdia， 国联证券研究所 本报告仅供邮箱所有人使用，未经许可，不得外传。 10 请 务必阅读报告末页的重要声明 公司报告公司深度研究 图表 11： 2019 年全球功率分立器件分类占比 来源： Omdia， 国联证券研究所 MOSFET 全称 为“ 金属氧化物半导体场效应管 ” ，按照导电沟道类型可以分为 P 沟道和 N 沟道，其基本原理是通过调节栅极（ G）电压来控制源极（ S）和漏极（ D）之间的导通、关断。 MOSFET 具有导通电阻小，损耗低，驱动电路简单，热阻特性好等优点，被广泛应用在电脑、手机、移动电源、电动交通工具、 UPS 电源等众多领域。 MOSFET 器件市场广阔，中国市场约占全球四成 。全球 MOSFET 器件市场规模在2019 年约为 84.20 亿美元， 2020 年受疫情影响出现下滑， 2024 年预计回升至 77.02亿美元。中国 MOSFET器件市场规模在 2019年约为 33.42亿美元，占全球市场的 39.69%，2020 年同样因为疫情出现下滑，后续市场规模预计保持平稳， 2024 年约为 29.70 亿美元 。 图表 12： MOSFET 芯片结构示意图 图表 13： P 沟道和 N 沟道 MOSFET 电路图形 来源： cnblogs， 国联证券研究所 来源： 安世半导体， 国联证券研究所 本报告仅供邮箱所有人使用，未经许可，不得外传。 11 请 务必阅读报告末页的重要声明 公司报告公司深度研究 高电压、大电流下游领域发力，推动高压 MOSFET 渗透率不断提升 。 MOSFET 器件按照电压规模区分，可以分为高压 MOSFET 和中低压 MOSFET。以新能源汽车、 5G 基站、充电桩、新能源发电为代表的高电压、大电流领域未来几年发展速度较快，因此相比于中低压 MOSFET，高压 MOSFET 的市场增速将更快。 2020 年 全球 中低压和高压 MOSFET市场份额占比分别为 71%和 29%， 2024 年比例 预计分别 为 64%和 36%，高压 MOSFET 份额显著提升。 高压超级结 MOSFET 作为高压 MOSFET 代表产品，其晶圆出货量预计从2020年 23.8万片 /月提升至 2025年的 35.1万片 /月，复合增速 8.1%，显著高于 MOSFET整体增速。 海外巨头位居行业前列，国产替代空间大 。 2019 年全球 MOSFET 市场主要由海外巨头把控，全球前 5 大厂商分别为英飞凌 /安森美 /意法 /东芝 /瑞萨，市占率分别为25%/12%/9%/6%/5%，华润微市占率 3.09%，在本土厂商中仅次于闻泰科技收购的安世半导体。 2020 年中国 MOSFET 市场中，华润微市占率 5%，仅次于英飞凌和安森美，位居本土厂商的首位。国产 MOSFET 厂商市占率仍然处于较低水平，国产替代仍然存在较大空间。 图表 14： 全球 MOSFET 器件市场规模（亿美元） 图表 15： 中国 MOSFET 器件市场规模（亿美元） 来源： Omdia， 国联证券研究所 来源： Omdia， 国联证券研究所 图表 16： 全球 MOSFET 高压 /中低压占比 图表 17： MOSFET 晶圆月出货量（万片） 来源： Omdia， 国联证券研究所 来源： Omdia， Yole， 国联证券研究所 本报告仅供邮箱所有人使用，未经许可，不得外传。 12 请 务必阅读报告末页的重要声明 公司报告公司深度研究 与全球功率龙头相比，华润微盈利能力中游偏上。 2021 年 公司 毛利率 35.33%，位于 海外功率大厂 中游水平；净利率 24.41%，明显高出海外功率半导体头部厂商 ，显示出公司良好的费用控制能力和高水平的生产效率 。 从研发支出占收入比例来看，公司 2021 年达到 7.71%，高于国内可比公司，和海外大厂相比处于中等水平，相比于意法半导体（ 13.50%）、英飞凌（ 13.09%）等国际巨头仍有差距。 海外大厂产品技术领先，部分国产器件参数达到国际先进水平。 600V 高压 MOSFET产品横向对比，英飞凌 G7 产品性能 最为出色 ，达到 2.95 nC，本土厂商大部分产品存在较高的 栅电荷，开关速度较慢，导致综合性能低于海外大厂 。 60V 中低压 MOSFET方面 ， 国际品牌 DFN5*6 封装形式产品的导通电阻最低达到 0.93mohm，为安森美的NTMFS5C604NL，本土厂商在导通损耗和开关速度方面处于劣势 。 在 IGBT 产品方面，部分产品技术差距仍然较为明显，部分产品性能已接近海外大厂的技术水平。 近年来随着国产厂商产品技术持续优化升级，有望进一步缩小本土产品和海外产品的技术差距。 图表 18： 全球 MOSFET 市场竞争格局（ 2020 年 ） 图表 19： 中国 MOSFET 市场竞争格局（ 2020 年 ） 来源： 中商情报网 ， 国联证券研究所 来源： Omdia， 国联证券研究所 图表 20： 2021 年全球功率半导体龙头盈利能力 图表 21： 2021 年全球功率半导体龙头研发支出比例 来源： 各公司公告， Wind， 国联证券研究所 来源： 各公司公告， Wind， 国联证券研究所 本报告仅供邮箱所有人使用，未经许可，不得外传。 13 请 务必阅读报告末页的重要声明 公司报告公司深度研究 图表 24： 主要 IGBT 电压平台产品性能对比 IGBT 产品电压平台 公司名称 料号 额定电流 (A) Vce,sat 饱和压降典型值 (V) Eoff (mJ) 二极管正向压降典型值 Vf (V) 栅电荷Qg(nC) 650V/75A IGBT 产品 英飞凌 IKW75N65EH5 75 1.65 0.9 1.35 160 安森美 AFGHL75T65SQ 75 1.6 1.13 / 139 意法 STGWA75H65DFB2 75 1.55 1.05 1.8 207 华润微 BT75T60AKFK 75 1.75 2.1 1.4 433 新洁能 NCE75TD60T 75 1.65 1.9 1.6 360 士兰微 SGT75T65SDM1P4 75 1.65 3.1 1.82 186 吉林华微 JT075N065WED 75 1.75 0.97 2.2 160 东微高速系列 OST75N65HZF 75 1.65 0.85 1.45 175 1350V/20-25A IGBT 产品 英飞凌 IHW20N135R5 20 1.65 1.65 170 安森美 NGTB20N135IHR 20 2.2 1.8 234 意法 STGW20IH125DF 20 2 1.1 69 东芝 GT20N135SRA 20 1.6 1.75 185 华润微 BT25T135CKR 25 1.95 2.6 142 新洁能 NCE25TD135LT 25 1.6 2.5 146 士兰微 SGT20T135QR1PS 20 1.8 1.95 125 扬杰 JX20N135HWR 20 2.1 Max 3.0 115 吉林华微 JT020N135WDD 20 1.8 1.7 119 东微 OST20N135HRF 20 1.6 1.5 71.5 来源： 东微半导招股书 ， 国联证券研究所 注：截止 2020.12.31 汽车电子及配套产业带动 MOSFET 下游需求持续增长 。根据 Yole 的统计，消费级应用在 2020 年仍然是 MOSFET 市场下游最大的品类，规模约为 28 亿美元，占比约37%，而在 2026 年占比则将下降至 28%。与之相对，汽车电子及相关配套设施在 2020年市场规模约为 15 亿美元， 2026 年迅速增长至 30 亿美元，复合增速 12.25%，占比则从 20%提升至 32%。 在汽车电子中，新能源相关汽车模块的硅基 MOSFET 市场规模将从 2020 年 1 亿美图表 22： 600V/0.16左右 MOSFET 产品 对比 图表 23： 60V 中低压 MOSFET 产品 对比 可比公司 料号 Ron 导通电阻典型值 ( ) Qg 栅电荷(nC） Ron Qg ( nC) 英飞凌 C7 IPA60R180C7 0.155 24 3.72 英飞凌 G7 IPDD60R190G7 0.164 18 2.95 安森美 FCPF190N60E-D 0.16 63 10.08 意法 STF24N60M6 0.162 23 3.73 东芝 TK16E60W 0.16 38 6.08 华润微 HPA600R160PF-G 0.13 45 5.85 新洁能 NCE60R180F 0.15 45 6.75 士兰微 SVS20N60FJFD2 0.16 39 6.24 吉林华微 JS60R190U 0.14 41 5.74 东微 OSG60R180FF 0.15 23.3 3.5 可比公司 料号 Ron 导通电阻典型值 (m ) Qg 栅电荷(nC) Ron Qg (m nC) 英飞凌 BSC014N06NST 1.2 89 107 安森美 NTMFS5C604NL 0.93 120 112 意法 STL220N6F7 1.2 98 118 东芝 TPH1R306P1 0.96 91 87 华润微 CRSM024N06L2 2.4 74.37 178 新洁能 NCEP60T15AG 2.7 88 238 士兰微 SVG069R5NSA 8 17 136 扬杰 YJG95G06A 2.1 93 195 吉林华微 MC85N06A 5.4 34.7 187 东微 SFS06R03GF 2.3 66.1 152 来源： 东微半导招股书 ， 国联证券研究所 注：截止 2020.12.31 来源： 东微半导招股书 ， 国联证券研究所 注：截止 2020.12.31 本报告仅供邮箱所有人使用，未经许可，不得外传。 14 请 务必阅读报告末页的重要声明 公司报告公司深度研究 元增至 2026 年 7 亿美元，占比从 1.33%提升至 7.45%，复合增速高达 38.31%，是增速最快的细分市场。汽车电子产业将成为 MOSFET 市场增长的主要驱动力， 并在未来取代消费电子成为最大的下游应用领域。 图表 25： 硅基 MOSFET 下游市场分布（ 2020-2026 年） 来源： Yole， 国联证券研究所 图表 26： 2020-2026 年硅基 MOSFET 各市场规模预测 单位： 亿美元 2020 年 市场规模 2026 年 市场规模 CAGR 2020 年 占比 2026 年 占比 Consumer 28 26 -1.23% 37.33% 27.66% Automotive 14 23 8.63% 18.67% 24.47% EV/HEV 1 7 38.31% 1.33% 7.45% Industrial 10 15 6.99% 13.33% 15.96% Telecom 5 5 0.00% 6.67% 5.32% Others 15 16 1.08% 22.67% 19.15% 总计 75 94 3.84% 来源： Yole， 国联证券研究所 注：各行业之和与总计的差异源于取整误差 高压大电流应用场景显著 增加 ， IGBT 市场空间广阔 。 IGBT 全称绝缘栅双极型晶体管，是由 BJT（双极结型晶体三极管）和 MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型 -电压驱动式 -功率半导体器件，既有 MOSFET 的开关速度高、输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关损耗小的优点，又有 BJT 导通电压低、通态电流大、损耗小的优点，在中高电压、大电流、高频率的应用场景下具有很好的适应性，显著优于其他功率器件。因此，在对工作频率要求不高，却对功率、电流、电压有较高要求的场景下， IGBT 对 MOSFET 有较好的替代作用。 本报告仅供邮箱所有人使用，未经许可，不得外传。 15 请 务必阅读报告末页的重要声明 公司报告公司深度研究 图表 27： Si MOSFET/IGBT/SiC MOSFET 主要参数及应用场景比较 Si MOSFET IGBT SiC MOSFET 电压额定值 20-650V 650V 650V 开关频率 中高 (20kHz) 中高低 (5-20kHz) 高 (50kHz) Vgs/Vge 0-15V(20V) -10-15V(10-20V) -5-20V(25-30V) 功率等级 3kW 4kW 适用场景 中低压、高频 高压、低频、高电流 高压、高频、高电流、低功耗 典型应用 电源 -服务器、电信、工厂自动化、非车载 /车载充电器、光伏逆变器、串式逆变器 。 电机驱动器 (交流电机 )、 UPS、集中式和串式 太 阳 能 逆 变 器 、EV/HEV 牵引逆变器 。 PFC-电源、光伏逆变器、用于 EV/HEV 的 DC/DC、用于 EV 的牵引逆变器、电机驱动器、铁路 。 来源： 电子工程世界， 国联证券研究所 IGBT 市场规模持续扩大，新能源汽车与 光伏 领域增量 显著 。根据 Omdia 的统计和预测，全球 IGBT 市场规模 2024 年预计达到 66.19 亿美元， 2020-2024 年复合增速约为 5.16%；中国 IGBT 市场规模 2024 年预计达到 25.76 亿美元， 2020-2024 年复合增速约为 4.34%，中国市场占全球比例约为 40%左右。由于 2020 年以来，新能源汽车、光伏、储能、风电等领域的发展进度较快， IGBT 市场规模扩张速度或将超出原先的预期。 新能源汽车、工业控制、消费电子是 IGBT 下游三大最主要的应用市场 。三大下游市场分别占比 30%、 27%、 22%，合计占比近八成。以新能源汽车为例，电驱系统、车载空调、车载 OBC 等模块是 IGBT 的主要应用场景，随着汽车电气化渗透率的不断提升， IGBT 作为核心功率元件将面临更加广阔的市场空间。此外，光伏、风电、储能等新能源发电领域，逆变器、整流器等核心组件同样需要用到大量 IGBT，该领域占比有望快速提升。 图表 28： 全球 IGBT 市场规模（亿美元） 图表 29： 中国 IGBT 市场规模（亿美元） 来源： Omdia， 国联证券研究所 来源： Omdia， 国联证券研究所 本报告仅供邮箱所有人使用，未经许可，不得外传。 16 请 务必阅读报告末页的重要声明 公司报告公司深度研究 图表 30： 2020 年中国 IGBT 下游应用领域市场占比 来
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